JPS62103269U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62103269U JPS62103269U JP19510185U JP19510185U JPS62103269U JP S62103269 U JPS62103269 U JP S62103269U JP 19510185 U JP19510185 U JP 19510185U JP 19510185 U JP19510185 U JP 19510185U JP S62103269 U JPS62103269 U JP S62103269U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier metal
- contact hole
- semiconductor device
- aluminum
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の半導体装置の断面
図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３図
は本考案の半導体装置の製造方法の説明図、第４
図は本考案の他の実施例の断面図である。 １０……半導体基体、２０……ｐｎ接合、３０
……酸化膜、４０……バリヤー金属、５０……ア
ルミニウム、６０……アロイスパイク、７０……
酸化膜。
図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３図
は本考案の半導体装置の製造方法の説明図、第４
図は本考案の他の実施例の断面図である。 １０……半導体基体、２０……ｐｎ接合、３０
……酸化膜、４０……バリヤー金属、５０……ア
ルミニウム、６０……アロイスパイク、７０……
酸化膜。
Claims (1)
- 少なく共アルミニウムを主成分とする配線材料
とバリヤー金属からなる電極に於いて、コンタク
ト孔の側面にコンタクト孔の周辺のバリヤー金属
を覆う如く絶縁膜を設けたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19510185U JPS62103269U (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19510185U JPS62103269U (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103269U true JPS62103269U (ja) | 1987-07-01 |
Family
ID=31152680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19510185U Pending JPS62103269U (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103269U (ja) |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP19510185U patent/JPS62103269U/ja active Pending