JPS63159840U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63159840U JPS63159840U JP5361487U JP5361487U JPS63159840U JP S63159840 U JPS63159840 U JP S63159840U JP 5361487 U JP5361487 U JP 5361487U JP 5361487 U JP5361487 U JP 5361487U JP S63159840 U JPS63159840 U JP S63159840U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
- impurity diffusion
- diffusion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第1図a,bおよびcはそれぞれ本考案の一実
施例を示す寄生MOSトランジスタ形成領域を含
む部分平面図、第2図aおよびbは本考案の他の
実施例を示す寄生MOSトランジスタ形成領域を
含む平面図、第3図aおよびbはそれぞれ従来半
導体集積回路装置の部分平面図およびそのA―A
′断面図、第4図は静電気を発生する人体モデル
の等価回路図である。 1……N型エピタキシヤル層、2,2a,2b
……(P型)ベース抵抗領域、3……コンタクト
、4……外部端子接続配線、4a,4b,4c,
4d……外部端子接続配線の幅広部、5……フイ
ールド絶縁膜(SiO2)、6……P型高濃度素
子分離領域、7……チヤネル・ストツパー。
施例を示す寄生MOSトランジスタ形成領域を含
む部分平面図、第2図aおよびbは本考案の他の
実施例を示す寄生MOSトランジスタ形成領域を
含む平面図、第3図aおよびbはそれぞれ従来半
導体集積回路装置の部分平面図およびそのA―A
′断面図、第4図は静電気を発生する人体モデル
の等価回路図である。 1……N型エピタキシヤル層、2,2a,2b
……(P型)ベース抵抗領域、3……コンタクト
、4……外部端子接続配線、4a,4b,4c,
4d……外部端子接続配線の幅広部、5……フイ
ールド絶縁膜(SiO2)、6……P型高濃度素
子分離領域、7……チヤネル・ストツパー。
Claims (1)
- 一つの不純物拡散層から取出される外部端子接
続配線が絶縁膜を介し前記一つの不純物拡散層と
同一導電型の他の不純物拡散層上を通過する布線
構造を備える半導体集積回路装置において、前記
外部端子接続配線の線幅が少なくとも前記2つの
不純物拡散層を跨ぐ領域において前記半導体集積
回路装置に要求される電気的特性を満足するに必
要な線幅以上の広幅に設定されることを特徴とす
る半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5361487U JPS63159840U (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5361487U JPS63159840U (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63159840U true JPS63159840U (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=30879845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5361487U Pending JPS63159840U (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63159840U (ja) |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP5361487U patent/JPS63159840U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63159840U (ja) | ||
JPS63162538U (ja) | ||
JPS63127152U (ja) | ||
JPS63177052U (ja) | ||
JPH0377463U (ja) | ||
JPS63131152U (ja) | ||
JPH0691199B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6118344B2 (ja) | ||
JPS6235558A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0241456U (ja) | ||
JPS61114854U (ja) | ||
JPH0195763U (ja) | ||
JPH01123365U (ja) | ||
JPS62216270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02138447U (ja) | ||
JPH0197567U (ja) | ||
JPH0345661U (ja) | ||
JPS61188367U (ja) | ||
JPS6217154U (ja) | ||
JPS60137450U (ja) | 半導体抵抗装置 | |
JPS648737U (ja) | ||
JPH02206126A (ja) | バイポーラ型半導体集積回路装置 | |
JPS6237943U (ja) | ||
JPS63234561A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61168650U (ja) |