JPH041731Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、基板上に金属配線を有する構造の半
導体装置に関する。

〔考案の概要〕

この考案は、基板上の絶縁層上に形成された金
属配線を有してなる半導体装置において、孤立し
て形成されるダミー電極を絶縁層の開口部に形成
し該ダミー電極と金属配線を接続させることによ
り、上記金属配線の剥がれ等を防止したものであ
る。

〔従来の技術〕

一般に、半導体装置即ち半導体集積回路等にお
いては、素子同士の配線や外部端子との接続の為
の配線として、低抵抗な金属配線が用いられてい
る。この金属配線は、例えば、Al等の金属を絶
縁層上に例えば蒸着法によつて被着し、該被着さ
れたAl層を所定のパターンにパターニングして
形成されている。

ここで、このような金属配線構造の半導体装置
の一例を、第３図及び第４図を参照しながら簡単
に説明する。

先ず、第３図及び第４図に示すように、従来の
半導体装置には、基板１１上に下層配線層１３
ａ，１３ｂがそれぞれ形成されている。この下層
配線層１３ａ，１３ｂは、例えば多結晶シリコン
で形成されている。これら下層配線層１３ａ，１
３ｂを被覆するように絶縁層１２が全面に被着形
成されている。この絶縁層１２は例えば酸化シリ
コンで形成されている。絶縁層１２には、上記下
層配線層１３ａ，１３ｂとコンタクトをとるため
のコンタクト孔１６，１５が形成される。そし
て、金属配線として距離の長いAl配線１４が上
記絶縁層１２上に施され、該Al配線１４は上記
下層配線層１３ａと上記下層配線層１３ｂの配線
として機能する構造になつている。

〔考案が解決しようとする問題点〕

このように絶縁層１２上に金属配線が施される
構造の半導体装置は、上記金属配線即ち距離の長
いAl配線１４等が剥がれて配線の機能が果たせ
ないような問題を生じている。

即ち、Al配線１４が距離も長く引き回されて
いる場合には、当該Al配線１４が剥がれ易く、
最近の半導体装置の高集積化から、配線自体も幅
が狭くなり、絶縁層１２上に施されるAl配線１
４は、熱収縮、衝撃、振動等に影響されて剥がれ
てしまう。そして、Al配線１４が剥がれた場合
には、断線等の弊害が生じ、また、高集積化から
隣接する配線との間隔も狭くなり、従つて、Al
配線１４の剥がれによつて、短絡等の弊害も生ず
る。

そして、これらの弊害は、例えばAl配線１４
に段差があつた場合に該段差部で顕著である。

そこで、本考案は上述の問題点に鑑み、半導体
装置の高集積化に対応し、金属配線の剥がれ等の
弊害のない半導体装置の提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案は、基板上の絶縁層上に形成された金属
配線構造を有する半導体装置において、 上記絶縁層の開口部に孤立したダミー電極が形
成されており、上記金属配線が上記ダミー電極に
接続されてなる半導体装置により上述の問題点を
解決する。

〔作用〕

絶縁層の開口部に孤立したダミー電極が形成さ
れ、このダミー電極と金属配線が接続するため、
細長く金属配線を配設しても、各ダミー電極部分
において確実に接続するため、容易に剥がれるこ
とがない。

また、上記ダミー電極は、例えば下層配線層と
同時に形成することもでき、同様にそのコンタク
ト孔は、上記下層配線層への接続のためのコンタ
クト孔の形成と共に形成し得るものである。従つ
て、プロセス上、特に工程を増加させることなく
形成し得る。

〔実施例〕

本考案の好適な実施例を図面を参照しながら説
明する。

本実施例の半導体装置は、第１図および第２図
に示すように、基板５上の絶縁層２上に形成され
た金属配線３を有する半導体装置であつて、上記
絶縁層２の開口部であるコンタクト孔４の部分に
孤立して形成されるダミー電極１が配設されてな
る例である。

