JPS6050944A - 多層配線 - Google Patents
多層配線Info
- Publication number
- JPS6050944A JPS6050944A JP15987583A JP15987583A JPS6050944A JP S6050944 A JPS6050944 A JP S6050944A JP 15987583 A JP15987583 A JP 15987583A JP 15987583 A JP15987583 A JP 15987583A JP S6050944 A JPS6050944 A JP S6050944A
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- Japan
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- film
- electrode
- electrode material
- material film
- wiring
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に多層配線の配線構造に関する。
従来、多層配線に、褐１図に断面図で示すごとき構造と
なっていた。すなわち、基＠、１の表面に形成された第
１の電極材料族からなる第１の電極配線２が形成され、
層間絶縁膜３を介して、該層間絶縁膜６に開けられたコ
ンタクト穴を通して、第２の電極材料からなる第２の電
極配線５が第１の電極配線２とコンタクト部４で接続さ
れて成るのが通例であった。
なっていた。すなわち、基＠、１の表面に形成された第
１の電極材料族からなる第１の電極配線２が形成され、
層間絶縁膜３を介して、該層間絶縁膜６に開けられたコ
ンタクト穴を通して、第２の電極材料からなる第２の電
極配線５が第１の電極配線２とコンタクト部４で接続さ
れて成るのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、異種金属膜による多層
電極配線の接続部における接続抵抗が大となる欠点があ
った。
電極配線の接続部における接続抵抗が大となる欠点があ
った。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、異種金属膜
による多層電極配線の接続部における接触抵抗の小なる
多層配線構造を提供することを目的とする。
による多層電極配線の接続部における接触抵抗の小なる
多層配線構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、多
層配線に於て、以下の如き構造をとることを特徴とする
。すなわち、 １、 第１の電極材料膜からなる第１の電極配線の表面
には第２の電極材料膜が形成場れ、層間絶縁膜を介して
、該層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して、第
２の電極材料膜が形成され、該第２の電極材料膜上に第
３の電極材料膜からなる第２の電極配線が形成されて成
る事。
層配線に於て、以下の如き構造をとることを特徴とする
。すなわち、 １、 第１の電極材料膜からなる第１の電極配線の表面
には第２の電極材料膜が形成場れ、層間絶縁膜を介して
、該層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して、第
２の電極材料膜が形成され、該第２の電極材料膜上に第
３の電極材料膜からなる第２の電極配線が形成されて成
る事。
２、第１の電極材料膜からなる第１の電極配線の表面に
は第２の電極材料ｊ換が形成され、層間絶縁膜を介して
、該肩・聞納縁膜に開けられたコンタクト穴を通して弗
２の電極材料膜がら々る第２の電極配線が形成されて成
る事。
は第２の電極材料ｊ換が形成され、層間絶縁膜を介して
、該肩・聞納縁膜に開けられたコンタクト穴を通して弗
２の電極材料膜がら々る第２の電極配線が形成されて成
る事。
６、 第１の電極材料膜から成る第１の電極配線が形成
され、層間絶縁膜を介して、該層間絶縁膜に開けられた
コンタクト穴を通して第１の電極膜が形成され、該第１
の′電極材料膜上に第２の電極材料膜からなる第２の電
極配線が形成されて成る事。
され、層間絶縁膜を介して、該層間絶縁膜に開けられた
コンタクト穴を通して第１の電極膜が形成され、該第１
の′電極材料膜上に第２の電極材料膜からなる第２の電
極配線が形成されて成る事。
及び、
４、 第１の電極材料膜からなる第１の電極配線の表面
Ｋに第２の電極材料膜が形成さｒＬ、層間絶縁膜を介し
