JPH01143343A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01143343A JPH01143343A JP30240387A JP30240387A JPH01143343A JP H01143343 A JPH01143343 A JP H01143343A JP 30240387 A JP30240387 A JP 30240387A JP 30240387 A JP30240387 A JP 30240387A JP H01143343 A JPH01143343 A JP H01143343A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 33
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多層配線構造を備えた半導体集積回路の新規々
構造に関する。
構造に関する。
従来の技術
半導体集積回路の集積度を向上させる為に多層配線構造
が多用されている。第２図は、従来の多層配線の上下配
線層間の接続部を拡大して示した断面図であり、シリコ
ン基板１１の上に、シリコ２ ヘ−ノ ン酸化膜等から々る層間絶縁膜１２、第１層アルミニウ
ム膜１３、層間絶縁膜１４および第２層アルミニウム膜
１６が順次形成され、絶縁膜１４に形成されたコンタク
ト孔１６を通して第１層アルミニウム膜１３と第２層ア
ルミニウム膜１５が接続された構造となっている。
が多用されている。第２図は、従来の多層配線の上下配
線層間の接続部を拡大して示した断面図であり、シリコ
ン基板１１の上に、シリコ２ ヘ−ノ ン酸化膜等から々る層間絶縁膜１２、第１層アルミニウ
ム膜１３、層間絶縁膜１４および第２層アルミニウム膜
１６が順次形成され、絶縁膜１４に形成されたコンタク
ト孔１６を通して第１層アルミニウム膜１３と第２層ア
ルミニウム膜１５が接続された構造となっている。
発明が解決しようとする問題点
第２図で示した従来の多層配線接続部構造では、第１層
アルミニウム膜１３と第２層アルミニウム膜１５がコン
タクト孔１６を通して直接接触している。ところで、周
知のようにアルミニウムは極めて酸化され易く、第１層
アルミニウム膜１３と第２層アルミニウム膜１５との間
にアルミナ（Ａ召、０３）が形成されることがある。
アルミニウム膜１３と第２層アルミニウム膜１５がコン
タクト孔１６を通して直接接触している。ところで、周
知のようにアルミニウムは極めて酸化され易く、第１層
アルミニウム膜１３と第２層アルミニウム膜１５との間
にアルミナ（Ａ召、０３）が形成されることがある。
このため、従来の多層配線構造を有する半導体装置では
、これの製造にあた９、第２層アルミニウム膜１６の形
成前に第１層アルミニウム膜１３の表面に形成されたア
ルミナを除去する必要があった。しかしながら、アルミ
ナの除去工程の安定性は必ずしも高くなく、形成された
アルミナを確３ ヘーノ 実に除去することは容易でない。このため、アルミナを
除去する工程を付加しても多層配線構造を有する集積回
路の製造歩留りを十分に高めることができなかった。
、これの製造にあた９、第２層アルミニウム膜１６の形
成前に第１層アルミニウム膜１３の表面に形成されたア
ルミナを除去する必要があった。しかしながら、アルミ
ナの除去工程の安定性は必ずしも高くなく、形成された
アルミナを確３ ヘーノ 実に除去することは容易でない。このため、アルミナを
除去する工程を付加しても多層配線構造を有する集積回
路の製造歩留りを十分に高めることができなかった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので
あシ、本発明の半導体装置は、第１層金属膜上で、少く
とも第２層金属膜と接触する領域に導電性酸化膜が形成
され、さらに、同導電性酸化膜上に開孔を有する絶縁膜
が形成されるとともに、さらに、同絶縁膜上に第２層金
属膜が形成され、前記開孔を通して前記導電性酸化膜と
第２層金属膜とが接続された配線接続部を備えたもので
ある。
あシ、本発明の半導体装置は、第１層金属膜上で、少く
とも第２層金属膜と接触する領域に導電性酸化膜が形成
され、さらに、同導電性酸化膜上に開孔を有する絶縁膜
が形成されるとともに、さらに、同絶縁膜上に第２層金
属膜が形成され、前記開孔を通して前記導電性酸化膜と
第２層金属膜とが接続された配線接続部を備えたもので
ある。
作 用
本発明の半導体装置では、第１層金属膜の表面で少くと
も第２層金属膜と接続する部分が導電性酸化膜で被覆さ
れているので、第２層金属膜の形成前に第１層金属膜の
表面上に絶縁性の酸化物層が形成されることはない。
も第２層金属膜と接続する部分が導電性酸化膜で被覆さ
れているので、第２層金属膜の形成前に第１層金属膜の
表面上に絶縁性の酸化物層が形成されることはない。
実施例
本発明の半導体装置の一実施例として２層アルミニウム
配線を有する半導体集積回路の配線接続部を拡大した断
面図を第１図に示す。
配線を有する半導体集積回路の配線接続部を拡大した断
面図を第１図に示す。
第１図では上下のアルミニウム配線の接続部のみを示し
ており、集積回路を構成するトランジスター、キャパシ
タ、抵抗等の他の回路要素は省略しである。
ており、集積回路を構成するトランジスター、キャパシ
タ、抵抗等の他の回路要素は省略しである。
図示するように、本発明の半導体装置の配線接続部はシ
リコン基板１の上に形成された酸化シリコン膜やリンケ
