JPH0513591A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0513591A JPH0513591A JP16414491A JP16414491A JPH0513591A JP H0513591 A JPH0513591 A JP H0513591A JP 16414491 A JP16414491 A JP 16414491A JP 16414491 A JP16414491 A JP 16414491A JP H0513591 A JPH0513591 A JP H0513591A
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- JP
- Japan
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- wiring
- metal wiring
- semiconductor device
- layer wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線間の接続抵抗を小さくした半導体装
置を得ることを目的とする。 【構成】 多層配線を有する半導体装置であって、上層
配線（第２金属配線）８と下層配線（第１金属配線）６
の層間連絡孔を開ける時に、下層配線６の上面６ａと側
面６ｂが露出するように開け、その後、上層配線８を、
下層配線６の上面６ａと側面６ｂに接触して接続するよ
うに形成することを特徴としている。
置を得ることを目的とする。 【構成】 多層配線を有する半導体装置であって、上層
配線（第２金属配線）８と下層配線（第１金属配線）６
の層間連絡孔を開ける時に、下層配線６の上面６ａと側
面６ｂが露出するように開け、その後、上層配線８を、
下層配線６の上面６ａと側面６ｂに接触して接続するよ
うに形成することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）は従来の半導体装置を示す断
面図であり、この図において、１はシリコン基板、２は
素子分離膜、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５は
絶縁膜、６は第１金属配線、７は層間絶縁膜、８は第２
金属配線である。
面図であり、この図において、１はシリコン基板、２は
素子分離膜、３はゲート酸化膜、４はゲート電極、５は
絶縁膜、６は第１金属配線、７は層間絶縁膜、８は第２
金属配線である。
【０００３】次に、製造方法について説明する。シリコ
ン基板１上に素子分離膜２を形成し、素子領域にゲート
酸化膜３およびゲート電極４を形成して素子を作成す
る。その後、絶縁膜５を形成し、シリコン基板１と、ゲ
ート電極４のそれぞれの連絡孔をエッチングによって開
け、第１金属配線（下層配線）６を形成する。その後、
層間絶縁膜７を形成し、第１金属配線６との層間連絡孔
をエッチングによって開け、第２金属配線（上層配線）
８を形成する。これにより、多層配線を形成する。この
時、第１金属配線６と第２金属配線８との接続面積Ｓ2
は、層間連絡孔の半径をｒとすると、図３（ｂ）に示す
ように、 Ｓ2 ＝πｒ2 となる。
ン基板１上に素子分離膜２を形成し、素子領域にゲート
酸化膜３およびゲート電極４を形成して素子を作成す
る。その後、絶縁膜５を形成し、シリコン基板１と、ゲ
ート電極４のそれぞれの連絡孔をエッチングによって開
け、第１金属配線（下層配線）６を形成する。その後、
層間絶縁膜７を形成し、第１金属配線６との層間連絡孔
をエッチングによって開け、第２金属配線（上層配線）
８を形成する。これにより、多層配線を形成する。この
時、第１金属配線６と第２金属配線８との接続面積Ｓ2
は、層間連絡孔の半径をｒとすると、図３（ｂ）に示す
ように、 Ｓ2 ＝πｒ2 となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、層間連絡孔の半径が小
さくなってくると、上層配線８と下層配線６の接続面積
が小さくなってきて、接続抵抗が大きくなるなどの問題
点があった。
上のように構成されているので、層間連絡孔の半径が小
さくなってくると、上層配線８と下層配線６の接続面積
が小さくなってきて、接続抵抗が大きくなるなどの問題
点があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、層間連絡孔の半径が小さくなっ
ても、上層配線と下層配線間の接続抵抗を小さくできる
半導体装置を得ることを目的としている。
ためになされたもので、層間連絡孔の半径が小さくなっ
ても、上層配線と下層配線間の接続抵抗を小さくできる
半導体装置を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、多層配線の上層配線と下層配線間の接続を、前記下
層配線の上面と側面を使って上層配線と接続したもので
ある。
は、多層配線の上層配線と下層配線間の接続を、前記下
層配線の上面と側面を使って上層配線と接続したもので
ある。
【０００７】
【作用】本発明における半導体装置は、層間連絡孔を通
して上層配線と下層配線を接続する時に、下層配線の上
面と側面を使用して上層配線を接続したことから、接続
抵抗が小さくなる。
して上層配線と下層配線を接続する時に、下層配線の上
面と側面を使用して上層配線を接続したことから、接続
抵抗が小さくなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１（ａ）は本発明の半導体装置の一実施例を示す
断面図である。この図において、１〜８は図３と同じも
のであり、６ａは前記第１金属配線６の上面で、その一
部を示し、６ｂは同じく側面であり、第２金属配線８は