先ず、本実施例の半導体装置は、上記基板５上
に形成される下層配線層６ａと下層配線層６ｂを
接続するように蒸着等により形成される金属配線
３が上記絶縁層２上に形成されている。上記金属
配線３は、上記絶縁層２上で長く引き回されてお
り、この金属配線３とは、コンタクト孔８を介し
て下層配線層６ａが接続し、又、コンタクト孔７
を介して下層配線層６ｂが接続するようになつて
いる。上記金属配線３の下部であり且つ上記基板
５の上には、上記長距離に配線されている金属配
線３に沿つて孤立して形成されるダミー電極１が
複数個形成されている。これらダミー電極１は、
金属配線３の剥がれを防止するのに十分な間隔に
パターン形成したものであつて、これらダミー電
極１と、上記絶縁層２を開口して配設される複数
個のコンタクト孔４を介して上記金属配線３が接
続することにより、上記金属配線３の剥がれを防
止している。

このような上記金属配線３の剥がれを防止する
ダミー電極１は、適当な間隔をおいて配置され、
例えば上記金属配線３の配線幅のおよそ２倍程度
を一辺とする角形のパターンである。そして、こ
れらダミー電極１は、上記下層配線層６ａ，６ｂ
と共に形成することができる。すなわち、上記下
層配線層６ａ，６ｂは基板５上にフオトリソグラ
フイ技術を用いてパターニングされて形成されて
いるが、これら下層配線層６ａ，６ｂの形成と同
時に、上記ダミー電極１をパターン形成すれば良
い。

また、これらダミー電極１は、孤立して形成さ
れる当該ダミー電極１の位置に合わせてコンタク
ト孔４を形成し、この形成されるコンタクト孔４
を介して上記金属配線３と接続するものである。
ここで、これらダミー電極１の位置に合わせて形
成される孔４は、上記下層配線層６ａ，６ｂと上
記金属配線３の接続のために用いられるコンタク
ト孔８，７と同時に形成することが可能となつて
いる。従つて、本実施例の半導体装置は、上記ダ
ミー電極１のパターン形成とも併せて、プロセス
上特に工程を付加することもなく製造し得る構造
になつている。

このようにダミー電極１を適当な間隔をおいて
孤立して配設し、上記金属配線３と接続させた場
合は、この接続部分で接着が良好となり、容易に
剥がれるような弊害は防止される。そして、特に
上記金属配線３の配線幅が、高集積化に対応して
狭くなつてきた場合には、特に有効な構造であ
る。また、半導体装置の多層構造化に対応し、段
差等があつても確実な配線を実現し得る。

尚、基板５は、絶縁層を被着形成させた半導体
基板等であり、また、これに限定されず、多層構
造の半導体装置の何層目かが形成されたものであ
つても良い。絶縁層２は、例えば酸化シリコン等
の材料であり、金属配線３は例えばAl，Al−Si
等の配線材料であつて、特に限定されるものでな
い。

〔考案の効果〕

本考案の半導体装置は、孤立したダミー電極に
より金属配線の固定を確実なものとするため、当
該金属配線が剥がれる弊害を防止することができ
る。また、本考案の半導体装置を製造する場合
は、プロセス上も特に工程を付加することなく上
記ダミー電極等を形成することができ、半導体装
置の高集積化、多層化に対応して確実な半導体装
置を提供できる。更に、上記金属配線の剥がれ等
がなく、また、短絡等も防止されるので、歩留り
の向上等を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る半導体装置の断面図、第
２図はその平面図、第３図は従来例の断面図、第
４図は従来例の平面図である。 １……ダミー電極、２……絶縁層、３……金属
配線、４……コンタクト孔、５……基板。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 基板上の絶縁層上に形成された金属配線構造を
   有する半導体装置において、 上記絶縁層の開口部に孤立したダミー電極が形
   成されており、上記金属配線が上記ダミー電極に
   接続されてなる半導体装置。