JPS6049651A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6049651A JPS6049651A JP15918683A JP15918683A JPS6049651A JP S6049651 A JPS6049651 A JP S6049651A JP 15918683 A JP15918683 A JP 15918683A JP 15918683 A JP15918683 A JP 15918683A JP S6049651 A JPS6049651 A JP S6049651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- wiring layer
- layer
- aluminum wiring
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、耐湿性向上をはかった半導体集積回路装置
に関するものである。
に関するものである。
第１図は従来のこの種の装置の一例を示したものである
。この図で、１は半導体基板、２．３はそれぞれ前記半
導体基板１上に形成された拡散層とポリシリコン層であ
り、これらは絶縁体層４に開けられたコンタクト孔５を
通じてアルミ配線層６と接続されている。
。この図で、１は半導体基板、２．３はそれぞれ前記半
導体基板１上に形成された拡散層とポリシリコン層であ
り、これらは絶縁体層４に開けられたコンタクト孔５を
通じてアルミ配線層６と接続されている。
ところで、アルミ配線層６は蒸着あるいはスパッタなど
の技術を用いて堆積するが、コンタクト孔５のエツジ部
分は、７０００〜８０００Ａという大きな誤差もあるた
め堆積しにくく、その結果、その厚さは他の部分と比べ
て一般的に薄（なる。
の技術を用いて堆積するが、コンタクト孔５のエツジ部
分は、７０００〜８０００Ａという大きな誤差もあるた
め堆積しにくく、その結果、その厚さは他の部分と比べ
て一般的に薄（なる。
そのため、チップ内部に外部より水が浸入し、アルミ配
線層６の腐食か起った場合、コンタクト孔５のエツジ部
分でアルミ配線層６の断線が起り易いという問題点があ
った。
線層６の腐食か起った場合、コンタクト孔５のエツジ部
分でアルミ配線層６の断線が起り易いという問題点があ
った。
この発明は、上記のような従来の問題点火解決するため
になされたもので、アルミ配線層を２層構造とし、半導
体基板上に形成された拡散層などと接続される第１のア
ルミ配線層のコンタクト孔のコンタクト領域上に、２層
目のアルミ配線層を接続スる第２のコンタクト孔を設け
、かつ、第１のコンタクト孔よりも第２のコンタクト孔
の方を大きくすることにより、コンタクト領域でアルミ
の腐食による断Ｒ１ｌ防止することを目的としている。
になされたもので、アルミ配線層を２層構造とし、半導
体基板上に形成された拡散層などと接続される第１のア
ルミ配線層のコンタクト孔のコンタクト領域上に、２層
目のアルミ配線層を接続スる第２のコンタクト孔を設け
、かつ、第１のコンタクト孔よりも第２のコンタクト孔
の方を大きくすることにより、コンタクト領域でアルミ
の腐食による断Ｒ１ｌ防止することを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例を示す断面図である。なお
、以下の説明では、ＭＯ８形半導体集積回路装置につい
て説明する。第２図において、第１図と同一符号は同じ
ものを示すが、以下ではコンタクト孔５に第１のコンタ
クト孔５という。拡散層２とポリシリコン層３は第１の
絶縁体層４に開けられた第１のコンタクト孔５火通じて
第１のアルミ配線層６と接続している。７は第２のアル
ミ配線層であり、第２の絶縁体層８に開けられた第２の
コンタクト７Ｌ９Ｙ通じて第１のアルミ配線層６と重ね
合わされて接続されている。ここで、第２のコンタクト
孔９は、第１のコンタクト孔５のコンタクト領域上に形
成し、かつ、第１のコンタクト孔５よりも大きくしてい
る。
、以下の説明では、ＭＯ８形半導体集積回路装置につい
て説明する。第２図において、第１図と同一符号は同じ
ものを示すが、以下ではコンタクト孔５に第１のコンタ
クト孔５という。拡散層２とポリシリコン層３は第１の
絶縁体層４に開けられた第１のコンタクト孔５火通じて
第１のアルミ配線層６と接続している。７は第２のアル
ミ配線層であり、第２の絶縁体層８に開けられた第２の
コンタクト７Ｌ９Ｙ通じて第１のアルミ配線層６と重ね
合わされて接続されている。ここで、第２のコンタクト
孔９は、第１のコンタクト孔５のコンタクト領域上に形
成し、かつ、第１のコンタクト孔５よりも大きくしてい
る。
なお、上記実施例では、ＭＯ８形半導体集積回路装置に
ついて説明したが、その他の半導体集積回路装置におい
ても同様の効果があり、また、アルミ配線以外の他の金
属材料を使った配線に対しても同じ効果を奏する。
ついて説明したが、その他の半導体集積回路装置におい
ても同様の効果があり、また、アルミ配線以外の他の金
属材料を使った配線に対しても同じ効果を奏する。
以上説明したように、この発明は、半導体基板上に形成
された拡散層などと接続された第１のアルミ配線層の第
１のコンタクト孔のコンタクト領域上に、前記第１のア
ルミ配線層と接続される第２のアルミ配Ｉｉ！ｊ！層の
第２のコンタクト孔を前記第１のコンタクト孔より太き
（形成して第１．第２のアルミ配線層７重ね合わせて接
続したので、第１のコンタクト孔のエツジ部分のアルミ
配線層の厚さは、従来の場合と比べて厚くなり、その結
果、腐食によるアルミ配線層の断線が起りにくくなる効
果が得られる。
された拡散層などと接続された第１のアルミ配線層の第
１のコンタクト孔のコンタクト領域上に、前記第１のア
ルミ配線層と接続される第２のアルミ配Ｉｉ！ｊ！層の
第２のコンタクト孔を前記第１のコンタクト孔より太き
（形成して第１．第２のアルミ配線層７重ね合わせて接
続したので、第１のコンタクト孔のエツジ部分のアルミ
配線層の厚さは、従来の場合と比べて厚くなり、その結
果、腐食によるアルミ配線層の断線が起りにくくなる効
果が得られる。
第１図は従来のＭＯ８形半導体集積回路装置の断面構造
の一例を示す図、第２図はこの発明の一実施例の断面構
造ケ示す図である。 図中、１は半導体基板、２は拡散層、３はポリシリコン
層、４および８は絶縁体層、５および９はコンタクト孔
、６および７はアルミ配線層である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図
の一例を示す図、第２図はこの発明の一実施例の断面構
造ケ示す図である。 図中、１は半導体基板、２は拡散層、３はポリシリコン
層、４および８は絶縁体層、５および９はコンタクト孔
、６および７はアルミ配線層である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された拡散層などと第１のコンタク
ト孔を介して接続された第１のアルミ配線層を有する半
導体集積回路装置において、前記第１のコンタクト孔の
コンタクト領域上に、前記第１のアルミ配線層と接続さ
れる第２のアルミ配線層の第２のコンタクト孔を前記第
１のコンタクト孔より太きく形成し、前記第１のアルミ
配線層に前記第２のアルミ配線層を重ね合わせて接続し
たことｙ！ｌ−特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15918683A JPS6049651A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15918683A JPS6049651A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049651A true JPS6049651A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15688188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15918683A Pending JPS6049651A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049651A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961104A (en) * | 1987-04-24 | 1990-10-02 | Nec Corporation | Multi-level wiring structure of semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15918683A patent/JPS6049651A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961104A (en) * | 1987-04-24 | 1990-10-02 | Nec Corporation | Multi-level wiring structure of semiconductor device |
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