JPH0669154A - スル−ホ−ル構造およびその製造方法 - Google Patents
スル−ホ−ル構造およびその製造方法Info
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- JPH0669154A JPH0669154A JP24413292A JP24413292A JPH0669154A JP H0669154 A JPH0669154 A JP H0669154A JP 24413292 A JP24413292 A JP 24413292A JP 24413292 A JP24413292 A JP 24413292A JP H0669154 A JPH0669154 A JP H0669154A
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- Japan
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- insulating film
- hole
- film
- insulation film
- layer wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大規模集積回路等において、層間絶縁膜の初
期の良好な平坦性を維持しつつ、上層配線によるステッ
プカバレッジやコンタクトの不良等の異常を確実に防止
可能である。 【構成】 基板１０上にパタ−ニングされた金属配線１
上には、第１の絶縁膜２と、第２の絶縁膜３と、第３の
絶縁膜４とにより、層間絶縁膜５が形成されている。ま
た、この層間絶縁膜５には、この上に形成されるべき上
層配線をその下層配線となる金属配線１と接続するため
に、スル−ホ−ル６が形成されており、このスル−ホ−
ル６の側壁７には、膜質の良好な絶縁膜８が設けられて
いる。この絶縁膜８によって、絶縁膜３が直接露出する
のを防止し、上層配線を形成する際に、絶縁膜３からの
水分の放出を防止できる。
期の良好な平坦性を維持しつつ、上層配線によるステッ
プカバレッジやコンタクトの不良等の異常を確実に防止
可能である。 【構成】 基板１０上にパタ−ニングされた金属配線１
上には、第１の絶縁膜２と、第２の絶縁膜３と、第３の
絶縁膜４とにより、層間絶縁膜５が形成されている。ま
た、この層間絶縁膜５には、この上に形成されるべき上
層配線をその下層配線となる金属配線１と接続するため
に、スル−ホ−ル６が形成されており、このスル−ホ−
ル６の側壁７には、膜質の良好な絶縁膜８が設けられて
いる。この絶縁膜８によって、絶縁膜３が直接露出する
のを防止し、上層配線を形成する際に、絶縁膜３からの
水分の放出を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大規模集積回路等にお
いて多層配線などを行なう際に形成されるスル−ホ−ル
の構造，すなわちスル−ホ−ル構造およびその製造方法
に関する。
いて多層配線などを行なう際に形成されるスル−ホ−ル
の構造，すなわちスル−ホ−ル構造およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】大規模集積回路等においては、その多層
配線化に伴い、平坦性の良好な層間絶縁膜が必要とされ
ており、従来では、ＰＥＣＶＤとＳＯＧ（スピン・オン
・グラス）またはＯ3−ＴＥＯＳ ＡＰＣＶＤとのサンド
イッチ構造ＰＥＣＶＤ／ＳＯＧ（またはＯ3−ＴＥＯＳ
ＡＰＣＶＤ）／ＰＥＣＶＤが多層配線における層間絶縁
膜の構造として一般に用いられている。この種の構造
は、平坦性には、優れているが、下層配線とその上の上
層配線との接続を行なうために、層間絶縁膜にスル−ホ
−ルを形成するときに、その側壁にＳＯＧゃＯ3−ＴＥ
ＯＳが露出し、特にＳＯＧはその後のレジスト除去によ
って吸湿性をもつので、スル−ホ−ルを形成後、上層配
線を形成するときにステップカバレッジやコンタクトの
不良などが発生するという問題がある。このような問題
を解決するために、ＳＯＧ（またはＯ3−ＴＥＯＳ）を
エッチバックし、これらをスル−ホ−ルの側壁に露出さ
せない方法や、あるいは、文献「Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．Ｎｏ．４（１９９０）第１
２１２頁〜第１２１８頁」に開示されているように、ス
