JPH01116449U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01116449U JPH01116449U JP1153288U JP1153288U JPH01116449U JP H01116449 U JPH01116449 U JP H01116449U JP 1153288 U JP1153288 U JP 1153288U JP 1153288 U JP1153288 U JP 1153288U JP H01116449 U JPH01116449 U JP H01116449U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- silicon substrate
- hole
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
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- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図ａ，ｂ，ｃは、本考案の実施例を示す加
工過程における要部拡大断面図であり、第１図ａ
は１層目配線並びに電極を設けた状態、第１図ｂ
は絶縁層を形成した状態、第１図ｃは２層目配線
を設けた完成状態を示す。第２図は、従来例を示
す要部拡大断面図、第３図は、他の従来例を示す
要部拡大断面図である。 １……１層目配線、２……２層目配線、３……
シリコン基板、４……有機絶縁物、５……酸化膜
、６……電極、Ａ，Ｂ……スルーホール。
工過程における要部拡大断面図であり、第１図ａ
は１層目配線並びに電極を設けた状態、第１図ｂ
は絶縁層を形成した状態、第１図ｃは２層目配線
を設けた完成状態を示す。第２図は、従来例を示
す要部拡大断面図、第３図は、他の従来例を示す
要部拡大断面図である。 １……１層目配線、２……２層目配線、３……
シリコン基板、４……有機絶縁物、５……酸化膜
、６……電極、Ａ，Ｂ……スルーホール。
Claims (1)
- 有機絶縁物を層間絶縁膜とした多層配線構造の
半導体集積回路において、シリコン基板或はシリ
コン基板表面の酸化膜上にデバイス特性に影響の
ない電極を設けると共に、該電極上の有機絶縁膜
にスルーホールを形成し、２層目配線と該電極と
を接合させたことを特徴とする半導体集積回路の
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153288U JPH01116449U (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153288U JPH01116449U (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01116449U true JPH01116449U (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=31220171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1153288U Pending JPH01116449U (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01116449U (ja) |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP1153288U patent/JPH01116449U/ja active Pending