JPH01152649A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01152649A JPH01152649A JP31150887A JP31150887A JPH01152649A JP H01152649 A JPH01152649 A JP H01152649A JP 31150887 A JP31150887 A JP 31150887A JP 31150887 A JP31150887 A JP 31150887A JP H01152649 A JPH01152649 A JP H01152649A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多層配Ｍを備えた半導体集積回路の新規な構造
に関する。
に関する。
従来の技術
半導体集積回路の集積度を向上させる為に多層配線構造
が多用されている。従来の多層配線の上、下層間の配線
接続部は、第２図にその要部の断面図を示すように、シ
リコン基板１１上にシリコン駿化膜等からなる層間膜１
２を介して形成された第１のアルミ膜１３と、同第１の
アルミ膜１３上に形成された絶縁膜１４と、絶縁膜１４
に形成されたコンタクト孔１６と、コンタクト孔１６内
および絶縁膜１４上に形成された第２のアルミ膜１６と
で構成されている。
が多用されている。従来の多層配線の上、下層間の配線
接続部は、第２図にその要部の断面図を示すように、シ
リコン基板１１上にシリコン駿化膜等からなる層間膜１
２を介して形成された第１のアルミ膜１３と、同第１の
アルミ膜１３上に形成された絶縁膜１４と、絶縁膜１４
に形成されたコンタクト孔１６と、コンタクト孔１６内
および絶縁膜１４上に形成された第２のアルミ膜１６と
で構成されている。
発明が解決しようとする問題点
従来構造の多層配線接続部では第１アルミ膜１３と第２
アルミ膜１６がコンタクト孔１６で直接接触しているが
、アルミ膜は酸化されやすいため、ｔｊＦＪ１アルミＭ
１３とＭＩＩ２アルミ膜１６膜間６アルミナ（Ａ４７２
ｏ３）が形成されてコンタクト抵抗が増大することがあ
った。
アルミ膜１６がコンタクト孔１６で直接接触しているが
、アルミ膜は酸化されやすいため、ｔｊＦＪ１アルミＭ
１３とＭＩＩ２アルミ膜１６膜間６アルミナ（Ａ４７２
ｏ３）が形成されてコンタクト抵抗が増大することがあ
った。
このため、従来の多層配線構造では、第２アルミ膜１６
形成前に第１アルミ膜１３表面のアルミナを除去する必
要があった。しかしながら、アルミナの除去工程は安定
性が高くないので多層配線集積回路の製造歩留を下げる
要因となっていた。
形成前に第１アルミ膜１３表面のアルミナを除去する必
要があった。しかしながら、アルミナの除去工程は安定
性が高くないので多層配線集積回路の製造歩留を下げる
要因となっていた。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記欠点を解決するためになされたものであ
シ、第１の金属膜と第２の金属膜と導電性を有する同第
２の金属膜の酸化膜とからなる積層膜と、同積層膜上に
形成された絶縁膜と、同絶縁膜に形成された開孔部と、
同開孔部に形成された第３の金属膜とで構成される配線
接続部をそなえていることを特徴としている。
シ、第１の金属膜と第２の金属膜と導電性を有する同第
２の金属膜の酸化膜とからなる積層膜と、同積層膜上に
形成された絶縁膜と、同絶縁膜に形成された開孔部と、
同開孔部に形成された第３の金属膜とで構成される配線
接続部をそなえていることを特徴としている。
作 用
本発明の半導体装置では、第１の金属膜（アルミ膜）の
−表面は第２の金属膜および導電性を有する第２の金属
膜の酸化膜で被覆されているので、第２の金属膜形成前
に第１の金属膜（アルミ膜）上にアルミナが形成される
のを防ぐことが可能である。
−表面は第２の金属膜および導電性を有する第２の金属
膜の酸化膜で被覆されているので、第２の金属膜形成前
に第１の金属膜（アルミ膜）上にアルミナが形成される
のを防ぐことが可能である。
実施例
本発明の半導体装置を２層アルミ配線を有する半導体集
積回路に応用した時の一実施例を第１図の要部断面図に
示す。
積回路に応用した時の一実施例を第１図の要部断面図に
示す。
第１図は上下層アルミ配線の接続部を示したものであシ
、集積回路を構成するトランジスタ、キャパシタ、抵抗
等は省略しである。
、集積回路を構成するトランジスタ、キャパシタ、抵抗
等は省略しである。
本発明の半導体装置はシリコン基板１上に酸化シリコン
膜やリンケイ酸ガラス（Ｐ８Ｇ）からなる層間膜２を介
して順次積層して形成された、厚さ約１μｍｏ４＠１ア
ルミ膜３と厚さ約０．２μｍのスズ膜４および厚さ約０
．２μ溝の２酸化スＸ５ｎ０２）膜６とからなる下層の
配線層と、プラズマ励起ＣＶＤ法で形成された酸化シリ
コン膜やチツ化シリコン膜からなる厚さ約０．８μｍの
絶縁膜６と、絶縁膜６に開孔されたコンタクト孔８と、
コンタクト孔７および絶縁膜ｅ上に形成された上層の配
線層となる第２アルミ膜７とで構成される配線接続部を
有している。
膜やリンケイ酸ガラス（Ｐ８Ｇ）からなる層間膜２を介
して順次積層して形成された、厚さ約１μｍｏ４＠１ア
ルミ膜３と厚さ約０．２μｍのスズ膜４および厚さ約０
．２μ溝の２酸化スＸ５ｎ０２）膜６とからなる下層の