ル−ホ−ルを形成後、弱いＯ2プラズマ処理を施すこと
によってスル−ホ−ルの側壁に露出したＳＯＧの表面を
ＳｉＯ2状に改質し、吸湿性を防止する方法などが提案
されている。
配線化に伴い、平坦性の良好な層間絶縁膜が必要とされ
ており、従来では、ＰＥＣＶＤとＳＯＧ（スピン・オン
・グラス）またはＯ3−ＴＥＯＳ ＡＰＣＶＤとのサンド
イッチ構造ＰＥＣＶＤ／ＳＯＧ（またはＯ3−ＴＥＯＳ
ＡＰＣＶＤ）／ＰＥＣＶＤが多層配線における層間絶縁
膜の構造として一般に用いられている。この種の構造
は、平坦性には、優れているが、下層配線とその上の上
層配線との接続を行なうために、層間絶縁膜にスル−ホ
−ルを形成するときに、その側壁にＳＯＧゃＯ3−ＴＥ
ＯＳが露出し、特にＳＯＧはその後のレジスト除去によ
って吸湿性をもつので、スル−ホ−ルを形成後、上層配
線を形成するときにステップカバレッジやコンタクトの
不良などが発生するという問題がある。このような問題
を解決するために、ＳＯＧ（またはＯ3−ＴＥＯＳ）を
エッチバックし、これらをスル−ホ−ルの側壁に露出さ
せない方法や、あるいは、文献「Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．Ｎｏ．４（１９９０）第１
２１２頁〜第１２１８頁」に開示されているように、ス
ル−ホ−ルを形成後、弱いＯ2プラズマ処理を施すこと
によってスル−ホ−ルの側壁に露出したＳＯＧの表面を
ＳｉＯ2状に改質し、吸湿性を防止する方法などが提案
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
バックを用いる方法では、ＳＯＧ（またはＯ3−ＴＥＯ
Ｓ）とＰＥＣＶＤ膜とのエッチレ−トの違いから、エッ
チバックを行なうことによって、層間絶縁膜の平坦性が
低下するという欠点があり、また、どのスル−ホ−ルに
おいてもＳＯＧ等が露出しないように、エッチバックの
ウェハ−面内の均一性を高める必要があるという問題が
あった。また、弱いＯ2プラズマ処理によってＳＯＧの
表面改質を行なう場合には、処理条件が最適化されてい
ないと、ＳＯＧにクラックが発生するという欠点があっ
た。
バックを用いる方法では、ＳＯＧ（またはＯ3−ＴＥＯ
Ｓ）とＰＥＣＶＤ膜とのエッチレ−トの違いから、エッ
チバックを行なうことによって、層間絶縁膜の平坦性が
低下するという欠点があり、また、どのスル−ホ−ルに
おいてもＳＯＧ等が露出しないように、エッチバックの
ウェハ−面内の均一性を高める必要があるという問題が
あった。また、弱いＯ2プラズマ処理によってＳＯＧの
表面改質を行なう場合には、処理条件が最適化されてい
ないと、ＳＯＧにクラックが発生するという欠点があっ
た。
【０００４】本発明は、大規模集積回路等において、層
間絶縁膜の初期の良好な平坦性を維持しつつ、上層配線
によるステップカバレッジやコンタクトの不良等の異常
を確実に防止可能なスル−ホ−ル構造およびその製造方
法を提供することを目的としている。
間絶縁膜の初期の良好な平坦性を維持しつつ、上層配線
によるステップカバレッジやコンタクトの不良等の異常
を確実に防止可能なスル−ホ−ル構造およびその製造方
法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】図１は本発明に係るスル
−ホ−ル構造の構成例を示す図である。図１を参照する
と、基板１０には金属配線１がパタ−ニングされて形成
され、パタ−ニングされた金属配線１上には、第１の絶
縁膜２と、第２の絶縁膜３と、第３の絶縁膜４とによ
り、層間絶縁膜５が形成されている。ここで、第１およ
び第３の絶縁膜２，４は、良好な膜質を有しているがカ
バレッジについては通常の特性をもつＴＥＯＳ−ＰＥＣ
ＶＤ膜などで形成されており、また、第２の絶縁膜３
は、カバレッジについてはフロ−形状を示すが膜質につ
いては差程良好ではないＳＯＧやＯ3−ＴＥＯＳ ＡＰＣ
ＶＤ膜などで形成されている。すなわち、層間絶縁膜５
は、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ膜等で形成された第１，第３
の絶縁膜２，４によってＳＯＧやＯ3−ＴＥＯＳ ＡＰＣ
ＶＤ膜等の第２の絶縁膜３を挟むサンドイッチ構造とな
っており、これにより、層間絶縁膜５の平坦性を確保し
ている。
−ホ−ル構造の構成例を示す図である。図１を参照する
と、基板１０には金属配線１がパタ−ニングされて形成
