JPH0365258U - - Google Patents
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- JPH0365258U JPH0365258U JP12586889U JP12586889U JPH0365258U JP H0365258 U JPH0365258 U JP H0365258U JP 12586889 U JP12586889 U JP 12586889U JP 12586889 U JP12586889 U JP 12586889U JP H0365258 U JPH0365258 U JP H0365258U
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２
図は従来の半導体装置の断面図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２……Ｎ型ウエル、
３……フイールド酸化膜、４，５……溝、６……
酸化シリコン膜、７……Ｎ型拡散領域、８……Ｎ
型コンタクト層、９……Ｐ型拡散領域、１０……
Ｐ型コンタクト層、１１……アルミニウム配線、
１２……保護膜。
図は従来の半導体装置の断面図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２……Ｎ型ウエル、
３……フイールド酸化膜、４，５……溝、６……
酸化シリコン膜、７……Ｎ型拡散領域、８……Ｎ
型コンタクト層、９……Ｐ型拡散領域、１０……
Ｐ型コンタクト層、１１……アルミニウム配線、
１２……保護膜。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板に設けた逆導電型のウエル
と、前記ウエル及び前記ウエル以外の領域のそれ
ぞれに設けた素子領域を有する半導体装置におい
て、前記ウエル及び前記ウエル以外の領域のそれ
ぞれに設けた溝と、前記ウエルに設けた前記溝の
底部及び壁面に逆導電型の不純物を導入して設け
た第１のコンタクト層と、前記ウエル以外の領域
に設けた溝の底部及び壁面に一導電型の不純物を
導入して設けた第２のコンタクト層を有すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12586889U JPH0365258U (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12586889U JPH0365258U (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365258U true JPH0365258U (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=31673719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12586889U Pending JPH0365258U (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0365258U (ja) |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP12586889U patent/JPH0365258U/ja active Pending