JPS6037745A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6037745A JPS6037745A JP14701983A JP14701983A JPS6037745A JP S6037745 A JPS6037745 A JP S6037745A JP 14701983 A JP14701983 A JP 14701983A JP 14701983 A JP14701983 A JP 14701983A JP S6037745 A JPS6037745 A JP S6037745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- film
- region
- polycrystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置におけるＳＺ多層配線構造に関する
。
。
従来、半導体装置におけるｓ７多層配線構造は第１図に
断面図で示す如き構造をとっているのが通例であった。
断面図で示す如き構造をとっているのが通例であった。
すなわち、ＳＺ基板１の表面には拡散層２１絶縁膜３が
形成され、該絶縁股上に第１のｓ７７配線４が多結晶Ｓ
ｉで形成され、該第１のｓ７７配線４は前記絶縁膜３に
開けられたコンタイト穴を通してｓ７基板ｌに形成され
た拡散層２と接続され、更に、前記第１のＳＺ配線層４
上に形成された層間絶縁膜５を介して第２のｓ７配線６
が多結晶ｓ７が形成され、該第２のＳｉ配線６は、層間
絶縁、暎５に開けられたコンタクト穴を通して第Ｊのｓ
７配線４と接続されて成るのが通例であった。
形成され、該絶縁股上に第１のｓ７７配線４が多結晶Ｓ
ｉで形成され、該第１のｓ７７配線４は前記絶縁膜３に
開けられたコンタイト穴を通してｓ７基板ｌに形成され
た拡散層２と接続され、更に、前記第１のＳＺ配線層４
上に形成された層間絶縁膜５を介して第２のｓ７配線６
が多結晶ｓ７が形成され、該第２のＳｉ配線６は、層間
絶縁、暎５に開けられたコンタクト穴を通して第Ｊのｓ
７配線４と接続されて成るのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、多層ｓ４配線の抵抗値
が高いという欠点があった。
が高いという欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、多層Ｓｉ配線
の抵抗値を下げると共に、接触抵抗値を低く保つ多層ｓ
ｚ配線構造を提供することを目的とする。
の抵抗値を下げると共に、接触抵抗値を低く保つ多層ｓ
ｚ配線構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、第１のｓｉ配線上に層間絶縁膜を介し
て第２のＳＺ’配線が形成され、前記層間絶縁膜に開け
られたコンタクト穴を通して、第１のｓ７配線と第２の
ｓ７配線とが互にａ６で接続されると共に、第１のｓ’
＜配線表面および第２のｓ６６配線面の少なくとも一方
あるいは両方に金属Ｍが形成されて成ることを特徴とす
る。
導体装置に於て、第１のｓｉ配線上に層間絶縁膜を介し
て第２のＳＺ’配線が形成され、前記層間絶縁膜に開け
られたコンタクト穴を通して、第１のｓ７配線と第２の
ｓ７配線とが互にａ６で接続されると共に、第１のｓ’
＜配線表面および第２のｓ６６配線面の少なくとも一方
あるいは両方に金属Ｍが形成されて成ることを特徴とす
る。
以下、実施例によシ本発明を詳述する。
第２図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の多層ｓ
７配線構造の断面図である。すなわち、ｓ７７基板１１
表面には拡散層１２ 、絶縁膜１７が形成され、該絶Ｂ
膜１７を介して第１のｓ６６配線１４多結晶ｓ７で形成
され、該ＳＺ配線層１４は絶縁膜１７に開けられたコン
タクト穴を通してｓ７基板１１の表面に形成された拡散
層１２と接続されると共に、その表面にはＴｉ等の金属
膜１５が形成され、更に、その表面に形成された層間絶
縁［４（１６を介して、第２のＳｉ配線１７が多結晶Ｓ
＜で形成され、該第２のＳ＜配線は層間絶縁膜１６に開
けられたコンタクト穴を通して、同時に金属膜１５もコ
ンタクト部はエツチング除去されて、第１のＳＺ配線１
４と接続されて成る。
７配線構造の断面図である。すなわち、ｓ７７基板１１
表面には拡散層１２ 、絶縁膜１７が形成され、該絶Ｂ
膜１７を介して第１のｓ６６配線１４多結晶ｓ７で形成
され、該ＳＺ配線層１４は絶縁膜１７に開けられたコン
タクト穴を通してｓ７基板１１の表面に形成された拡散
層１２と接続されると共に、その表面にはＴｉ等の金属
膜１５が形成され、更に、その表面に形成された層間絶
縁［４（１６を介して、第２のＳｉ配線１７が多結晶Ｓ
＜で形成され、該第２のＳ＜配線は層間絶縁膜１６に開
けられたコンタクト穴を通して、同時に金属膜１５もコ
ンタクト部はエツチング除去されて、第１のＳＺ配線１
４と接続されて成る。
上記の如く、本発明によると、多層Ｓｉ配線の抵抗値が
下がると共に接触抵抗も小さくてすむという効果がある
。
下がると共に接触抵抗も小さくてすむという効果がある
。
金属膜は第１層Ｓｉ配線表面のみならず第２層ｓｉ配ｆ
ＪＪ表面にも形成さｉｔて良く、そのいず九が一方でも
良い。更に金Ｍ股はＳｉ配綜の周囲のいずれの部分に形
成され−Ｃも良い。
ＪＪ表面にも形成さｉｔて良く、そのいず九が一方でも
良い。更に金Ｍ股はＳｉ配綜の周囲のいずれの部分に形
成され−Ｃも良い。
第１図は従来技術による半導体装置のｓ７多層配線構造
を示す断面図、第２図は本発明による半導体装置の一実
施例を示すｓ４多層配線構造を示す断面図である。 １．１１・・ｓｚ基板 ２，１２・・拡散度３．１３−
−絶縁膜 ４．１４−−第１のｓ４配線５．１６・・層
間絶縁膜 ６．１７・・第２のｓ７配線 １５・・金属
膜。 以 上
を示す断面図、第２図は本発明による半導体装置の一実
施例を示すｓ４多層配線構造を示す断面図である。 １．１１・・ｓｚ基板 ２，１２・・拡散度３．１３−
−絶縁膜 ４．１４−−第１のｓ４配線５．１６・・層
間絶縁膜 ６．１７・・第２のｓ７配線 １５・・金属
膜。 以 上
Claims (1)
- 第１のｓ７配線上に層間絶縁膜を介して第２のｓ７配線
が形成され、前記層間絶縁に開けられたコンタクト穴を
通して、第１のＳＺ配線と第２のｓ７配線とが互に８６
で接続されると共に、第１のＳｉ配線表面および第２の
Ｓ＜配線表面の少なくとも一方あるいは両方に金属膜が
形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14701983A JPS6037745A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14701983A JPS6037745A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037745A true JPS6037745A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15420703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14701983A Pending JPS6037745A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0639150A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-15 | Tomy Ltd | 駆動機構 |
| JPH06304341A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-01 | B I:Kk | 楽器玩具 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365088A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14701983A patent/JPS6037745A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365088A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0639150A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-15 | Tomy Ltd | 駆動機構 |
| JPH06304341A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-01 | B I:Kk | 楽器玩具 |
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