JPH0258347U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0258347U JPH0258347U JP13613788U JP13613788U JPH0258347U JP H0258347 U JPH0258347 U JP H0258347U JP 13613788 U JP13613788 U JP 13613788U JP 13613788 U JP13613788 U JP 13613788U JP H0258347 U JPH0258347 U JP H0258347U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- thin film
- film transistor
- semiconductor layer
- gate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図および第２図は本考案の一実施例を示す
薄膜トランジスタの断面図およびその製造工程図
、第３図および第４図は従来の薄膜トランジスタ
の断面図およびその製造工程図である。 １１……絶縁基板、１２Ｇ……ゲート電極、１
２Ｇａ……酸化絶縁層、１３……ゲート絶縁膜、
１４……半導体層、１５……コンタクト層、１６
Ｓ……ソース電極、１６Ｄ……ドレイン電極、１
７……ブロツキング絶縁膜。
薄膜トランジスタの断面図およびその製造工程図
、第３図および第４図は従来の薄膜トランジスタ
の断面図およびその製造工程図である。 １１……絶縁基板、１２Ｇ……ゲート電極、１
２Ｇａ……酸化絶縁層、１３……ゲート絶縁膜、
１４……半導体層、１５……コンタクト層、１６
Ｓ……ソース電極、１６Ｄ……ドレイン電極、１
７……ブロツキング絶縁膜。
Claims (1)
- 逆スタガー型の薄膜トランジスタにおいて、絶
縁基板上に形成されるゲート電極とこのゲート電
極上に形成されるゲート絶縁膜とこのゲート絶縁
膜上に形成される半導体層とをそれぞれほぼ同一
の形状とするとともに、前記ゲート電極の外側縁
部を陽極酸化された酸化絶縁層とし、前記半導体
層の上から前記基板上にかけてコンタクト層およ
びソース、ドレイン電極を形成したことを特徴と
する薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13613788U JPH0258347U (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13613788U JPH0258347U (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258347U true JPH0258347U (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=31396364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13613788U Pending JPH0258347U (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258347U (ja) |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP13613788U patent/JPH0258347U/ja active Pending