され、パタ−ニングされた金属配線１上には、第１の絶
縁膜２と、第２の絶縁膜３と、第３の絶縁膜４とによ
り、層間絶縁膜５が形成されている。ここで、第１およ
び第３の絶縁膜２，４は、良好な膜質を有しているがカ
バレッジについては通常の特性をもつＴＥＯＳ−ＰＥＣ
ＶＤ膜などで形成されており、また、第２の絶縁膜３
は、カバレッジについてはフロ−形状を示すが膜質につ
いては差程良好ではないＳＯＧやＯ3−ＴＥＯＳ ＡＰＣ
ＶＤ膜などで形成されている。すなわち、層間絶縁膜５
は、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ膜等で形成された第１，第３
の絶縁膜２，４によってＳＯＧやＯ3−ＴＥＯＳ ＡＰＣ
ＶＤ膜等の第２の絶縁膜３を挟むサンドイッチ構造とな
っており、これにより、層間絶縁膜５の平坦性を確保し
ている。
【０００６】また、この層間絶縁膜５には、この上に形
成されるべき上層配線をその下層配線となる金属配線１
と接続するために、スル−ホ−ル６が形成されており、
このスル−ホ−ル６の側壁７には、膜質の良好な絶縁膜
８が設けられている。ここで、絶縁膜８は、プラズマＣ
ＶＤ酸化膜，熱ＣＶＤ酸化膜，光ＣＶＤ酸化膜等の酸化
膜、あるいはプラズマＣＶＤ窒化膜，熱ＣＶＤ窒化膜，
光ＣＶＤ窒化膜等の窒化膜などで形成されている。
成されるべき上層配線をその下層配線となる金属配線１
と接続するために、スル−ホ−ル６が形成されており、
このスル−ホ−ル６の側壁７には、膜質の良好な絶縁膜
８が設けられている。ここで、絶縁膜８は、プラズマＣ
ＶＤ酸化膜，熱ＣＶＤ酸化膜，光ＣＶＤ酸化膜等の酸化
膜、あるいはプラズマＣＶＤ窒化膜，熱ＣＶＤ窒化膜，
光ＣＶＤ窒化膜等の窒化膜などで形成されている。
【０００７】図２（ａ）乃至（ｄ）は図１に示すスル−
ホ−ル構造の製造工程の一例を示す図である。図１のス
ル−ホ−ル構造の形成には、先づ、図２（ａ）に示すよ
うに、基板１０上にパタ−ニングされているＡｌ等の金
属配線１上に、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ膜などの第１の絶
縁膜２を成膜し、この第１の絶縁膜２上にＳＯＧやＯ3
−ＴＥＯＳ ＡＰＣＶＤ膜などの第２の絶縁膜３を成膜
し、さらに第２の絶縁膜３上に第１の絶縁膜１と同じ材
料の第３の絶縁膜４を成膜して、層間絶縁膜５を形成す
る。
ホ−ル構造の製造工程の一例を示す図である。図１のス
ル−ホ−ル構造の形成には、先づ、図２（ａ）に示すよ
うに、基板１０上にパタ−ニングされているＡｌ等の金
属配線１上に、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ膜などの第１の絶
縁膜２を成膜し、この第１の絶縁膜２上にＳＯＧやＯ3
−ＴＥＯＳ ＡＰＣＶＤ膜などの第２の絶縁膜３を成膜
し、さらに第２の絶縁膜３上に第１の絶縁膜１と同じ材
料の第３の絶縁膜４を成膜して、層間絶縁膜５を形成す
る。
【０００８】次いで、図２（ｂ）に示すように、この層
間絶縁膜５に対し、露光と異方性エッチングを施してス
ル−ホ−ル６を形成する。しかる後、レジスト除去を行
ない、さらに、図２（ｃ）に示すように、膜質の良好な
酸化膜あるいは窒化膜等の絶縁膜８を成膜し、次いで、
図２（ｄ）に示すように、異方性エッチングを施して、
この絶縁膜８をスル−ホ−ル６の側壁７を除いて除去す
る。これにより、図１に示すスル−ホ−ル構造を得るこ
とができる。なお、図２（ｂ）の工程において、スル−
ホ−ル６のホ−ル径は、スル−ホ−ル６の側壁７に絶縁
膜８が形成されることを考慮して、予め多少大きく形成
する。
間絶縁膜５に対し、露光と異方性エッチングを施してス
ル−ホ−ル６を形成する。しかる後、レジスト除去を行
ない、さらに、図２（ｃ）に示すように、膜質の良好な
酸化膜あるいは窒化膜等の絶縁膜８を成膜し、次いで、
図２（ｄ）に示すように、異方性エッチングを施して、
この絶縁膜８をスル−ホ−ル６の側壁７を除いて除去す
る。これにより、図１に示すスル−ホ−ル構造を得るこ
とができる。なお、図２（ｂ）の工程において、スル−
ホ−ル６のホ−ル径は、スル−ホ−ル６の側壁７に絶縁
膜８が形成されることを考慮して、予め多少大きく形成
する。
【０００９】このようにして、図１に示すようなスル−
ホ−ル構造が得られたとき、図３に示すように、この上
にさらに、Ａｌ等の金属からなる上層配線９をスパッタ
リング等によって形成すると、スル−ホ−ル６のところ
