JPS61188367U - - Google Patents

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JPS61188367U
JPS61188367U JP7230485U JP7230485U JPS61188367U JP S61188367 U JPS61188367 U JP S61188367U JP 7230485 U JP7230485 U JP 7230485U JP 7230485 U JP7230485 U JP 7230485U JP S61188367 U JPS61188367 U JP S61188367U
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JP
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electrode
semiconductor
region
conductivity type
mos transistor
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JP7230485U
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は、本発明の一実施例で、a
は平面図、bはaのAA′線断面図、cはBB′
線断面図、第2図においてaは平面図、bはAA
′線断面図、第3図は従来構造の半導体素子の断
面図、第4図はキンクが発生した場合のドレイン
電圧―ドレイン電流特性図、第5図は従来構造の
半導体素子の断面図である。 1……絶縁基板、2……p型シリコンチヤネル
層、3……n型ソース領域、4……n型ドレ
イン領域、5……絶縁膜、6……ゲート電極、7
……ソース電極、8……ドレイン電極、9……P
型ドレイン領域、10……ソースあるいはドレイ
ン電極、11……ドレインあるいはソース電極、
12……PN接合、13……誘電体絶縁層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁膜あるいは絶縁基板上に形成された第1の
    導電型を有する第1の半導体層に第1の導電型と
    反対導電型を有する対向する2つの第2の半導体
    領域を有するソース領域、ドレイン領域を有し、
    またソース領域・ドレイン領域間の第1の半導体
    領域に絶縁膜を介してゲート電極を有し、上記の
    第2半導体領域の一方が電極を介在して第1の半
    導体領域と接続された構造を有し、もう一方の第
    2の半導体領域によつて分離された第1の半導体
    領域と同じ導電型を有する第3の半導体領域に電
    極がオーミツク接触した構造を有するMOS型ト
    ランジスタがこれと同一構造を持ち上記のMOS
    型トランジスタと絶縁分離されたMOS型トラン
    ジスタが電極構造において、一方のMOS型トラ
    ンジスタの第2の半導体領域に接触した電極とも
    う一方のMOS型トランジスタの第3の半導体に
    接触した電極が同一電極として互いに並列接続さ
    れた構造を特徴とする薄膜半導体素子。
JP7230485U 1985-05-17 1985-05-17 Pending JPS61188367U (ja)

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