JPS6397249U - - Google Patents

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JPS6397249U
JPS6397249U JP19136986U JP19136986U JPS6397249U JP S6397249 U JPS6397249 U JP S6397249U JP 19136986 U JP19136986 U JP 19136986U JP 19136986 U JP19136986 U JP 19136986U JP S6397249 U JPS6397249 U JP S6397249U
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JP
Japan
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conductivity type
transistor
layer
base
emitter
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JP19136986U
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  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図a,bは本考案の一実施例を示し、aは
用いられるダイオードチツプの断面図、bは半導
体装置全体の断面図、第2図は第1図の半導体装
置の等価回路図、第3図はこの半導体装置の電流
制限効果を示すコレクタ電流特性線図、第4図は
従来の半導体装置の一例の正面図、第5図は他の
例の断面図である。 1:トランジスタ、11:ベース電極、12:
エミツタ電極、2:絶縁板、4:導線、51:ベ
ース端子導体、52:エミツタ端子導体、8:ダ
イオードチツプ、82:P層、83:N層、9:
導体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. トランジスタのベース、エミツタ間に直列接続
    された複数のダイオードがそのPN接合をトラン
    ジスタのベース・エミツタ接合と同じ向きにして
    接続されるものにおいて、第一導電形の半導体素
    体中に第二導電形の層とその中に存在する第一導
    電形の層とからなるダイオード領域がトランジス
    タのベース・エミツタ接合の数より多い数だけ形
    成され、隣接のダイオード領域の第一導電形の層
    と第二導電形の層の間が半導体素体上の導体で接
    続され、端部のダイオード領域の隣接領域と接続
    されていない層がトランジスタのベース端子およ
    びエミツタ端子間に接続されたことを特徴とする
    半導体装置。
JP19136986U 1986-12-12 1986-12-12 Pending JPS6397249U (ja)

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JPS6397249U true JPS6397249U (ja) 1988-06-23

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5881313A (ja) * 1981-11-10 1983-05-16 Fuji Electric Co Ltd 過電流制限型半導体装置
JPS5837158B2 (ja) * 1974-12-04 1983-08-13 凸版印刷株式会社 レイトウシヨクヒンシユウノウバコヨウイタザイノ セイゾウホウホウ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5837158B2 (ja) * 1974-12-04 1983-08-13 凸版印刷株式会社 レイトウシヨクヒンシユウノウバコヨウイタザイノ セイゾウホウホウ
JPS5881313A (ja) * 1981-11-10 1983-05-16 Fuji Electric Co Ltd 過電流制限型半導体装置

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