て、該層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して、
前記第２の電極材料膜が形成され、該第２の電極羽科ｊ
摸上に前記第１の電極材料からなる第２の電極配線が形
成されて成る事。
Ｋに第２の電極材料膜が形成さｒＬ、層間絶縁膜を介し
て、該層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して、
前記第２の電極材料膜が形成され、該第２の電極羽科ｊ
摸上に前記第１の電極材料からなる第２の電極配線が形
成されて成る事。
等である。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図乃至第５図は本発明の一実症例を示す多層配線構
造の断面図である。
造の断面図である。
第２図でに、絶縁基板１１上に第１の電極材料膜１２と
してＳ１膜による第１の電極配線が形成され、該第１の
電極配線の表面には、第２の電極材料１良１３として、
Ｔ１等の金属膜あるいはシリサイド膜からなる膜が形成
され、層間絶縁膜１４を介して、該層間絶縁膜１４に開
けられたコンタクト穴１５全通して、第２の電極材料１
６として、Ｔ１等の金属膜あるいにソリサイド膜からな
る膜が形成され、該第２の電極材料膜１３′上に第３の
電極材料膜としてＡＬ等の膜からなる第２の電極配線１
６が形成されて成る。
してＳ１膜による第１の電極配線が形成され、該第１の
電極配線の表面には、第２の電極材料１良１３として、
Ｔ１等の金属膜あるいはシリサイド膜からなる膜が形成
され、層間絶縁膜１４を介して、該層間絶縁膜１４に開
けられたコンタクト穴１５全通して、第２の電極材料１
６として、Ｔ１等の金属膜あるいにソリサイド膜からな
る膜が形成され、該第２の電極材料膜１３′上に第３の
電極材料膜としてＡＬ等の膜からなる第２の電極配線１
６が形成されて成る。
第３図は、本発明の他の実砲例を示す多層配線構造の断
面図である。
面図である。
第６図では、絶縁基板２１上に第１の電極材料膜として
８１等からなる第１の電極配線２２の表面には第２の′
電極材料膜２６としてＴ１等の金属膜あるいＦｉ７１Ｊ
サイド膜が形成され、層間絶縁膜２４を介して、該層間
絶縁膜２４に開けられたコンタクト穴２５全通して舘２
の電極材料膜としてのＴ１等の金越膜あるいはソリサイ
ド膜からなる第２の電極配線２６が形成されて成る。
８１等からなる第１の電極配線２２の表面には第２の′
電極材料膜２６としてＴ１等の金属膜あるいＦｉ７１Ｊ
サイド膜が形成され、層間絶縁膜２４を介して、該層間
絶縁膜２４に開けられたコンタクト穴２５全通して舘２
の電極材料膜としてのＴ１等の金越膜あるいはソリサイ
ド膜からなる第２の電極配線２６が形成されて成る。
第４図に、本発明のその他の笑帷セ１１分示す多層配線
構造の断面図である。
構造の断面図である。
第４図では、絶縁基板３１上に第１の成極材料膜として
Ｓ１膜等からなる第１の電極配線６２が形成され、層間
絶縁膜３６を介して、該層間絶灯膜３３に開けら才また
コンタクト穴６４を通して、第１の成極材料膜３５とし
ての８１膜等が形成され、該第１の電極材料膜５３′上
に第２の電４誤材料族としてＴｉ等の金属膜あるいけソ
リサイド膜からなる第２の電極配線３５が形成されて成
る。
Ｓ１膜等からなる第１の電極配線６２が形成され、層間
絶縁膜３６を介して、該層間絶灯膜３３に開けら才また
コンタクト穴６４を通して、第１の成極材料膜３５とし
ての８１膜等が形成され、該第１の電極材料膜５３′上
に第２の電４誤材料族としてＴｉ等の金属膜あるいけソ
リサイド膜からなる第２の電極配線３５が形成されて成
る。
第５図は本発明の更にその他の冥晦？＋１を示す多層配
線構造の断面図である。
線構造の断面図である。
第５図では、絶縁基板４１上に第１の成極材料膜として
Ｂｔ膜等からなる第１の電極配線４２の表面には第２の
電極材料膜４６としてＴ１等から金属膜かあるいはソリ
サイド膜が形成され、層間絶縁膜４４を介して、該層間
絶縁膜４４ｒ（開けられたコンタクト穴４５４通して、
前記第２の電極材料膜４３と同様の膜４６′が形成さす
り、該第２の電極材料膜Ａ３／上に前記第１の電極材料
膜４２と同様の材料〃八らなる第２の電極配Ｉ！！、４
’６が形成さ才ｔて成る。
Ｂｔ膜等からなる第１の電極配線４２の表面には第２の
電極材料膜４６としてＴ１等から金属膜かあるいはソリ
サイド膜が形成され、層間絶縁膜４４を介して、該層間
絶縁膜４４ｒ（開けられたコンタクト穴４５４通して、
前記第２の電極材料膜４３と同様の膜４６′が形成さす
り、該第２の電極材料膜Ａ３／上に前記第１の電極材料
膜４２と同様の材料〃八らなる第２の電極配Ｉ！！、４