で、この上層配線９が下層配線１に接続し、これによ
り、多層配線を得ることができる。
ホ−ル構造が得られたとき、図３に示すように、この上
にさらに、Ａｌ等の金属からなる上層配線９をスパッタ
リング等によって形成すると、スル−ホ−ル６のところ
で、この上層配線９が下層配線１に接続し、これによ
り、多層配線を得ることができる。
【００１０】ところで、本発明のスル−ホ−ル構造は、
層間絶縁膜５がＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ膜などとＳＯＧや
Ｏ3−ＴＥＯＳ ＡＰＣＶＤ膜などとのサンドイッチ構造
で形成されて平坦性には優れているが膜質については差
程良くない場合であっても、スル−ホ−ル６の側壁７に
設けられた酸化膜あるいは窒化膜等の膜質の良好な絶縁
膜８によって、絶縁膜３が直接露出するのを防止してい
る。
層間絶縁膜５がＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ膜などとＳＯＧや
Ｏ3−ＴＥＯＳ ＡＰＣＶＤ膜などとのサンドイッチ構造
で形成されて平坦性には優れているが膜質については差
程良くない場合であっても、スル−ホ−ル６の側壁７に
設けられた酸化膜あるいは窒化膜等の膜質の良好な絶縁
膜８によって、絶縁膜３が直接露出するのを防止してい
る。
【００１１】これにより、図３に示したように上層配線
９を形成する際に、絶縁膜３からの水分の放出を防止す
ることができる。なお、本発明では、層間絶縁膜５に対
してはエッチバックを行なわず、また、ＳＯＧの表面改
質処理を行なう必要もなく、従って、層間絶縁膜５の材
質等に影響を与えずに、スル−ホ−ル６の側壁７に膜質
の良好な絶縁膜８を形成するようになっているので、層
間絶縁膜５の平坦性を損ねることもない。この結果、層
間絶縁膜の平坦性の確保とともにスル−ホ−ルにおける
異常発生を防止することができ、大規模集積回路等の多
層配線時に配線のステップカバレッジやコンタクトの不
良が生ずるという事態を著しく低減できる。さらに、ど
のスル−ホ−ルにおいてもその側壁７に良好な絶縁膜８
をばらつき少なく均一に容易に形成できるので、多数の
スル−ホ−ルが形成される場合にも、その品質および信
頼性を著しく向上させることができる。
９を形成する際に、絶縁膜３からの水分の放出を防止す
ることができる。なお、本発明では、層間絶縁膜５に対
してはエッチバックを行なわず、また、ＳＯＧの表面改
質処理を行なう必要もなく、従って、層間絶縁膜５の材
質等に影響を与えずに、スル−ホ−ル６の側壁７に膜質
の良好な絶縁膜８を形成するようになっているので、層
間絶縁膜５の平坦性を損ねることもない。この結果、層
間絶縁膜の平坦性の確保とともにスル−ホ−ルにおける
異常発生を防止することができ、大規模集積回路等の多
層配線時に配線のステップカバレッジやコンタクトの不
良が生ずるという事態を著しく低減できる。さらに、ど
のスル−ホ−ルにおいてもその側壁７に良好な絶縁膜８
をばらつき少なく均一に容易に形成できるので、多数の
スル−ホ−ルが形成される場合にも、その品質および信
頼性を著しく向上させることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のスル−ホ−ル構造の実施例を
具体的に説明する。この実施例では、先づ、線幅２μ
ｍ，厚さ０．８μｍのパタ−ニングされた金属配線（Ａ
ｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ）上に、第１の絶縁膜２と
して、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ酸化膜を０．５μｍ成膜
し、第２の絶縁膜３として、有機系ＳＯＧを０．４μｍ
成膜し、第３の絶縁膜４として、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ
酸化膜を０．３μｍ成膜し、層間絶縁膜５を形成した。
しかる後、この層間絶縁膜５に、１．４μｍ径のスル−
ホ−ル６を形成した。次いで、絶縁膜８として、ＴＥＯ
Ｓ−ＰＥＣＶＤ膜を０．１μｍの厚さに成膜し、この絶
縁膜８に対して、ＣＦ4とＨ2とを用いたＲＩＥによって
エッチバックを行ない、スル−ホ−ル６の側壁７を除い
て絶縁膜８を除去した。これにより、最終的には、ホ−
ル径が約１．２μｍのスル−ホ−ルを５００個形成し
