JPS6194361U - - Google Patents

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JPS6194361U
JPS6194361U JP18024884U JP18024884U JPS6194361U JP S6194361 U JPS6194361 U JP S6194361U JP 18024884 U JP18024884 U JP 18024884U JP 18024884 U JP18024884 U JP 18024884U JP S6194361 U JPS6194361 U JP S6194361U
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JP
Japan
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metal electrode
barrier metal
semiconductor substrate
conductivity type
junction region
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JP18024884U
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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案のシヨツトキーバイアダイオー
ドを示す断面図、第2図は従来のシヨツトキーバ
リアダイオーデを示す断面図である。 主な図番の説明、1はシヨツトキーバリアダイ
オード、2はN型のシリコン基板、3はN型のエ
ピタキシヤル層、4はシリコン酸化膜、5はP
型のガードリング、6はシヨツトキー接合領域、
7はバリアメタル電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と該半導体基板表面に接
    触するバリアメタル電極と該バリアメタル電極の
    周縁に対応して設けられた逆導電型のガードリン
    グと前記バリアメタル電極が前記半導体基板と接
    触しない領域に設けた絶縁膜とを具備するシヨツ
    トキーバリアダイオードにおいて前記半導体基板
    上に積層した一導電型のエピタキシヤル層と、前
    記バリアメタル電極と前記エピタキシヤル層の接
    合領域および前記バリアメタル電極と前記逆導電
    型のガードリングの接合領域とを含むシヨツトキ
    ー接合領域の周囲よりくぼんでいる前記シヨツト
    キー接合領域とを備えることを特徴としたシヨツ
    トキーバリアダイオード。
JP18024884U 1984-11-28 1984-11-28 Pending JPS6194361U (ja)

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JP18024884U JPS6194361U (ja) 1984-11-28 1984-11-28

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JP18024884U JPS6194361U (ja) 1984-11-28 1984-11-28

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JPS6194361U true JPS6194361U (ja) 1986-06-18

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JP18024884U Pending JPS6194361U (ja) 1984-11-28 1984-11-28

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