JPS63211672A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に。

半導体基板上の第１配線と、この第１配線上を延在する
第２配線との接続技術に適用して有効な技術に関するも
のである。

〔従来技術〕

半導体基板上の例えば第１層目のアルミニウム配線と第
２層目のアルミニウム配線は、それらの間を絶縁してい
る絶縁層に接続孔を形成することによって接続していた
。しかしながら、半導体集積回路装置の高集積化に伴っ
て接続孔が微細化されるため、接続孔内で断線を生じ、
良好に接続することが困難になってきている。

そこで、接続孔を用いずに例えば第１層目の配線を第２
層目の配線に接続する技術が、特願昭５９−１２１７１
９号に記載されている。この技術は、半導体基板上全面
に、まず第１層目の配線となる第１Ｍ！ｊ目のアルミニ
ウム膜、エツチングストッパとしてのＭＯ５Ｗ、Ｔｉ等
の高融点金属膜、第２層目のアルミニウム膜を順次積層
する０次に。

レジスト膜からなるマスクを用いて第２層目のアルミニ
ウム膜をパターニングして柱状（台座状）の接続用導体
層を形成し、続いて同一のエツチングマスクを用い、エ
ツチングガスを変えてエツチングストッパとしての高融
点金属層をパターニングする。次に、レジスト膜からな
る新たなマスクを用いて第１層目のアルミニウム膜をパ
ターニングすることにより第１層目の配線を形成する。

第１層目の配線に接続する第２層目の配線は、第３層目
のアルミニウム膜を用いて形成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明者は、前記特願昭５９−１２１７１９号に記載さ
れている技術を検討した結果１次の問題点を見出した。

すなわち、第１層目の配線としての第１層目のアルミニ
ウム膜と、接続用導体層としての第２層目のアルミニウ
ム膜との間に、それらアルミニウム膜と材質の異る高融
点金属膜が介在している。

このため、第１層目の配線と第２層目の配線との間の接
続抵抗が高くなる。

また、高融点金属膜とアルミニウム膜の間は。

アルミニウム膜同志に比べ剥がれ易いので、水分や化学
薬品が浸入し易い。

本発明の目的は、半導体基板上の第１配線と、該第１配
線の上を延在する第２配線との接続の信頼性を高めるこ
とにある。

本発明の他の目的は、第１配線あるいは第１配線をその
上の第２配線に接続するための接続用下地層の加工性を
向上する技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、第１配線の下に設ける接続用下地
層を製造工程の増加なく形成する技術を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、第１配線を第２配線に接続するた
めの接続用下地層を前記第１配線のセルファラインで形
成する技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、半導体基板上に接続用下地層を設け、この接
続用下地層の上に前記第１配線の第２配線が接続する部
分を載せることによって持ち上げて、前記第２配線に接
続するものである。

〔作用〕

上述した手段によれば、第１配線と第２配線の接続部分
の間にそれらと異る異種金属が介在しないので、第１配
線と第２配線の接続抵抗を低減することができる。また
、第１配線と第２配線の間が剥がれにくくなるので、腐
蝕しにくくすることができる。

〔実施例！〕

以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第１図は、バイポーラトランジスタの平面図、第２図は
、第１図のＡ−Ａ切断線における断面図である。

なお、第１図の平面図は、半導体基板上の構成を見易く
するため、フィールド絶縁膜以外の絶縁膜を図示してい
ない。

第１図、第２図において、１はｐ”型単結晶シリコンか
らなる半導体基板（以下、基板という）であり、２は基
板１を選択的に酸化して形成した酸化シリコン膜からな
るフィールド絶縁膜であり、３はｐ型チャネルストッパ
領域である。