た。すなわち、５００個からなるスル−ホ−ルチェ−ン
を形成した。
具体的に説明する。この実施例では、先づ、線幅２μ
ｍ，厚さ０．８μｍのパタ−ニングされた金属配線（Ａ
ｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ）上に、第１の絶縁膜２と
して、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ酸化膜を０．５μｍ成膜
し、第２の絶縁膜３として、有機系ＳＯＧを０．４μｍ
成膜し、第３の絶縁膜４として、ＴＥＯＳ−ＰＥＣＶＤ
酸化膜を０．３μｍ成膜し、層間絶縁膜５を形成した。
しかる後、この層間絶縁膜５に、１．４μｍ径のスル−
ホ−ル６を形成した。次いで、絶縁膜８として、ＴＥＯ
Ｓ−ＰＥＣＶＤ膜を０．１μｍの厚さに成膜し、この絶
縁膜８に対して、ＣＦ4とＨ2とを用いたＲＩＥによって
エッチバックを行ない、スル−ホ−ル６の側壁７を除い
て絶縁膜８を除去した。これにより、最終的には、ホ−
ル径が約１．２μｍのスル−ホ−ルを５００個形成し
た。すなわち、５００個からなるスル−ホ−ルチェ−ン
を形成した。
【００１３】しかる後、３０Ｓの逆スパッタクリ−ニン
グを行ない、上層金属配線９として、Ａｌ−１％Ｓｉ−
０．５％Ｃｕを成膜し、これを２．５μｍ幅にパタ−ニ
ングした。
グを行ない、上層金属配線９として、Ａｌ−１％Ｓｉ−
０．５％Ｃｕを成膜し、これを２．５μｍ幅にパタ−ニ
ングした。
【００１４】このようにして作製された多層配線におい
て、各スル−ホ−ルには、上層金属配線９の材料が充填
され、各スル−ホ−ル部を介して上層配線９と下層配線
１とは電気的に接続される。これらの各スル−ホ−ル部
の抵抗を調べたところ、その抵抗値は、１ホ−ル当り、
０．１Ωと低かった。これにより、スル−ホ−ル部にお
いて、ステップカバレッジやコンタクトの不良等はほと
んど生じておらず、このスル−ホ−ル構造が極めて良好
なものであることが確認された。また、どのスル−ホ−
ル部においても、ばらつきの少ないほぼ均一な絶縁膜８
を形成することができた。
て、各スル−ホ−ルには、上層金属配線９の材料が充填
され、各スル−ホ−ル部を介して上層配線９と下層配線
１とは電気的に接続される。これらの各スル−ホ−ル部
の抵抗を調べたところ、その抵抗値は、１ホ−ル当り、
０．１Ωと低かった。これにより、スル−ホ−ル部にお
いて、ステップカバレッジやコンタクトの不良等はほと
んど生じておらず、このスル−ホ−ル構造が極めて良好
なものであることが確認された。また、どのスル−ホ−
ル部においても、ばらつきの少ないほぼ均一な絶縁膜８
を形成することができた。
【００１５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、平坦性に優れた層間絶縁膜にスル−ホ−ルが形成さ
れており、該スル−ホ−ルの側壁には、膜質の優れた絶
縁膜が形成されているので、大規模集積回路等におい
て、層間絶縁膜の初期の良好な平坦性を維持しつつ、上
層配線によるステップカバレッジやコンタクトの不良等
の異常を確実に防止できる。
ば、平坦性に優れた層間絶縁膜にスル−ホ−ルが形成さ
れており、該スル−ホ−ルの側壁には、膜質の優れた絶
縁膜が形成されているので、大規模集積回路等におい
て、層間絶縁膜の初期の良好な平坦性を維持しつつ、上
層配線によるステップカバレッジやコンタクトの不良等
の異常を確実に防止できる。
【図１】本発明に係るスル−ホ−ル構造の構成例を示す
図である。
図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は図１に示すスル−ホ−ル構
造の製造工程の一例を示す図である。
造の製造工程の一例を示す図である。
【図３】図１のスル−ホ−ル構造に上層配線を形成した
一例を示す図である。
一例を示す図である。
１ 金属配線 ２ 第１の絶縁膜 ３ 第２の絶縁膜 ４ 第３の絶縁膜 ５ 層間絶縁膜 ６ スル−ホ−ル ７ スル−ホ−ルの側壁 ８ 絶縁膜 ９ 上層配線 １０ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 平坦性に優れた層間絶縁膜にスル−ホ−
ルが形成されており、該スル−ホ−ルの側壁には、膜質
の優れた絶縁膜が形成されていることを特徴とするスル
−ホ−ル構造。 - 【請求項２】 請求項１記載のスル−ホ−ル構造におい