これら両面６ａ，６ｂの大きな接触面積に接触して第１
金属配線６と接続される。
る。図１（ａ）は本発明の半導体装置の一実施例を示す
断面図である。この図において、１〜８は図３と同じも
のであり、６ａは前記第１金属配線６の上面で、その一
部を示し、６ｂは同じく側面であり、第２金属配線８は
これら両面６ａ，６ｂの大きな接触面積に接触して第１
金属配線６と接続される。
【０００９】次に製造方法について説明する。層間絶縁
膜７を形成するまでは、従来技術と同様である。上層配
線（第２金属配線）８と下層配線（第１金属配線）６の
層間連絡孔を開けるとき、従来は図３に示すように下層
配線６の上面のみが開口するようにエッチングしていた
が、本発明では、図１のように層間連絡孔をずらし、下
層配線６の上面６ａと側面６ｂが開孔するようにエッチ
ングする。その後、上層配線８と下層配線６の上面と側
面とに接触させて接続するように形成する。
膜７を形成するまでは、従来技術と同様である。上層配
線（第２金属配線）８と下層配線（第１金属配線）６の
層間連絡孔を開けるとき、従来は図３に示すように下層
配線６の上面のみが開口するようにエッチングしていた
が、本発明では、図１のように層間連絡孔をずらし、下
層配線６の上面６ａと側面６ｂが開孔するようにエッチ
ングする。その後、上層配線８と下層配線６の上面と側
面とに接触させて接続するように形成する。
【００１０】この時、第１金属配線６と第２金属配線８
の接続面積Ｓ1 は、図１（ｂ）に示すように、 Ｓ1 ＝１／２πｒ2 ＋２ｒｔ となる。例えば、ｒ＝０．４μｍ，ｔ＝０．５μｍとす
ると、Ｓ1 ＝０．６５μｍ2 で従来のＳ2 ＝０．５μｍ
2 より１．３倍の接続面積が得られる。
の接続面積Ｓ1 は、図１（ｂ）に示すように、 Ｓ1 ＝１／２πｒ2 ＋２ｒｔ となる。例えば、ｒ＝０．４μｍ，ｔ＝０．５μｍとす
ると、Ｓ1 ＝０．６５μｍ2 で従来のＳ2 ＝０．５μｍ
2 より１．３倍の接続面積が得られる。
【００１１】なお、上記実施例では、２層配線について
示したが、３層配線以上に用いてもよい。また、上記実
施例では、多層配線として金属配線の例を示したが、こ
れに限らず多結晶シリコン配線を用いてもよい。
示したが、３層配線以上に用いてもよい。また、上記実
施例では、多層配線として金属配線の例を示したが、こ
れに限らず多結晶シリコン配線を用いてもよい。
【００１２】図２に３層配線の例を示す。図２におい
て、１〜８は図１と同じものであり、９は第２層間絶縁
膜、１０は第３金属配線である。この例は、第１金属配
線６と第２金属配線８と第３金属配線１０を同時に接続
する場合を示す。また、上記実施例のように、３層配線
のうち３層同時に接続する場合に限らず、第３金属配線
１０と第１金属配線６のみを接続する場合であってもよ
いし、第３金属配線１０と第２金属配線８のみを接続す
る場合であってもよい。
て、１〜８は図１と同じものであり、９は第２層間絶縁
膜、１０は第３金属配線である。この例は、第１金属配
線６と第２金属配線８と第３金属配線１０を同時に接続
する場合を示す。また、上記実施例のように、３層配線
のうち３層同時に接続する場合に限らず、第３金属配線
１０と第１金属配線６のみを接続する場合であってもよ
いし、第３金属配線１０と第２金属配線８のみを接続す
る場合であってもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
多層配線間の接続で、下層配線の上面と側面に接触して
上層配線を接続するように構成したので、接続抵抗を小
さくできる効果がある。
多層配線間の接続で、下層配線の上面と側面に接触して
上層配線を接続するように構成したので、接続抵抗を小
さくできる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置と接続面積
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す半導体装置の断面図
である。
である。
【図３】従来の半導体装置と接続面積を示す図である。
１ シリコン基板 ２ 素子分離膜 ３ ゲート酸化膜 ４ ゲート電極 ５ 絶縁膜 ６ 第１金属配線 ７ 層間絶縁膜 ８ 第２金属配線 ９ 第２層間絶縁膜 １０ 第３金属配線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】層間連絡孔を介して上層配線と下層配線を
接続する多層配線構造の半導体装置において、前記下層
配線の上面と側面に接触して上層配線を接続したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16414491A JPH0513591A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16414491A JPH0513591A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513591A true JPH0513591A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15787587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16414491A Pending JPH0513591A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513591A (ja) |
-
1991
- 1991-07-04 JP JP16414491A patent/JPH0513591A/ja active Pending
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