JPS61188367U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS61188367U JPS61188367U JP7230485U JP7230485U JPS61188367U JP S61188367 U JPS61188367 U JP S61188367U JP 7230485 U JP7230485 U JP 7230485U JP 7230485 U JP7230485 U JP 7230485U JP S61188367 U JPS61188367 U JP S61188367U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor
- region
- conductivity type
- mos transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図及び第２図は、本発明の一実施例で、ａ
は平面図、ｂはａのＡＡ′線断面図、ｃはＢＢ′
線断面図、第２図においてａは平面図、ｂはＡＡ
′線断面図、第３図は従来構造の半導体素子の断
面図、第４図はキンクが発生した場合のドレイン
電圧―ドレイン電流特性図、第５図は従来構造の
半導体素子の断面図である。 １……絶縁基板、２……ｐ型シリコンチヤネル
層、３……ｎ＋型ソース領域、４……ｎ＋型ドレ
イン領域、５……絶縁膜、６……ゲート電極、７
……ソース電極、８……ドレイン電極、９……Ｐ
型ドレイン領域、１０……ソースあるいはドレイ
ン電極、１１……ドレインあるいはソース電極、
１２……ＰＮ接合、１３……誘電体絶縁層。
は平面図、ｂはａのＡＡ′線断面図、ｃはＢＢ′
線断面図、第２図においてａは平面図、ｂはＡＡ
′線断面図、第３図は従来構造の半導体素子の断
面図、第４図はキンクが発生した場合のドレイン
電圧―ドレイン電流特性図、第５図は従来構造の
半導体素子の断面図である。 １……絶縁基板、２……ｐ型シリコンチヤネル
層、３……ｎ＋型ソース領域、４……ｎ＋型ドレ
イン領域、５……絶縁膜、６……ゲート電極、７
……ソース電極、８……ドレイン電極、９……Ｐ
型ドレイン領域、１０……ソースあるいはドレイ
ン電極、１１……ドレインあるいはソース電極、
１２……ＰＮ接合、１３……誘電体絶縁層。
Claims (1)
- 絶縁膜あるいは絶縁基板上に形成された第１の
導電型を有する第１の半導体層に第１の導電型と
反対導電型を有する対向する２つの第２の半導体
領域を有するソース領域、ドレイン領域を有し、
またソース領域・ドレイン領域間の第１の半導体
領域に絶縁膜を介してゲート電極を有し、上記の
第２半導体領域の一方が電極を介在して第１の半
導体領域と接続された構造を有し、もう一方の第
２の半導体領域によつて分離された第１の半導体
領域と同じ導電型を有する第３の半導体領域に電
極がオーミツク接触した構造を有するＭＯＳ型ト
ランジスタがこれと同一構造を持ち上記のＭＯＳ
型トランジスタと絶縁分離されたＭＯＳ型トラン
ジスタが電極構造において、一方のＭＯＳ型トラ
ンジスタの第２の半導体領域に接触した電極とも
う一方のＭＯＳ型トランジスタの第３の半導体に
接触した電極が同一電極として互いに並列接続さ
れた構造を特徴とする薄膜半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230485U JPS61188367U (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230485U JPS61188367U (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188367U true JPS61188367U (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=30610593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230485U Pending JPS61188367U (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61188367U (ja) |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP7230485U patent/JPS61188367U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03157974A (ja) | 縦型電界効果トランジスタ | |
| JPS6252469B2 (ja) | ||
| JPS61188367U (ja) | ||
| JPS56126977A (en) | Junction type field effect transistor | |
| JPS6218056Y2 (ja) | ||
| JPS6260049U (ja) | ||
| JPS5793562A (en) | Semiconductor device | |
| JPS61162067U (ja) | ||
| JPH0377463U (ja) | ||
| EP0409370A3 (en) | Bipolar transistor | |
| JPS62196358U (ja) | ||
| JPS6359349U (ja) | ||
| JPH01104049U (ja) | ||
| JPH01123365U (ja) | ||
| JPH0241456U (ja) | ||
| JPH0180959U (ja) | ||
| JPH0197567U (ja) | ||
| JPH0158960U (ja) | ||
| JPH0345661U (ja) | ||
| JPS6395255U (ja) | ||
| JPS6221557U (ja) | ||
| JPH0669508A (ja) | 二重拡散型の電界効果トランジスタ | |
| JPS62170649U (ja) | ||
| JPH02137054U (ja) | ||
| JPH0238741U (ja) |