JPH01152648A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01152648A JPH01152648A JP31150787A JP31150787A JPH01152648A JP H01152648 A JPH01152648 A JP H01152648A JP 31150787 A JP31150787 A JP 31150787A JP 31150787 A JP31150787 A JP 31150787A JP H01152648 A JPH01152648 A JP H01152648A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 abstract 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多層配線を備えた半導体集積回路の新規な構造
に関する。
に関する。
従来の技術
半導体集積回路の集積度を向上させる為に多層配線構造
が多用されている。従来の多層配線の上下配線層間の接
続部は、第２図にその要部の断面図を示すように、シリ
コン基板１１上にシリコン酸化膜等からなる層間膜１２
を介して形成された第１のアルミ膜１３と、同第１のア
ルミ膜１３上に形成された絶縁膜１４と、絶縁膜１４に
開孔されたコンタクト孔１６と、コンタクト孔１６内お
よび絶縁膜１４上に形成された第２のアルミ膜１６とで
構成されている。
が多用されている。従来の多層配線の上下配線層間の接
続部は、第２図にその要部の断面図を示すように、シリ
コン基板１１上にシリコン酸化膜等からなる層間膜１２
を介して形成された第１のアルミ膜１３と、同第１のア
ルミ膜１３上に形成された絶縁膜１４と、絶縁膜１４に
開孔されたコンタクト孔１６と、コンタクト孔１６内お
よび絶縁膜１４上に形成された第２のアルミ膜１６とで
構成されている。
発明が解決しようとする問題点
従来構造の多層配線間接続部では第１アルミ膜１３と第
２アルミ膜１６がコンタクト孔１６内で直接接触してい
るが、アルミ膜は酸化されやすいため第１アルミ膜１３
と第２アルミ膜１６の間に絶縁性の高いアルミナ（Ａｌ
２Ｏ２）が形成されてコンタクト抵抗を増大させること
があった。このだめ、従来の多層配線構造では、第２ア
ルミ膜１６形成前に第１アルミ膜１３の表面のアルミナ
を除去する必要があった。しかしながら、アルミナの除
去工程は安定性が高くないので多層配線集積回路の製造
歩留を下げる要因となっていた。
２アルミ膜１６がコンタクト孔１６内で直接接触してい
るが、アルミ膜は酸化されやすいため第１アルミ膜１３
と第２アルミ膜１６の間に絶縁性の高いアルミナ（Ａｌ
２Ｏ２）が形成されてコンタクト抵抗を増大させること
があった。このだめ、従来の多層配線構造では、第２ア
ルミ膜１６形成前に第１アルミ膜１３の表面のアルミナ
を除去する必要があった。しかしながら、アルミナの除
去工程は安定性が高くないので多層配線集積回路の製造
歩留を下げる要因となっていた。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記欠点を解決するためになされたものであ
り、第１の金属膜と第２の金属膜からなる積層膜と、同
積層膜上に形成された絶縁膜と、同絶補膜に形成された
開孔部と、同開孔部内に形成された導電性を有する前記
第２の金属膜の酸化膜および第３の金属膜とで構成され
る配線接続部をそなえていることを特徴としている。
り、第１の金属膜と第２の金属膜からなる積層膜と、同
積層膜上に形成された絶縁膜と、同絶補膜に形成された
開孔部と、同開孔部内に形成された導電性を有する前記
第２の金属膜の酸化膜および第３の金属膜とで構成され
る配線接続部をそなえていることを特徴としている。
作 用
本発明の半導体装置では、第１の金属膜（アルミ膜）の
表面は第２の金属膜で被覆されているので、第１の金属
膜（アルミ膜）の表面にアルミナが形成されるのを防ぐ
ことが可能である。また、第２の金属膜はコンタクト孔
において化学的に安定な導電性を有する第２の金属膜の
酸化膜で覆われているので、第３の金属膜（アルミ膜）
との間にオーミックなコンタクトを形成することが容易
となる。
表面は第２の金属膜で被覆されているので、第１の金属
膜（アルミ膜）の表面にアルミナが形成されるのを防ぐ
ことが可能である。また、第２の金属膜はコンタクト孔
において化学的に安定な導電性を有する第２の金属膜の
酸化膜で覆われているので、第３の金属膜（アルミ膜）
との間にオーミックなコンタクトを形成することが容易
となる。
実施例
本発明の半導体装置を２層アルミ配線を有する半導体集
積回路に応用した時の一実施例を第１図の要部断面図に
示す。
積回路に応用した時の一実施例を第１図の要部断面図に
示す。
第１図は２層アルミ配線間の接続部を示したものであり
、集積回路を構成するトランジスタ、キャパシタ、抵抗
等は省略しである。
、集積回路を構成するトランジスタ、キャパシタ、抵抗
等は省略しである。
本発明の半導体装置はシリコン基板１上に酸化シリコン
膜やリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）からなる層間膜２を介
して形成された、厚さ約１μｍの第１アルミ膜３と厚さ
約０．３μｍのスズ膜（金属膜）４からなる下層の配線
層と、プラズマ励起ＣＶＤ法で形成された酸化シリコン
膜やチツ化シリコン膜からなる厚さ約０．８μｍの絶縁
膜６と、絶縁膜６に開孔されたコンタクト孔８と、コン
タクト孔８内に露出するスズ膜（金属膜）４に酸化処理
を施すことによって形成された導電性を有する厚さ約０
．２μｍの２酸化スズ膜（金属酸化膜）６と、同金属酸
化膜６および前記絶縁膜６上に形成された厚さ約１μｍ