基板１にバイポーラトランジスタを構成しているが、こ
のバイポーラトランジスタは、ｎ３埋込み層４、ｎ−型
半導体領域からなるコレクタ領域５、ｐ−型半導体領域
からなるベース領域６、ｎ１型半導体領域からなるエミ
ッタ領域７．ｎ゛型半導体領域からなるコレクタの引き
出しく電極接続）領域８とで構成している。９は基板１
のフィールド絶縁膜２から露出する表面を熱酸化して形
成した薄い酸化シリコン膜からなる絶縁膜であり、ベー
ス領域６、エミッタ領域７、引き出し領域８の表面を覆
っている。基板１上の全面を例えばＣＶＤによるリンシ
リケートガラス（Ｐ　Ｓ　Ｇ）膜と、この上に塗布ガラ
ス（ＳＯＧ）膜を積層して構成した絶縁膜１０が覆って
いる。なお、ＳＯＧ膜の上面は、絶縁膜１０の上面の平
担性を良くするため、例えばフッ酸系のエツチング液に
よってエツチングしである。バイポーラトランジスタの
ベース領域６、エミッタ領域７、引出し領域８上の所定
の領域に絶縁膜９．１０を選択的に除去して形成した接
続孔１１を通して１例えばスパッタによる第１層目のア
ルミニウム膜からなる配線層１２が接続している。

配線１２は１μｍ程度の膜厚を有し、またそれぞれの配
線１２が絶縁膜１０の上を延在して、例えばスパッタに
よる第２層目のアルミニウム膜からなる配線層１５に接
続している。

本実施例では、配線１２が配線１５に接続する部分にお
いて、その配線１２の下すなわち配線１２と絶縁膜１０
の間に例えばＣＶＤによる多結晶シリコン膜からなる接
続用下地層１３を設け、これによって配線１２の接続部
分を持上げて配線１５に接続している。

接続用下地層１３の膜厚は、絶縁膜１４と配線１２の厚
に依るが１例えば３０００〜５０００人程度にしている
。また、上から見た接続用下地層１３の形状は特に限定
する必要はないが、正方形状にしている。また、第１図
に示された３本の配線１２ごとに接続用下地層１３を設
けている。

ここで、接続用下地層１３の配線１２によって覆われて
いる側面１３Ａは、配線１２をパターニングするための
例えばレジスト膜からなるマスクと別のマスクによって
規定されている。配線１２で覆われていない３つの側面
１３Ｂは、配線１３をパターニングするための例えばレ
ジスト膜からなるマスクと同一マスクで規定されている
。すなわち、接続用下地層１３の三辺は配線１２に対し
てセルファライン（自己整合）となっている。この接続
用下地層１３の上面に配線１２が載っている。配線１２
の接続用下地層１３によって持ち上げられている部分の
上面を除いて、配線１２は例えばバイアススパッタによ
る酸化シリコン膜からなる絶縁膜１４が覆っている。

接続用下地層１３の膜厚は、配線１２と１５の間の耐圧
及びそれら配線１２．１５の配線容量を少くする上では
厚い方が好ましく、配線１２の接続用下地層１３と絶縁
膜１０の間の段差部における加工性を良くする上では薄
い方が好ましい。絶縁膜１４の上面は平担になっており
、配線１２の接続用下地層１３によって持ち上げられて
いる部分の上面は絶縁膜１４から露出している。この露
出している配線１２の上面と絶縁膜１４の上面の間は段
差なく平担になっている。

また、絶縁膜１４の上を配線１５が延在し、前記配線１
２の露出している上面に接続している。

以上の構成により、以下の効果を得ることができる。

配線１２と配線１５が接続している間にＭｏ、Ｗ、Ｔｉ
、Ｔａ等の異種金属が介在していないことにより、それ
らの間の接続抵抗が低減される。

また、配線１２と１５の接続が本実施例では同種金属す
なわちアルミニウム同志の接続となっているため、それ
らの間に異種金属を介在させたときより被着性が良好と
なり、配線１２と１５の間の剥がれ及び水分や化学薬品
の浸入を防止することができる。

