JPS62120354U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62120354U JPS62120354U JP661686U JP661686U JPS62120354U JP S62120354 U JPS62120354 U JP S62120354U JP 661686 U JP661686 U JP 661686U JP 661686 U JP661686 U JP 661686U JP S62120354 U JPS62120354 U JP S62120354U
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- Japan
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- wirings
- silicide layer
- orthogonal
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- drain
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- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
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- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図、第２図、第３図、第４図は本考案の第
１実施例の各々立体図、平面図、各プロセスに対
応する第１、第２図のＡ―Ａ′線断面図及びＢ―
Ｂ′線断面図、第５図、第６図第７図は本考案の
第２実施例の各々立体図、平面図、Ａ―Ａ′線断
面図、第８図は本考案の第３実施例を示す縦断面
図である。 １……透明絶縁基板、２，４……ポリシリコン
、３……ゲート絶縁膜、７，８，９……シリサイ
ド層、１１……透明電極。
１実施例の各々立体図、平面図、各プロセスに対
応する第１、第２図のＡ―Ａ′線断面図及びＢ―
Ｂ′線断面図、第５図、第６図第７図は本考案の
第２実施例の各々立体図、平面図、Ａ―Ａ′線断
面図、第８図は本考案の第３実施例を示す縦断面
図である。 １……透明絶縁基板、２，４……ポリシリコン
、３……ゲート絶縁膜、７，８，９……シリサイ
ド層、１１……透明電極。
Claims (1)
- 絶縁基板上に複数本のソースあるいはドレイン
配線及び該ソースあるいはドレイン配線と直交す
る複数本のゲート配線を備え、各交点に駆動電極
を有するＭＯＳ型薄膜トランジスタにおいて、該
直交する配線の少なくとも一方がシリサイド層又
はシリサイド層とシリコンの二層から成ることを
特徴とするアクテイブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986006616U JPH06820Y2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | アクテイブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986006616U JPH06820Y2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | アクテイブマトリクス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120354U true JPS62120354U (ja) | 1987-07-30 |
| JPH06820Y2 JPH06820Y2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=30789300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986006616U Expired - Lifetime JPH06820Y2 (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | アクテイブマトリクス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06820Y2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282571A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JPH02245739A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02272430A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス基板及びその製造方法 |
| JPH05107561A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学表示装置およびその作製方法と駆動方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157239A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS57192047A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | Wiring layer in semiconductor device and manufacture thereof |
| JPS58132951A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-08 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | 二珪化チタンの形成方法 |
| JPS59149045A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP1986006616U patent/JPH06820Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157239A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
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| JPS58132951A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-08 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | 二珪化チタンの形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282571A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JPH02245739A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH02272430A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス基板及びその製造方法 |
| JPH05107561A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学表示装置およびその作製方法と駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06820Y2 (ja) | 1994-01-05 |