JPS6397249U - - Google Patents
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- JPS6397249U JPS6397249U JP19136986U JP19136986U JPS6397249U JP S6397249 U JPS6397249 U JP S6397249U JP 19136986 U JP19136986 U JP 19136986U JP 19136986 U JP19136986 U JP 19136986U JP S6397249 U JPS6397249 U JP S6397249U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- transistor
- layer
- base
- emitter
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
第1図a,bは本考案の一実施例を示し、aは
用いられるダイオードチツプの断面図、bは半導
体装置全体の断面図、第2図は第1図の半導体装
置の等価回路図、第3図はこの半導体装置の電流
制限効果を示すコレクタ電流特性線図、第4図は
従来の半導体装置の一例の正面図、第5図は他の
例の断面図である。 1:トランジスタ、11:ベース電極、12:
エミツタ電極、2:絶縁板、4:導線、51:ベ
ース端子導体、52:エミツタ端子導体、8:ダ
イオードチツプ、82:P層、83:N層、9:
導体。
用いられるダイオードチツプの断面図、bは半導
体装置全体の断面図、第2図は第1図の半導体装
置の等価回路図、第3図はこの半導体装置の電流
制限効果を示すコレクタ電流特性線図、第4図は
従来の半導体装置の一例の正面図、第5図は他の
例の断面図である。 1:トランジスタ、11:ベース電極、12:
エミツタ電極、2:絶縁板、4:導線、51:ベ
ース端子導体、52:エミツタ端子導体、8:ダ
イオードチツプ、82:P層、83:N層、9:
導体。
Claims (1)
- トランジスタのベース、エミツタ間に直列接続
された複数のダイオードがそのPN接合をトラン
ジスタのベース・エミツタ接合と同じ向きにして
接続されるものにおいて、第一導電形の半導体素
体中に第二導電形の層とその中に存在する第一導
電形の層とからなるダイオード領域がトランジス
タのベース・エミツタ接合の数より多い数だけ形
成され、隣接のダイオード領域の第一導電形の層
と第二導電形の層の間が半導体素体上の導体で接
続され、端部のダイオード領域の隣接領域と接続
されていない層がトランジスタのベース端子およ
びエミツタ端子間に接続されたことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19136986U JPS6397249U (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19136986U JPS6397249U (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6397249U true JPS6397249U (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=31145447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19136986U Pending JPS6397249U (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6397249U (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5881313A (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 過電流制限型半導体装置 |
JPS5837158B2 (ja) * | 1974-12-04 | 1983-08-13 | 凸版印刷株式会社 | レイトウシヨクヒンシユウノウバコヨウイタザイノ セイゾウホウホウ |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP19136986U patent/JPS6397249U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5837158B2 (ja) * | 1974-12-04 | 1983-08-13 | 凸版印刷株式会社 | レイトウシヨクヒンシユウノウバコヨウイタザイノ セイゾウホウホウ |
JPS5881313A (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | 過電流制限型半導体装置 |
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