また、接続用下地層１３のパターンが配線１２を形成す
るためのマスクと同一マスクで規定されているので、接
続用下地層１３と配線１２の間のマスク合せをなくすこ
とができる。これにより、配線１２及び又は１５の他の
配線との接続部分を他の部分より太くしたいわゆるドツ
グボーン形状に形成しなくともよいので、配線１２間の
間隔を小さくすることができる。なお、配線１５の配線
１２に接続する部分はドツグボーン形状にしている。

次に１本実施例の半導体集積回路装置の製造袋法を説明
する。

第３図乃至第１５図は、バイポーラトランジスタの製造
工程における断面図である。

第３図に示すように１周知のエピタキシャル層形成技術
、エツチング技術、選択酸化技術、熱拡散技術、イオン
打ち込み技術等を使って、基板１にｐ型チャネルストッ
パ領域３、ｎ°型埋込み層４゜ｎ−型コレクタ領域５．
熱酸化による酸化シリコン膜からなるフィールド絶縁膜
２、ｐ型ベース領域６、ざ型引出し領域８、熱酸化によ
る酸化シリコン膜からなる絶縁膜９を形成する。

次に、第４図に示すように５例えばＣＶＤによって基板
１上の全面にＰＳＧ膜からなる絶縁膜１０を形成する。

なお、絶縁膜１０の平担性を良くするために、例えばＰ
ＳＧ膜の上にＳＯＧ膜を塗布し。

このＳＯＧ膜をフッ酸系のエツチング液でエッチバック
してもよい１次に、接続用下地層１３を形成するために
絶縁膜１０上の全面に例えばＣＶＤによって多結晶シリ
コン膜１３を形成する。多結晶シリコン膜１３の膜厚は
、３０００〜５０００人程度にする。なお、多結晶シリ
コン膜１３の膜厚を１μｍ程度に厚くして、後に形成す
る絶縁膜１４の膜厚を厚くするようにしてもよい。

次に、第５図及びそのＡ−Ａ切断線における断面図であ
る第６図に示すように、図示していない例えばレジスト
膜からなるマスクを用いた反応性イオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）で多結晶シリコン膜１３をバターニングして接続
用下地層１３を形成する。

第５図には接続用下地層１３が３個示されている。

この時点では、３個のそれぞれの接続用下地層１３は、
後に配線１２によって覆れる側面１３Ａのみが所定位置
すなわち製品完成時における位置に決められ、それ以外
の側面１３Ｂの位置は製品完成時の位置より外側にされ
ている。すなわち、このエツチング工程でパターニング
された接続用下地層１３は、第１図に示した製品完成時
のものより大きくされている。これは、後に、配線１２
のパターンを規定するマスクと同一マスクで接続用下地
層１３の側面１３Ｂを規定するためである。

次に、第７図に示すように、絶縁膜１０及び９のエミッ
タ領域７となる領域の上の部分を例えばレジスト膜から
なるマスクを用いたエツチングによって選択的に除去し
て開口１１を形成する。レジスト膜からなるマスクは開
口１１を形成した後に除去する。次に、絶縁膜１０．９
をマスクとし、イオン打込みによって開口１１を通して
ｎ型不純物例えばリン又はヒ素を尋人してｎ０型エミツ
タ領域７を形成する。

次に、第８図に示すように１図示していないレジスト膜
からなるマスクを用いたエツチングによってベース領域
６及び引き出し領域８の上の絶縁膜１０及び９を選択的
に除去して、開口１１を形成する。レジスト膜からなる
マスクは開口１１を形成した後に除去する。

次に、第９図に示すように、例えばスパッタによって基
板１上の全面に膜厚が１μｍ程度のアルミニウム膜１２
を形成する。

次に、第１０図及びそのＡ−Ａ切断線における断面図で
ある第１１図に示すように、アルミニウム膜１２上にレ
ジスト膜からなるマスク１６を形成し、まずアルミニウ
ム膜１２のマスク１６から露出している部分をエツチン
グによって除去して配線１２を形成する。接続用下地層
１３が配線１２と異る材質本実施例では多結晶シリコン
膜からなるので、製造工程において接続用下地層１３は
配線１２と明確に区別することができる。換言すれば、
配線１２は基板１上のどの部分でもほぼ同様の膜厚とな
っている。

