JPS58191449A - 多層配線構造 - Google Patents
多層配線構造Info
- Publication number
- JPS58191449A JPS58191449A JP7401782A JP7401782A JPS58191449A JP S58191449 A JPS58191449 A JP S58191449A JP 7401782 A JP7401782 A JP 7401782A JP 7401782 A JP7401782 A JP 7401782A JP S58191449 A JPS58191449 A JP S58191449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- polycrystalline
- contact
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層配線構造に関する。
従来、多結晶シリコン配線上に層間絶縁膜をはさみ、該
層間絶縁膜に開けられた多結晶シリコン配線上のコンタ
クト穴を介して層間絶縁膜上にアルｉ ニウム配線を施
す多層配線構造においては、コンタクト穴部に於ては多
結晶シリコン配線の表面のみとアルミニウム配線が接す
るｌ１ｌＩ造となっていた。
層間絶縁膜に開けられた多結晶シリコン配線上のコンタ
クト穴を介して層間絶縁膜上にアルｉ ニウム配線を施
す多層配線構造においては、コンタクト穴部に於ては多
結晶シリコン配線の表面のみとアルミニウム配線が接す
るｌ１ｌＩ造となっていた。
しかし、上記従来技術では、例えばアルミニウム配線と
多結晶シリコン配線のコンタクト部面積が２主りロン×
２ミクロンの場合、２５０程度の接触抵抗であったもの
が、コンタクト部面積を１ミクロン×１ミクロンにした
場合、接触抵抗は１００Ωに京で高くなり、電気回路配
線としての多層配線の配線抵抗が実質的に高くなり、電
気回路のスイッチング速度の遅延を来たすという欠点が
あった。
多結晶シリコン配線のコンタクト部面積が２主りロン×
２ミクロンの場合、２５０程度の接触抵抗であったもの
が、コンタクト部面積を１ミクロン×１ミクロンにした
場合、接触抵抗は１００Ωに京で高くなり、電気回路配
線としての多層配線の配線抵抗が実質的に高くなり、電
気回路のスイッチング速度の遅延を来たすという欠点が
あった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくシ、小面積で且つ
接触抵抗の小なる多結晶シリコン配線とアルミニウム配
線の多層配線構造を提供することを目的とする。
接触抵抗の小なる多結晶シリコン配線とアルミニウム配
線の多層配線構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、多
層配線構造においてシリコン基板上に形成された絶縁膜
上に多結晶シリコン配置ｔ形成し、該多結晶シリコン配
線上に形成された層間絶縁膜上に層間絶縁膜に開けられ
たコンタクト穴を介してアルミニウム配線を形成する異
種金属の多層配線構造において、層間絶縁膜に開けられ
たコンタクト穴部においては、多結晶シリコン配線の上
面のみならず側面も露出させ、該露出多結晶シリコン配
線の上面のみならず側面も露出させ、該露出多結晶シリ
コン配線層等下地配線層の少なくとも側面を含む表面部
分と上部アルミニウム配線とが接して成ることを特徴と
する。
層配線構造においてシリコン基板上に形成された絶縁膜
上に多結晶シリコン配置ｔ形成し、該多結晶シリコン配
線上に形成された層間絶縁膜上に層間絶縁膜に開けられ
たコンタクト穴を介してアルミニウム配線を形成する異
種金属の多層配線構造において、層間絶縁膜に開けられ
たコンタクト穴部においては、多結晶シリコン配線の上
面のみならず側面も露出させ、該露出多結晶シリコン配
線の上面のみならず側面も露出させ、該露出多結晶シリ
コン配線層等下地配線層の少なくとも側面を含む表面部
分と上部アルミニウム配線とが接して成ることを特徴と
する。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による多層配線構造の断面図であり、第
２図はその平面図である。８１基板１０表面にはＮ＋拡
散配線層２が形成され、８１基板１上に形成された絶縁
膜３上に形成された多結晶Ｓ１配線層４，１２とはコン
タクト穴１１を通して接続されている。多結晶Ｓ１配線
層４上には層間絶縁膜５を介して、層間絶縁膜５に開け
られたコンタクト穴１３を通してアルミニウム配線層６
．１４と接続した多層配線構造となる。この場合、コン
タクト穴１５は多結晶ｓ１配線層１２の巾よりは大きく
穴開けされ、アルミニウム配線層６．１４とは多結晶Ｓ
１配線層の少なくとも側面を含む表面に於て接続して成
る。
２図はその平面図である。８１基板１０表面にはＮ＋拡
散配線層２が形成され、８１基板１上に形成された絶縁
膜３上に形成された多結晶Ｓ１配線層４，１２とはコン
タクト穴１１を通して接続されている。多結晶Ｓ１配線
層４上には層間絶縁膜５を介して、層間絶縁膜５に開け
られたコンタクト穴１３を通してアルミニウム配線層６
．１４と接続した多層配線構造となる。この場合、コン
タクト穴１５は多結晶ｓ１配線層１２の巾よりは大きく
穴開けされ、アルミニウム配線層６．１４とは多結晶Ｓ
１配線層の少なくとも側面を含む表面に於て接続して成
る。
この様に多結晶シリコン配線の側面を含む表面部分とア
ルミニウム配線とが接することにより、接触面積が増大
し、接触抵抗の小さな多層配線が小面積で得られる効果
がある。
ルミニウム配線とが接することにより、接触面積が増大
し、接触抵抗の小さな多層配線が小面積で得られる効果
がある。
本発明半導体基板上の多層配線に限らず他の多層配線に
も応用できる。
も応用できる。
第１図は本発明による多層配線構造の断面図であり、第
２図はその平面図である。 １−・−・・・基 板 ２・・・・・・拡散層５
・・・・・・絶縁膜 ４．１２・・・・・・多結晶シリコン配線層１１・・・
・・・コンタクト穴 ５・・・・・・・・・層間絶縁膜 １３・・・・・・コンタクト穴 ６．１４・・・・・・アルミニウム配線層以 上 出願人 株式会社諏ＵｊＭ工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２０
２図はその平面図である。 １−・−・・・基 板 ２・・・・・・拡散層５
・・・・・・絶縁膜 ４．１２・・・・・・多結晶シリコン配線層１１・・・
・・・コンタクト穴 ５・・・・・・・・・層間絶縁膜 １３・・・・・・コンタクト穴 ６．１４・・・・・・アルミニウム配線層以 上 出願人 株式会社諏ＵｊＭ工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２０
Claims (1)
- シリコン基板上に形成された絶縁膜上に多結晶シリスン
配線を形成し、該多結晶シリコン配線上に形成された層
間絶縁膜上に層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を介
してアルミニウム配線を形成する等異種金属の多層配線
構造において層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴部に
おいては、多結晶シリコン配線の上面のみならず側面も
露出させ、該露出多結晶シリコン配線層等下地配線層の
少なくとも側面を含む表面部分と上部アルミニウム配線
とが接して成ることを特徴とする多層配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7401782A JPS58191449A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 多層配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7401782A JPS58191449A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 多層配線構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191449A true JPS58191449A (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=13534911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7401782A Pending JPS58191449A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 多層配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58191449A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316836B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-11-13 | Nec Corporation | Semiconductor device interconnection structure |
| JP2013084969A (ja) * | 2005-02-03 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、モジュール、及び電子機器 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7401782A patent/JPS58191449A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316836B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-11-13 | Nec Corporation | Semiconductor device interconnection structure |
| JP2013084969A (ja) * | 2005-02-03 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、モジュール、及び電子機器 |
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