て、前記膜質の優れた絶縁膜は、酸化膜，窒化膜等であ
ることを特徴とするスル−ホ−ル構造。 - 【請求項３】 所定のパタ−ニングがなされた金属配線
上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にスル−
ホ−ルを形成する工程と、スル−ホ−ルの形成された層
間絶縁膜上にスル−ホ−ルをも含めて膜質の良い絶縁膜
を形成する工程と、膜質の良い絶縁膜をスル−ホ−ルの
側壁部だけを残して異方性エッチングする工程とを有し
ていることを特徴とするスル−ホ−ル構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24413292A JPH0669154A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | スル−ホ−ル構造およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24413292A JPH0669154A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | スル−ホ−ル構造およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669154A true JPH0669154A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=17114243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24413292A Pending JPH0669154A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | スル−ホ−ル構造およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669154A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100243284B1 (ko) * | 1997-02-27 | 2000-03-02 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 |
| JP2006287184A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
| KR100734085B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2007-07-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
| KR100735608B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 비어 콘택 형성방법 |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP24413292A patent/JPH0669154A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100243284B1 (ko) * | 1997-02-27 | 2000-03-02 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 |
| KR100735608B1 (ko) * | 2001-04-11 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 비어 콘택 형성방법 |
| KR100734085B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2007-07-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
| JP2006287184A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-19 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
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