次に、第１２図及びそのＡ−Ａ切断線における断面図で
ある第１３図に示すように、配線１２のパターニングに
用いたマスク１６を使用し、接続用下地層１３のマスク
１６及び配４１１２から露出している部分をエツチング
する。

このように、接続用下地層１３の側面１３Ｂは配線１２
のセルファラインで規定されるので、それらの間にはマ
スク合せが不要である。このため、配線１２の配線１５
が接続する部分をドツグボーンに形成していない。配、
［１２及び接続用下地層１３をバターニングした後にマ
スク１６を除去する。

なお、マスク１６は、平担化のための有機物膜（レジス
ト膜）、無機物膜（酸化シリコン膜）。

感光性の有機物１１！！（レジスト膜）を順次塗布して
形成した多層膜としてもよい。この多層レジスト膜とす
ることにより、マスク１６の平担性を良くすることがで
きるので、アルミニウム膜１２の加工性を向上すること
ができる。

次に、第１４図に示すように、例えばバイアススパッタ
によって基板１上の全面に酸化シリコン膜からなる絶縁
膜１４を形成する。絶縁膜１４は配線１２の全上面が覆
れ、また絶縁膜１４の上面が平担になるように充分に厚
く形成する。

次に、第１５図に示すように、絶縁膜１４をＲＩＥでエ
ッチバックして配線１２の接続用下地層１３に載ってい
る部分の上面を露出させる。接続用下地層１３に載って
いる部分以外の部分は絶縁膜１４で覆れている。この後
、絶縁膜１４上の全面に例えばスパッタによって膜厚が
１μｍ程度のアルミニウム膜を形成し、これをレジスト
膜からなるマスクを用いたエツチングでバターニングし
て第１図及び第２図に示した配線１５を形成する。

以上、説明したように、本実施例の製造方法によれば、
接続用下地層１３を配線１２に対してセルファラインで
形成することができる。

また、接続用下地層１３が配線１２と異る材質からなる
ことから配線１２は接続用下地層１３と明確に分けられ
、したがって、配線１２は基板１上のどの部分でもほぼ
同様の膜厚となる。これにより、配線１２のパターニン
グ時の加工性を向上することができる。また、配線１２
を形成するときのオーバエッチによって接続用下地層１
３が不要にエッチされることがなく、同様に、接続用下
地層１３を形成するための２回目のエツチング時に配線
１２がエツチングされることがない。

なお、接続用下地層１３の材料は多結晶シリコン膜に限
定されるものではなく、例えば窒化シリコン膜又は酸化
シリコン膜等の絶縁膜、アモルファスシリコン膜等であ
ってもよい。

また、配線１２と同一材料（本実施例ではアルミニウム
膜）であってもよい。この場合、接続用下地層１３と配
線１２がともにアルミニウム膜で形成されることになる
が、前述の製造方法のように接続用下地ＭＩＪ１３を配
線１２に対してセルファラインで形成することができる
ので、配線１２の加工性あるいは接続用下地層１３の加
工性が損なわれることはない。

〔実施例■〕

第１６図乃至第２０図は、実施例■の製造工程における
バイポーラトランジスタの平面図または断面図である。

なお、第１７図の平面図は、構成を見易くするため、フ
ィールド絶縁膜２以外の絶縁膜を図示していない。

実施例■は、エミッタ領域７に接続する電極１７を多結
晶シリコン膜で形成し、これと同層の多結晶シリコン膜
で接続用下地層１３を形成するものである。

第１６図に示すように、ベース領域６のエミッタ領域７
となる部分の上の絶縁１１ｉ９をレジスト膜からなるマ
スクを用いたエツチングによって除去して開口１１を形
成する。開口１１を形成した後にエツチングに用いたマ
スクは除去する。次に１例えばＣＶＤによって基板１上
の全面に多結晶シリコン膜１７を３０００〜５０００人
程度の膜厚に形成する。なお、多結晶シリコン膜１７の
膜厚は前記の値に限定されるものではなく、後に形成す
る配線１２と１５の間の絶縁破壊耐圧を高くし、配線容
量を小さくする上ではさらに厚くしてもよく、配線１２
の接続用下地層１３の部分における加工性を良くする上
では薄くしてもよい。多結晶シリコン膜１７は。

