JPH03128935U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH03128935U JPH03128935U JP3693190U JP3693190U JPH03128935U JP H03128935 U JPH03128935 U JP H03128935U JP 3693190 U JP3693190 U JP 3693190U JP 3693190 U JP3693190 U JP 3693190U JP H03128935 U JPH03128935 U JP H03128935U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- region
- channel region
- field effect
- corners
- Prior art date
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- Granted
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
第１図は従来と絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタの構造図で、ａは平面図、ｂはＡ−Ａ′断面
図、ｃはＢ−Ｂ′断面図、第２図は本考案の実施
例の構造図で、ａは平面図、ｂはＡ−Ａ′断面図
、ｃはＢ−Ｂ′断面図、第３図は角部の構造図で
、ａは直線状角部構造図、ｂは曲線状角部構造図
であり、１はドレイン領域、２はチヤンネル領域
でＰ及びＰ＋型領域から成る、３はソース領域、
４はゲート電極、５はゲート絶縁膜、６は４の窓
、７は角部、ｃ，ｄ，ｅは指定の寸法である。
スタの構造図で、ａは平面図、ｂはＡ−Ａ′断面
図、ｃはＢ−Ｂ′断面図、第２図は本考案の実施
例の構造図で、ａは平面図、ｂはＡ−Ａ′断面図
、ｃはＢ−Ｂ′断面図、第３図は角部の構造図で
、ａは直線状角部構造図、ｂは曲線状角部構造図
であり、１はドレイン領域、２はチヤンネル領域
でＰ及びＰ＋型領域から成る、３はソース領域、
４はゲート電極、５はゲート絶縁膜、６は４の窓
、７は角部、ｃ，ｄ，ｅは指定の寸法である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ドレイン領域となる第１導電型の半導体基
体に形成した第２導電型のチヤンネル領域、該チ
ヤンネル領域内に形成した第１導電型のソース領
域、及び該チヤンネル領域上にゲート絶縁膜を介
して、該ドレイン領域と該ソース領域にまたがる
ように設けたゲート電極から成り、該ゲート電極
の窓内にソース電極をコンタクトさせるようにし
た絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、
ゲート電極の窓の形状を各４隅に直線又は曲線状
の同一の角部をもつ４角形としたことを特徴とす
る絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。 (2) ４角形の各隅から隣合う辺に沿つて、それ
ぞれ０．５〜５μｍの位置で、よぎるような角部
とした実用新案登録請求の範囲第(1)項の絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990036931U JP2586835Y2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990036931U JP2586835Y2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03128935U true JPH03128935U (ja) | 1991-12-25 |
| JP2586835Y2 JP2586835Y2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=31543598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990036931U Expired - Lifetime JP2586835Y2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586835Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100079765A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848966A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置の製造方法 |
| JPS61278167A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Tdk Corp | 縦形半導体装置及びその製造方法 |
| JPS63260081A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Nec Corp | 縦型電界効果トランジスタ |
| JPH0256971A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Ricoh Co Ltd | 縦型２重拡散ｍｏｓｆｅｔ |
| JPH02178975A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ型半導体装置 |
-
1990
- 1990-04-05 JP JP1990036931U patent/JP2586835Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848966A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置の製造方法 |
| JPS61278167A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Tdk Corp | 縦形半導体装置及びその製造方法 |
| JPS63260081A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Nec Corp | 縦型電界効果トランジスタ |
| JPH0256971A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Ricoh Co Ltd | 縦型２重拡散ｍｏｓｆｅｔ |
| JPH02178975A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100079765A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586835Y2 (ja) | 1998-12-14 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |