JPS6066465A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6066465A JPS6066465A JP17500183A JP17500183A JPS6066465A JP S6066465 A JPS6066465 A JP S6066465A JP 17500183 A JP17500183 A JP 17500183A JP 17500183 A JP17500183 A JP 17500183A JP S6066465 A JPS6066465 A JP S6066465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- semiconductor device
- substrate
- tin
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 2
- -1 TaSi Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の配線構造に関する。
従来、半導体装置の配[&造は第1図に断面図で示す如
き構造をとっていた。すなわち、81基板1の表面には
拡散層、2及び絶縁膜3が形成され、該絶縁膜6を介し
て、該絶縁v83に開けられたコンタクト穴4を通して
At配線層5が形成されて成るのが通例であった。
き構造をとっていた。すなわち、81基板1の表面には
拡散層、2及び絶縁膜3が形成され、該絶縁膜6を介し
て、該絶縁v83に開けられたコンタクト穴4を通して
At配線層5が形成されて成るのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、Atと下地81との接
触抵抗が大となるという欠点があった本発明はかかる従
来技術の欠点をなくし、電極配線と下地81との接触抵
抗が小なる半導体装置の配線構造を提供することを目的
とする。
触抵抗が大となるという欠点があった本発明はかかる従
来技術の欠点をなくし、電極配線と下地81との接触抵
抗が小なる半導体装置の配線構造を提供することを目的
とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、半導体表面に形成された絶縁膜を介し
、該絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して81層と
、Ti、Ta、Ou、WあるいはTin、TaNあるい
はT181.Ta81等のシリサイド層とA L 層か
らなる多層<ill造の電極配線が形成されて成ること
を特徴とする。
導体装置に於て、半導体表面に形成された絶縁膜を介し
、該絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して81層と
、Ti、Ta、Ou、WあるいはTin、TaNあるい
はT181.Ta81等のシリサイド層とA L 層か
らなる多層<ill造の電極配線が形成されて成ること
を特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第2図は本発明の一実施例を示す半導体装置の配線構造
の断面図である。すなわち、81基板11の表面には拡
散層121絶縁膜16が形成され、該絶縁W;113を
介し、該絶縁膜16に開けられたコンタクト穴14を通
して、5iJv15゜TiN層16.AAI帝17の3
層構造からなる電極配線が形成されて成る。゛ 上記の如く、下地81とS1層配線とは接触抵抗がなく
接続され、該81層配線上にT、iN等のノーをはさん
でht)yjを形成することによりAA層のAtが81
層に拡散することなく、かつ接触抵抗が小となる効果が
ある。
の断面図である。すなわち、81基板11の表面には拡
散層121絶縁膜16が形成され、該絶縁W;113を
介し、該絶縁膜16に開けられたコンタクト穴14を通
して、5iJv15゜TiN層16.AAI帝17の3
層構造からなる電極配線が形成されて成る。゛ 上記の如く、下地81とS1層配線とは接触抵抗がなく
接続され、該81層配線上にT、iN等のノーをはさん
でht)yjを形成することによりAA層のAtが81
層に拡散することなく、かつ接触抵抗が小となる効果が
ある。
81配線層とAt配装tfi1層との間の中間層として
、TiNの他、Ti、Ta、Ou、W、TiE]i、T
a81.Tan等の中間Mを用いることができる。
、TiNの他、Ti、Ta、Ou、W、TiE]i、T
a81.Tan等の中間Mを用いることができる。
第1図は従来技術による半導体装置の配線構造を示す断
11ij図、群S2図は本発明の一実施例を示す半導体
装置の配線構造の断面図である。 1.11・・・・・・半導体基板 2.12・・・・・・拡散層 6.13・・・・・・絶縁膜 4.14・・・・・・コンタクト穴 5.17・・・・・・At配線層 15・・・・・・・・・・・・81配線層16・・・・
・・・・・・・・配線中間層基 上 出願人゛株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
11ij図、群S2図は本発明の一実施例を示す半導体
装置の配線構造の断面図である。 1.11・・・・・・半導体基板 2.12・・・・・・拡散層 6.13・・・・・・絶縁膜 4.14・・・・・・コンタクト穴 5.17・・・・・・At配線層 15・・・・・・・・・・・・81配線層16・・・・
・・・・・・・・配線中間層基 上 出願人゛株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 半導体基板表面に形成された絶縁膜を介し、該絶
縁膜に開けられたコンタクト穴を通して81層と、Ti
、Ta、Ou、WあるいはTin。 TanあるいはTi81 、Ta81等のシリサイド層
とht層からなる多層47H造の電極配線が形成されて
成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17500183A JPS6066465A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17500183A JPS6066465A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6066465A true JPS6066465A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15988477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17500183A Pending JPS6066465A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6066465A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4931845A (en) * | 1987-11-05 | 1990-06-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device having an ohmic contact between an aluminum-silicon alloy metallization film and a silicon substrate |
US4990997A (en) * | 1988-04-20 | 1991-02-05 | Fujitsu Limited | Crystal grain diffusion barrier structure for a semiconductor device |
US5498572A (en) * | 1993-06-25 | 1996-03-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5583253A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17500183A patent/JPS6066465A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5583253A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4931845A (en) * | 1987-11-05 | 1990-06-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device having an ohmic contact between an aluminum-silicon alloy metallization film and a silicon substrate |
US4990997A (en) * | 1988-04-20 | 1991-02-05 | Fujitsu Limited | Crystal grain diffusion barrier structure for a semiconductor device |
US5498572A (en) * | 1993-06-25 | 1996-03-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
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