開口１１を通して基板１に接続している。多結晶シリコ
ン膜１７は例えば熱拡散、イオン打込み等によってリン
、ヒ素等のｎ型不純物を導入して低抵抗化を図る。次に
、アニールを施して多結晶シリコン膜１７の活性化を図
るとともに、多結晶シリコン膜１７中のｎ型不純物を導
入してｎ゛型エミッタ領域７を形成する０次に、図示し
ていないレジスト膜からなるマスクを用いたエツチング
によって多結晶シリコン膜１７をパターニングしてエミ
ッタ電極１７と接続用下地層１３を形成する。レジスト
膜からなるマスクはエツチングの後に除去する。ここで
接続用下地層１３及びエミッタ電極１７は、その平面の
形状をそれらに接続する配線１２で規定するようにする
ため、第１７図に示したように、製品完成後における接
続用下地層１３及びエミッタ電極１７より大きく形成す
る。

次に、第１７図及びそのＡ−Ａ切断線における断面図で
ある第１８図に示すように、ベース領域６及び引出し領
域８上の絶、Ｉｌ［９をレジスト膜からなるマスクを用
いたエツチングによって選択的に除去して開口１１を形
成する。開口１１を形成した後にレジスト膜からなるマ
スクは除去する。次に。

例えばスパッタによって基板１上の全面にアルミニウム
膜を１μｍ程度の膜厚に形成し、これをレジスト膜から
なるマスクを用いたエツチングによってパターニングし
てベース領域６、エミッタ電極１７、引出し領域８に接
続するそれぞれの配線１２を形成する。エツチングに用
いたマスクは、そのまま残存させる。配線１２が接続孔
を用いずにエミッタ電極１７の上面及び側面に直接接続
している。

また、それぞれの接続用下地層１３の上に配線１２が被
着している。

次に、第１９図に示すように、配線１２のパターニング
に用いたレジスト膜からなるマスクを用いて、接続用下
地層１３及びエミッタ電極１７の前記マスクから露出し
ている部分をエツチングする。この後、レジスト膜から
なるマスクを除去する。このように、接続用下地層１３
及びエミッタ電極１７が配線１２のセルファラインで形
成できる。

次に、第２０図に示すように１例えばバイアススパッタ
によって配線１２の全上面を覆いかつその上面が平担に
なるように酸化シリコン膜からなる絶縁膜１４を厚く形
成し、これをＲＩＥでエッチバックして配線１２の接続
用下地層１３に載っている部分の上面を露出させる。こ
のとき、エミッタ電極１７に接続している配４１１２は
、そのエミッタ電極１７に接続している部分の上面が絶
縁膜１４から露出する０次に、実施例■と同様に、絶縁
膜１４上に第２層目のアルミニウム膜からなる配線１５
を形成する。

なお、エミッタ電極１７上の配線１２の露出している上
面は、露出させたままであってもよく、また図示してい
ない他のトランジスタに接続する第２層目のアルミニウ
ム膜からなる配線１５を接続するようにしてもよい。

本実施例によれば、エミッタ電極１７と同一層の多結晶
シリコン膜を用いて接続用下地層１３を形成することが
できる。

また、接続用下地層１３及びエミッタ電極１７をそれら
に接続または被着する配線１２のセルファラインでパタ
ーニングできる。

なお、接続用下地層１３及びエミッタ電極１７は、多結
晶シリコン膜の上にＭｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉの高融点金属
膜またはそれら高融点金属膜のシリサイド膜を積層した
２層膜で構成してもよい。

また、接続用下地層１３はＭＩＳＦＥＴのゲート電極と
同一工程で形成することもできる。この場合、ゲート電
極及び接続用下地層１３は、多結晶シリコン膜、多結晶
シリコン膜の上に前記高融点金属膜あるいはシリサイド
膜を積層した２層膜で構成する。

〔実施例■〕

第２１図乃至第２４図は、実施例■の製造工程における
バイポーラトランジスタの断面図である。

実施例■は、接続用下地層１３を酸化シリコン膜で形成
するものである。

第２１図に示すように、基板１上の全面に例えばＣＶＤ
によって酸化シリコン膜１３を３０００〜１００００人
程度の膜厚で形成する。

次に、第２２図に示すように、レジスト膜からなるマス
クを用いたエツチングによって酸化シリコン膜１３をパ
ターニングして接続用下地層１３を形成する。接続用下
地層１３を形成した後にレジスト膜からなるマスクは除
去する。接続用下地層１３の平面形状は、後に形成され
る配線１２の接続用下地ｆｆ１３の上に載る部分との間
にマスク合せを要するため、配線１２の幅より大きく形
成する。酸化シリコン膜１３のパターニング時に酸化シ
リコン膜からなる絶縁膜９が除去されて基板１の表面が
露出する。

次に、第２３図に示すように、基板１の露出していた表
面を熱酸化することによって酸化シリコン膜からなる絶
縁膜９を形成する。次に、図示していないレジスト膜か
らなるマスクを用い、イオン打込みによってｎ型不純物
例えばリン、ヒ素等を導入してｎ°型エミッタ領域７を
形成する。イオン打込みの後にレジスト膜からなるマス
クを除去する。

次に、第２４図に示すように、レジスト膜からなるマス
クを用いたエツチングによってベース領域６、エミッタ
領域７、引出し領域８の上の絶縁膜９を除去して開口１
１を形成する。開口１１を形成した後にレジスト膜から
なるマスクを除去する。

次に、例えばスパッタによって基板１上の全面にアルミ
ニウム膜を形成し、これをレジスト膜からなるマスクを
用いたエツチングによってパターニングして、それぞれ
の配線１２を形成する。配線１２を形成した後にレジス
ト膜からなるマスクを除去する。この後、実施例■また
は実施例■と同様に、絶縁膜１４、配線１５を形成する
。

以上１本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。

例えば、本発明はバイポーラトランジスタによって構成
される半導体集積回路装置に限定されるものではなく、
ＭＩＳＦＥＴ又はこれらの双方によって構成される半導
体集積回路装置であってもよい。

また、第１層目配線と第２層目配線の間の接続に限定さ
れるものではなく、例えば第２層目配線と第３層目配線
の間の接続あるいはそれより上層の２層間の配線の接続
に適用できる。

また、アルミニウム配線間の接続に限定されるものでは
なく、例えばＣＶＤによる多結晶シリコン膜、多結晶シ
リコン膜の上にＭｏ、Ｗ、Ｔａ。

Ｔｉ等の高融点金属膜又はそれらのシリサイド膜を積層
して構成した２層膜からなる配線、前記高融点金属膜ま
たはシリサイド層のみからなる配線と、アルミニウム配
線の間の接続に適用できる。

また、前記多結晶シリコン膜、２層膜、高融点金属膜、
シリサイド膜で形成された下層配線と上層配線の間の接
続に適用できる。

また、接続用下地層１３の側面１３Ａ、１３Ｂに被着さ
せて酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜等からなるサイ
ドウオール膜を形成するようにしてもよい。このサイド
ウオール膜は、接続用下地層１３形成後、全面に酸化シ
リコン膜、多結晶シリコン膜等をＣＶＤにより形成し、
これをＲＩＥによってエツチングして形成することがで
きる。これにより、配線１２の接続用下地層１３におけ
る段差被着性を向上することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの効果
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、下側の配線の下に接続用下地層を設けて前記
下側の配線を持ち上げて上側の配線に接続したことによ
り、下側の配線と上側の配線の接続部分の間に異種金属
が介在しないので、それら配線の接続抵抗を低減するこ
とができる。

