JPS6393661U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6393661U JPS6393661U JP18772086U JP18772086U JPS6393661U JP S6393661 U JPS6393661 U JP S6393661U JP 18772086 U JP18772086 U JP 18772086U JP 18772086 U JP18772086 U JP 18772086U JP S6393661 U JPS6393661 U JP S6393661U
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- JP
- Japan
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- groove
- source
- drain
- field effect
- effect transistor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
第１図および第２図はこの考案の一実施例を示
したもので、第１図ａ，ｂは電界効果トランジス
タの横断平面図および縦断正面図、第２図ａ〜ｋ
は電界効果トランジスタの製造工程図である。第
３図は従来の電界効果トランジスタの縦断正面図
である。 １１…半導体基板、１３…ゲート電極、１４…
Ｈ形溝、１５…ゲート絶縁膜、１６…ソース、１
７…ドレイン。
したもので、第１図ａ，ｂは電界効果トランジス
タの横断平面図および縦断正面図、第２図ａ〜ｋ
は電界効果トランジスタの製造工程図である。第
３図は従来の電界効果トランジスタの縦断正面図
である。 １１…半導体基板、１３…ゲート電極、１４…
Ｈ形溝、１５…ゲート絶縁膜、１６…ソース、１
７…ドレイン。
Claims (1)
- 半導体基板面にソースおよびドレイン形成領域
を仕切る溝を形成し、この溝内にゲート電極を堆
積形成するとともに、前記溝の両側にソースおよ
びドレインを拡散形成したことを特徴とする電界
効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18772086U JPS6393661U (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18772086U JPS6393661U (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393661U true JPS6393661U (ja) | 1988-06-17 |
Family
ID=31138444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18772086U Pending JPS6393661U (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393661U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59135768A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP18772086U patent/JPS6393661U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59135768A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |