JPS6061747U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6061747U
JPS6061747U JP15425183U JP15425183U JPS6061747U JP S6061747 U JPS6061747 U JP S6061747U JP 15425183 U JP15425183 U JP 15425183U JP 15425183 U JP15425183 U JP 15425183U JP S6061747 U JPS6061747 U JP S6061747U
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JP
Japan
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schottky barrier
semiconductor device
metal
semiconductor equipment
semiconductor
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Pending
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JP15425183U
Other languages
English (en)
Inventor
鹿中　利行
Original Assignee
日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示すＤＨＤ型ショットキバ
リヤダイオードの断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・二酸化シ
リコン　　　。 膜、３・・・・・・ショット金属、４・・・・・・シリ
サイド層、５・・・・・・Ａｇパイプ電極、６・・・・
・・電極金属、７・・・・・・裏面電極、８ａ、８ｂ・
・・・・・スラグリード、９・・・・・・′ケースガラ
ス、１０・・・・・・外部リード。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. シリコン半導体基板表面に金属を接触してショットキバ
    リヤを形成した半導体装置において、前記ショットキバ
    リアはシリコン基板とショットキバリア形成金属との間
    にシリサイド層を介在せしめて形成し、得られた半導体
    素子を両端に金属放熱体を有したガラス容器にて封止し
    たことを特徴とする半導体装置。
JP15425183U 1983-10-04 1983-10-04 半導体装置 Pending JPS6061747U (ja)

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JP15425183U JPS6061747U (ja) 1983-10-04 1983-10-04 半導体装置

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JPS6061747U true JPS6061747U (ja) 1985-04-30

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JP15425183U Pending JPS6061747U (ja) 1983-10-04 1983-10-04 半導体装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS514627A (en) * 1974-07-03 1976-01-14 Shoketsu Kinzoku Kogyo Kk Pairotsutoshiki 2 hokodenjiben
JPS5399776A (en) * 1977-02-11 1978-08-31 Western Electric Co Method of forming schottky barrier connection

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS514627A (en) * 1974-07-03 1976-01-14 Shoketsu Kinzoku Kogyo Kk Pairotsutoshiki 2 hokodenjiben
JPS5399776A (en) * 1977-02-11 1978-08-31 Western Electric Co Method of forming schottky barrier connection

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