’６が形成さ才ｔて成る。
上記実弛例の如く同種材料膜に多１ｆｊ電極配線の接続
部の接続により接触抵抗が小となる効果がある。
部の接続により接触抵抗が小となる効果がある。
第１図は従来技術による多層配線構造の！１月面図を第
２図乃至第５図は本性１明による多層配線構造の実施例
を示す断面図である。 １．１１，２１，５１．４１・・基板、２，１２゜２２
．５２．４２・・・第１の電極配線、３．ｉ４゜２４．
３３．４４・・・層間絶縁膜、４，１５，２５゜３４．
４５・・・コンタクト部、５，１６，２６゜５５．４６
・・・第２の電極配線、１３．１３’。 ２５ ３３’ 、４３’・・・電極劇料膜。
２図乃至第５図は本性１明による多層配線構造の実施例
を示す断面図である。 １．１１，２１，５１．４１・・基板、２，１２゜２２
．５２．４２・・・第１の電極配線、３．ｉ４゜２４．
３３．４４・・・層間絶縁膜、４，１５，２５゜３４．
４５・・・コンタクト部、５，１６，２６゜５５．４６
・・・第２の電極配線、１３．１３’。 ２５ ３３’ 、４３’・・・電極劇料膜。
Claims (4)
- （１）第１の電極材料膜からなる第１の電極配線の裏面
には第２の電極材料膜が形成され、層間絶縁膜を介して
、該層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して第２
の電極材料膜が形成され、該第２の電極材料膜上に第６
の電極材料膜からなる第２の電極配線が形成されて成る
事を％徴とする多層配線。 - （２）第１の電極材料膜からなる第１の電極配線の表面
には第２の電極材料膜が形成され、層間絶縁膜を介して
、該層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して第２
の電極材料族からなる第２の電極配線が形成されて成る
事を特徴とする多層配線。 - （３） 第１の電極材料膜からなる第１の電極配線か形
成され、層間絶縁膜を介して、該層間絶縁ｊ換に開けら
れたコンタクト穴を通して第１の電極材料膜が形成され
、該第１の電極材料膜上に第２の電極材料膜からなる第
２の電極配線が形成されて成る事を％徴とする多層配線
。 - （４）第１の電極材料膜からなる第１の電極配線の表面
には第２の電極材料膜が形成され、層間絶縁膜を介して
、該層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して前記
第２の電極材料膜が形成され、該第２の電極材料膜上に
前記第１の電極材料膜からなる第２の電極配線が形成さ
れて成ることを特徴とする多層配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15987583A JPS6050944A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 多層配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15987583A JPS6050944A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 多層配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050944A true JPS6050944A (ja) | 1985-03-22 |
Family
ID=15703109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15987583A Pending JPS6050944A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 多層配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050944A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03290931A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP15987583A patent/JPS6050944A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03290931A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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