JPS63177052U - - Google Patents

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JPS63177052U
JPS63177052U JP6630187U JP6630187U JPS63177052U JP S63177052 U JPS63177052 U JP S63177052U JP 6630187 U JP6630187 U JP 6630187U JP 6630187 U JP6630187 U JP 6630187U JP S63177052 U JPS63177052 U JP S63177052U
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JP
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trench
conductivity type
semiconductor substrate
impurity diffusion
film
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JP6630187U
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【図面の簡単な説明】
第１図Ａ〜Ｆは本考案の半導体装置を得るため
の製造方法を示し、第２図、第３図は従来の半導
体装置を示す。 １……素子分離用絶縁膜、２……ｐ型不純物拡
散層、３……Ｎ型不純物拡散層、４……層間絶縁
膜、５……金属配線、６……パツシベーシヨン膜
、７……Ｐ型基板、８……酸化膜、９……窒化シ
リコン膜、１０，１２……レジスト膜、１１……
多結晶Ｓｉ膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板内に形成されたトレンチ
    と、そのトレンチに接して当該半導体基板内に形
    成された一導電型の高濃度不純物拡散領域と、当
    該トレンチ内に形成された絶縁体から構成される
    半導体装置。
JP6630187U 1987-05-01 1987-05-01 Pending JPS63177052U (ja)

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JP6630187U JPS63177052U (ja) 1987-05-01 1987-05-01

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JP6630187U JPS63177052U (ja) 1987-05-01 1987-05-01

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JPS63177052U true JPS63177052U (ja) 1988-11-16

Family

ID=30904180

Family Applications (1)

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JP6630187U Pending JPS63177052U (ja) 1987-05-01 1987-05-01

Country Status (1)

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JP (1) JPS63177052U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0964165A (ja) * 1995-08-30 1997-03-07 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2008153685A (ja) * 2001-05-18 2008-07-03 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0964165A (ja) * 1995-08-30 1997-03-07 Nec Corp 半導体装置の製造方法
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