イ酸ガラス（ＰＳＧ）などのから々る層間絶縁膜２、こ
の上に約１７ｊｍの厚さに形成された第１層アルミニウ
ム膜３、第１層アルミニウム膜３の上に約０．３μｍの
厚さに形成された二酸化スズ（ＳｎＯ２）あるいは三酸
化インジウム（Ｉ ｎ ２０３）などのような導電性を
有する酸化膜４、プラズマ励起ＣＶＤ法で形成された酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜からなる厚さ約０．８μ
ｍの層間絶縁膜６、同層間絶縁膜５の上に形成され、層
間絶縁膜５に形成されたコンタクト孔６を通し５ ヘ一
／ で導電性絶縁膜と接続する第２層アルミニウム膜７とで
構成されている。
リコン基板１の上に形成された酸化シリコン膜やリンケ
イ酸ガラス（ＰＳＧ）などのから々る層間絶縁膜２、こ
の上に約１７ｊｍの厚さに形成された第１層アルミニウ
ム膜３、第１層アルミニウム膜３の上に約０．３μｍの
厚さに形成された二酸化スズ（ＳｎＯ２）あるいは三酸
化インジウム（Ｉ ｎ ２０３）などのような導電性を
有する酸化膜４、プラズマ励起ＣＶＤ法で形成された酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜からなる厚さ約０．８μ
ｍの層間絶縁膜６、同層間絶縁膜５の上に形成され、層
間絶縁膜５に形成されたコンタクト孔６を通し５ ヘ一
／ で導電性絶縁膜と接続する第２層アルミニウム膜７とで
構成されている。
このよう々構造の配線接続部では、下側配線となる第１
層アルミニウム膜の表面が導電性酸化膜で覆われている
ため、コンタクト不良を招くアルミナが第１層アルミニ
ウム膜の表面に形成されることはない。なお、実施例で
は、第１層アルミニウム膜の表面全域が導電性酸化膜で
覆われているが、コンタクト領域上のみを覆う関係で導
電性酸化膜を形成してもよい。
層アルミニウム膜の表面が導電性酸化膜で覆われている
ため、コンタクト不良を招くアルミナが第１層アルミニ
ウム膜の表面に形成されることはない。なお、実施例で
は、第１層アルミニウム膜の表面全域が導電性酸化膜で
覆われているが、コンタクト領域上のみを覆う関係で導
電性酸化膜を形成してもよい。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明の半導体装置では
、多層配線間の配線接続部にアルミナ等の配線金属の酸
化物層が形成されることはない。したがって、不安定な
アルミナ除去工程を必要とせず、多層配線構造を有する
半導体装置の歩留を向上させる効果を奏する。
、多層配線間の配線接続部にアルミナ等の配線金属の酸
化物層が形成されることはない。したがって、不安定な
アルミナ除去工程を必要とせず、多層配線構造を有する
半導体装置の歩留を向上させる効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例にかかる半導体装置の配線接
続部の構造を示す断面図、第２図は従来６ ・＼−／ の配線接続部の構造を示す断面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板、２ 、５ 、１２
．１４・・・・・層間絶縁膜、３，１３・・・・・・第
１層アルミニウム膜、４・・・・・・導電性酸化膜、６
，１６・・・・・・コンタクト孔、７，１６・・・・・
・第２層アルミニウム膜。
続部の構造を示す断面図、第２図は従来６ ・＼−／ の配線接続部の構造を示す断面図である。 １．１１・・・・・・シリコン基板、２ 、５ 、１２
．１４・・・・・層間絶縁膜、３，１３・・・・・・第
１層アルミニウム膜、４・・・・・・導電性酸化膜、６
，１６・・・・・・コンタクト孔、７，１６・・・・・
・第２層アルミニウム膜。
Claims (1)
- 第１層金属膜と、同第１層金属膜上の少くともコンタ
クト領域部に形成された導電性酸化膜と、前記コンタク
ト領上にコンタクト孔を有する層間絶縁膜と、同層間絶
縁膜上に形成され、前記コンタクト孔を通して前記導電
性酸化膜に接続された第２層配線膜とで構成される配線
接続部を具備することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30240387A JPH01143343A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30240387A JPH01143343A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143343A true JPH01143343A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17908495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30240387A Pending JPH01143343A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143343A (ja) |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP30240387A patent/JPH01143343A/ja active Pending
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