の第２アルミ膜７とで構成される配線接続部を有してい
る。
膜やリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）からなる層間膜２を介
して形成された、厚さ約１μｍの第１アルミ膜３と厚さ
約０．３μｍのスズ膜（金属膜）４からなる下層の配線
層と、プラズマ励起ＣＶＤ法で形成された酸化シリコン
膜やチツ化シリコン膜からなる厚さ約０．８μｍの絶縁
膜６と、絶縁膜６に開孔されたコンタクト孔８と、コン
タクト孔８内に露出するスズ膜（金属膜）４に酸化処理
を施すことによって形成された導電性を有する厚さ約０
．２μｍの２酸化スズ膜（金属酸化膜）６と、同金属酸
化膜６および前記絶縁膜６上に形成された厚さ約１μｍ
の第２アルミ膜７とで構成される配線接続部を有してい
る。
第１図に示した本発明の配線接続部では第１アルミ膜３
と第２アルミ膜７が金属膜（スズ膜）４と金属酸化膜（
２酸化スズ膜）６を介して接続されている。
と第２アルミ膜７が金属膜（スズ膜）４と金属酸化膜（
２酸化スズ膜）６を介して接続されている。
２酸化スズ膜（Ｓｎ０２膜）６は導電性を有する金属酸
化膜なので第１アルミ膜３と第２アルミ膜 ・７間のコ
ンタクト抵抗が増大することはない。また、第１アルミ
膜３上はスズ膜（金属膜）４で覆われているので、２層
配線形成工程で第１アルミ膜３上に絶縁膜であるアルミ
が形成されることはない。
化膜なので第１アルミ膜３と第２アルミ膜 ・７間のコ
ンタクト抵抗が増大することはない。また、第１アルミ
膜３上はスズ膜（金属膜）４で覆われているので、２層
配線形成工程で第１アルミ膜３上に絶縁膜であるアルミ
が形成されることはない。
なお、本実施例では金属膜４としてスズ膜、金属酸化膜
６として２酸化スズ膜の場合を例示したが、金属酸化物
が導電性を示す金属であれば他の組合せ、例えば、金属
膜としてインジウム膜（Ｉｎ膜）、金属酸化膜として３
酸化インジウム膜（−０３膜）を適用することが可能な
のはもちろんである。
６として２酸化スズ膜の場合を例示したが、金属酸化物
が導電性を示す金属であれば他の組合せ、例えば、金属
膜としてインジウム膜（Ｉｎ膜）、金属酸化膜として３
酸化インジウム膜（−０３膜）を適用することが可能な
のはもちろんである。
発明の詳細
な説明したところから明らかなように、本発明の半導体
装置では、下側配線層と上側配線層とのコンタクト部に
接触抵抗の増大をもたらす絶縁性の高い被膜が形成され
ず、したがって良好な接続状態をもつ多層配線構造が実
現される。また、絶縁性被膜の除去が不要となるため、
製造歩留を高める効果も奏される。
装置では、下側配線層と上側配線層とのコンタクト部に
接触抵抗の増大をもたらす絶縁性の高い被膜が形成され
ず、したがって良好な接続状態をもつ多層配線構造が実
現される。また、絶縁性被膜の除去が不要となるため、
製造歩留を高める効果も奏される。
Claims (2)
- （１）第１の金属膜と第２の金属膜からなる積層膜と、
同積層膜上に形成された絶縁膜と、同絶縁膜に形成され
た開孔部と、同開孔部内に形成された前記第２の金属膜
の酸化膜および第３の金属膜とで構成される配線接続部
を具備することを特徴とする半導体装置。 - （２）前記第２の金属膜の酸化膜が導電性酸化膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31150787A JPH01152648A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31150787A JPH01152648A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152648A true JPH01152648A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18018067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31150787A Pending JPH01152648A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01152648A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10335452A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | コンタクトホールの形成方法 |
| US7750476B2 (en) | 1995-12-20 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a reliable contact |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP31150787A patent/JPH01152648A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7750476B2 (en) | 1995-12-20 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a reliable contact |
| JPH10335452A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | コンタクトホールの形成方法 |
| JP4663038B2 (ja) * | 1997-05-28 | 2011-03-30 | 三菱電機株式会社 | コンタクトホールの形成方法 |
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