JPH0348247U - - Google Patents
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- JPH0348247U JPH0348247U JP10990389U JP10990389U JPH0348247U JP H0348247 U JPH0348247 U JP H0348247U JP 10990389 U JP10990389 U JP 10990389U JP 10990389 U JP10990389 U JP 10990389U JP H0348247 U JPH0348247 U JP H0348247U
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- JP
- Japan
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- electrode wiring
- semiconductor device
- wiring
- insulating film
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例の半導体装置の縦断
面図、第2図は本考案の他の実施例の多層配線構
造の半導体装置の縦断面図、第3図は従来の半導
体装置の縦断面図である。 1……半導体基板、2……フイールド酸化膜、
3……テーパー付電極配線、4……表面保護膜、
5……テーパー付第1層電極配線、6……層間絶
縁膜、7……第2層電極配線、8……テーパーな
し電極配線。
面図、第2図は本考案の他の実施例の多層配線構
造の半導体装置の縦断面図、第3図は従来の半導
体装置の縦断面図である。 1……半導体基板、2……フイールド酸化膜、
3……テーパー付電極配線、4……表面保護膜、
5……テーパー付第1層電極配線、6……層間絶
縁膜、7……第2層電極配線、8……テーパーな
し電極配線。
Claims (1)
- 半導体基板上に設けられた電極配線表面が絶縁
膜でおおわれている半導体装置において、前記電
極配線の端部は該配線の底面が上面より幅広くな
るようにテーパーを有することを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10990389U JPH0348247U (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10990389U JPH0348247U (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0348247U true JPH0348247U (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=31658462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10990389U Pending JPH0348247U (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0348247U (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4948280A (ja) * | 1972-09-08 | 1974-05-10 | ||
JPS554970A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of electrode or wiring layer on substrate |
JPS63202953A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS63299140A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH01100924A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Seiko Epson Corp | アクティプマトリクス基板の製造方法 |
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JPH01235353A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH02250316A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP10990389U patent/JPH0348247U/ja active Pending
Patent Citations (8)
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