JPS61114854U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61114854U JPS61114854U JP15184785U JP15184785U JPS61114854U JP S61114854 U JPS61114854 U JP S61114854U JP 15184785 U JP15184785 U JP 15184785U JP 15184785 U JP15184785 U JP 15184785U JP S61114854 U JPS61114854 U JP S61114854U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- epitaxial
- region
- diffusion region
- island regions
- Prior art date
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- Pending
Links
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案のバイポーラＩＣの構造を示す
図、第２図は従来のバイポーラＩＣの構造を示す
図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２……Ｎ＋型埋込拡
散領域、３１，３２……Ｎ型エピタキシヤル島領
域、４……Ｐ＋型絶縁分離拡散領域、５１，５２
……Ｐ型抵抗拡散領域、５３……Ｐ型領域、７…
…接地端子、８……電源端子、９……接続手段。
図、第２図は従来のバイポーラＩＣの構造を示す
図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２……Ｎ＋型埋込拡
散領域、３１，３２……Ｎ型エピタキシヤル島領
域、４……Ｐ＋型絶縁分離拡散領域、５１，５２
……Ｐ型抵抗拡散領域、５３……Ｐ型領域、７…
…接地端子、８……電源端子、９……接続手段。
Claims (1)
- 一導電型のシリコン基板上に形成したこれとは
反対導電型のエピタキシヤル層を、同エピタキシ
ヤル層を貫通して前記シリコン基板に達する一導
電型の分離拡散領域で分離して得た複数個のエピ
タキシヤル島領域の１つの中に一導電型の抵抗拡
散領域を作り込み、また、他のエピタキシヤル島
領域の１つで電位が付与されることのないエピタ
キシヤル島領域の中に一導電型の保護用抵抗領域
を作り込むとともに、同保護用抵抗領域の一端に
電源端子を付設し、他端を前記抵抗拡散領域が作
り込まれたエピタキシヤル島領域へ電気的に接続
してなることを特徴とするバイポーラ形半導体集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15184785U JPS61114854U (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15184785U JPS61114854U (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61114854U true JPS61114854U (ja) | 1986-07-19 |
Family
ID=30709944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15184785U Pending JPS61114854U (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61114854U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428857U (ja) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911588A (ja) * | 1972-06-01 | 1974-02-01 | ||
| JPS5132354A (ja) * | 1974-09-12 | 1976-03-18 | Toho Gas Kk | Gasumeetaa |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP15184785U patent/JPS61114854U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911588A (ja) * | 1972-06-01 | 1974-02-01 | ||
| JPS5132354A (ja) * | 1974-09-12 | 1976-03-18 | Toho Gas Kk | Gasumeetaa |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428857U (ja) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 |