また、前記配線と配線の間に異種金属が介在していない
ことにより、配線間の被着力が強くなるので、配線間の
剥がれを生じたり、水分や化学薬品の浸入による腐蝕を
生じたりすることがない。

これらにより、配線間の接続の信頼性を高めることがで
きる。

また、下側の配線の下に接続用下地層を設けていること
により、接続用下地層形成時に前記下側の配線がエツチ
ングされることがないので、下側の配線の加工性を向上
することができる。

また、接続用下地層の材質を下側の配線の材質と変えた
ことにより、配線形成時のオーバエッチによって接続用
下地層がエツチングされることがなく、同様に接続用下
地層を形成するための２回目のエツチング時に前記下側
の配線がエツチングされることがない。

また、接続用下地層をバイポーラトランジスタのエミッ
タ電極、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極を形成する工程を用
いて形成することができるので、製造工程の増加なく接
続用下地層を形成することができる。

また、接続用下地層を配線形成時のエツチングによって
パターニングしたことにより、接続用下地層を配線のセ
ルファラインで形成することができる。これにより、配
線の接続用下地層の載る部分をドツグボーンに形成しな
くともよいので、配線間の間隔を大きくできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例Ｉのバイポーラトランジスタの平面図
、 第２図は、第１図のＡ−Ａ切断線における断面図、 第３図乃至第１５図は、前記バイポーラトランジスタの
製造工程における平面図または断面図、第１６図乃至第
２０図は、実施例■のバイポーラトランジスタの製造工
程における平面図または断面図、 第２１図乃至第２４図は、実施例■のバイポーラトラン
ジスタの製造工程における断面図である。 １・・・基板、２・・・フィールド絶縁膜、３・・・ｐ
型チャネルストッパ領域、４・・・ｎ・型埋込み層、５
・・・コレクタ領域、６・・・ベース領域、７・・・エ
ミッタ領域、８・・・引出し領域、９．１０．１４・・
・絶縁膜、１１・・・接続孔、１２．１５・・・配線（
アルミニウム）、１３・・・接続用下地層、１３Ａ、１
３Ｂ・・・台座１３の側面、１６・・・レジスト膜から
なるマスク、１７・・・エミッタ電極（多結晶シリコン
膜）。 第　　１　　図 １５−第Ｚ（前ｆＪ＠ｔイゴに（７レミ≦−クム９第１
４図 第１５図 第１６図 第２０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上の第１配線と、該第１配線の上を延在
   する第２配線と、前記第１配線と第２配線を電気的に接
   続した接続部を有する半導体集積回路装置であって、前
   記第１配線と第２配線の接続部は、半導体基板上に接続
   用下地層を設け、該接続用下地層の上に前記第１配線が
   第２配線に接続する部分を載せることによって持ち上げ
   て前記第２配線に接続したことを特徴とする半導体集積
   回路装置。 ２、前記第１配線と第２配線の間は前記接続部分を除い
   て、層間絶縁膜が絶縁していることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体集積回路装置。 ３、前記接続用下地層は、前記第１配線と異る材質から
   なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
   体集積回路装置。 ４、前記接続用下地層は、バイポーラトランジスタのエ
   ミッタ領域に接続するエミッタ電極またはＭＩＳＦＥＴ
   のゲート電極を構成する多結晶シリコン膜又は多結晶シ
   リコン膜の上に高融点金属膜を積層したポリサイド膜と
   同一工程で形成されることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の半導体集積回路装置。 ５、前記接続用下地層の一部の側面は、前記第１配線の
   パターンを規定するマスクと同じマスクが規定している
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体集
   積回装置。