JPH02122453U - - Google Patents
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- JPH02122453U JPH02122453U JP3152789U JP3152789U JPH02122453U JP H02122453 U JPH02122453 U JP H02122453U JP 3152789 U JP3152789 U JP 3152789U JP 3152789 U JP3152789 U JP 3152789U JP H02122453 U JPH02122453 U JP H02122453U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- gate electrode
- insulating layer
- conductivity type
- element formation
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第1図は本考案に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図、第2図は第1図の半導体装置におけ
るゲート電圧及びバイアス電圧と時間との関係を
示す波形図、第3図は第2図のゲート電圧及びバ
イアス電圧の印加時での状態を示す第1図の半導
体装置の断面図である。第4図はMOSトランジ
スタの具体的構造例を示す断面図である。 10……半導体基板、11……ゲート電極、1
3……ソース領域、14……ドレイン領域、15
……絶縁層、16……導電層。
示す断面図、第2図は第1図の半導体装置におけ
るゲート電圧及びバイアス電圧と時間との関係を
示す波形図、第3図は第2図のゲート電圧及びバ
イアス電圧の印加時での状態を示す第1図の半導
体装置の断面図である。第4図はMOSトランジ
スタの具体的構造例を示す断面図である。 10……半導体基板、11……ゲート電極、1
3……ソース領域、14……ドレイン領域、15
……絶縁層、16……導電層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型半導体基板の表面の素子形成領域に酸
化膜を介してゲート電極を形成し、素子成領域の
、ゲート電極と隣接する部位に他導電型不純物を
選択的に拡散させてソース及びドレイン領域を形
成したものであつて、 上記半導体基板の裏面全面に亘つて絶縁層を形
成すると共に、上記絶縁層のドレイン領域の下方
部位に、半導体基板内をドレイン領域下近傍まで
延びる導電層を形成したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3152789U JPH02122453U (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3152789U JPH02122453U (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02122453U true JPH02122453U (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=31257441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3152789U Pending JPH02122453U (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02122453U (ja) |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP3152789U patent/JPH02122453U/ja active Pending
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