配線層と、プラズマ励起ＣＶＤ法で形成された酸化シリ
コン膜やチツ化シリコン膜からなる厚さ約０．８μｍの
絶縁膜６と、絶縁膜６に開孔されたコンタクト孔８と、
コンタクト孔７および絶縁膜ｅ上に形成された上層の配
線層となる第２アルミ膜７とで構成される配線接続部を
有している。
第１図に示した本発明の配線接続部では第１アルミ膜３
と第２アルミ膜７が金属膜（スズ膜）４と金属酸化膜（
２酸化スズ膜）６を介して接続されている。
と第２アルミ膜７が金属膜（スズ膜）４と金属酸化膜（
２酸化スズ膜）６を介して接続されている。
２ＩＲ化スズ膜（ＳｎＯ２膜）６は導電性を有するので
第１アルミ膜３と第２アルミ膜７間のコンタクト抵抗が
増大することはない。また、第１アルミ膜３上はスズ膜
４と２威化スズ膜（Ｓ ｎ Ｏ２） ！で覆われている
ので、コンタクト孔８を開孔しても第、１アルミ膜ａ上
に絶縁膜であるアルミナが形成されることはない。
第１アルミ膜３と第２アルミ膜７間のコンタクト抵抗が
増大することはない。また、第１アルミ膜３上はスズ膜
４と２威化スズ膜（Ｓ ｎ Ｏ２） ！で覆われている
ので、コンタクト孔８を開孔しても第、１アルミ膜ａ上
に絶縁膜であるアルミナが形成されることはない。
なお、本実施例では金属膜４としてスズ膜、金属酸化膜
６として２酸化スズ膜の場合を例示したが、金属酸化膜
が導電性を示す金属であれば他の金属、例えばインジウ
ムも使用できることはもちろんである。
６として２酸化スズ膜の場合を例示したが、金属酸化膜
が導電性を示す金属であれば他の金属、例えばインジウ
ムも使用できることはもちろんである。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明によると、多層配
線間の配線接続部にアルミナが形成されることはないの
で、不安定なアルミナ除去工程は必要としないので多層
配線集積回路の歩留向上に効果を有する。
線間の配線接続部にアルミナが形成されることはないの
で、不安定なアルミナ除去工程は必要としないので多層
配線集積回路の歩留向上に効果を有する。
第１図は本発明の一実施例による多層配線半導体装置の
配線接続部を示す断面図、第２図は従来の配線接続部を
示す断面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板、２．１２・・・・
・・層間膜、３，１３・・・・・・第１アルミ膜、４・
・・・・・金属膜（スズ膜）、６・・・・・・金属酸化
＃（２酸化スズ膜）、６゜１４・・・・・・絶縁膜、７
，１６・・・・・・第２アルミ膜、８゜１６・・・・−
・コンタクト孔。
配線接続部を示す断面図、第２図は従来の配線接続部を
示す断面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板、２．１２・・・・
・・層間膜、３，１３・・・・・・第１アルミ膜、４・
・・・・・金属膜（スズ膜）、６・・・・・・金属酸化
＃（２酸化スズ膜）、６゜１４・・・・・・絶縁膜、７
，１６・・・・・・第２アルミ膜、８゜１６・・・・−
・コンタクト孔。
Claims (2)
- （１）第１の金属膜と第２の金属膜と同第２の金属膜の
酸化膜とからなる積層膜と、同積層膜上に形成された絶
縁膜と、同絶縁膜に形成された開孔部と、同開孔部に形
成された第３の金属膜とで構成される配線接続部を具備
することを特徴とする半導体装置。 - （２）前記第２の金属膜の酸化膜が導電性酸化膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31150887A JPH01152649A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31150887A JPH01152649A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152649A true JPH01152649A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18018077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31150887A Pending JPH01152649A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01152649A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147671A (ja) * | 2007-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | コンタクトホールの形成方法 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP31150887A patent/JPH01152649A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147671A (ja) * | 2007-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | コンタクトホールの形成方法 |
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