JPS6194361U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6194361U JPS6194361U JP18024884U JP18024884U JPS6194361U JP S6194361 U JPS6194361 U JP S6194361U JP 18024884 U JP18024884 U JP 18024884U JP 18024884 U JP18024884 U JP 18024884U JP S6194361 U JPS6194361 U JP S6194361U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal electrode
- barrier metal
- semiconductor substrate
- conductivity type
- junction region
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図は本考案のシヨツトキーバイアダイオー
ドを示す断面図、第2図は従来のシヨツトキーバ
リアダイオーデを示す断面図である。 主な図番の説明、1はシヨツトキーバリアダイ
オード、2はN型のシリコン基板、3はN型のエ
ピタキシヤル層、4はシリコン酸化膜、5はP+
型のガードリング、6はシヨツトキー接合領域、
7はバリアメタル電極である。
ドを示す断面図、第2図は従来のシヨツトキーバ
リアダイオーデを示す断面図である。 主な図番の説明、1はシヨツトキーバリアダイ
オード、2はN型のシリコン基板、3はN型のエ
ピタキシヤル層、4はシリコン酸化膜、5はP+
型のガードリング、6はシヨツトキー接合領域、
7はバリアメタル電極である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と該半導体基板表面に接
触するバリアメタル電極と該バリアメタル電極の
周縁に対応して設けられた逆導電型のガードリン
グと前記バリアメタル電極が前記半導体基板と接
触しない領域に設けた絶縁膜とを具備するシヨツ
トキーバリアダイオードにおいて前記半導体基板
上に積層した一導電型のエピタキシヤル層と、前
記バリアメタル電極と前記エピタキシヤル層の接
合領域および前記バリアメタル電極と前記逆導電
型のガードリングの接合領域とを含むシヨツトキ
ー接合領域の周囲よりくぼんでいる前記シヨツト
キー接合領域とを備えることを特徴としたシヨツ
トキーバリアダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18024884U JPS6194361U (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18024884U JPS6194361U (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6194361U true JPS6194361U (ja) | 1986-06-18 |
Family
ID=30737806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18024884U Pending JPS6194361U (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6194361U (ja) |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP18024884U patent/JPS6194361U/ja active Pending