JP3039163B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3039163B2 JP3039163B2 JP4278056A JP27805692A JP3039163B2 JP 3039163 B2 JP3039163 B2 JP 3039163B2 JP 4278056 A JP4278056 A JP 4278056A JP 27805692 A JP27805692 A JP 27805692A JP 3039163 B2 JP3039163 B2 JP 3039163B2
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- Japan
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- aluminum
- aluminum wiring
- semiconductor device
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミ配線を有する半
導体装置及びその製造方法に関するものである。
導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法では、図３
のようにパターンニングされた上層及び下層のアルミ配
線３，７の表面に処理がされていなかった。また、１は
Ｐ型シリコン基板、２，５は層間膜、９はパッシベーシ
ョンである。
のようにパターンニングされた上層及び下層のアルミ配
線３，７の表面に処理がされていなかった。また、１は
Ｐ型シリコン基板、２，５は層間膜、９はパッシベーシ
ョンである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法では、アルミ配線の表面は絶縁物になっていない
ため、半導体装置使用時において温度変化に伴う樹脂膨
張のストレスにより、隣のアルミ配線及び異層のアルミ
配線アルミ配線と接触した場合、電気的ショートとなり
半導体装置が故障するという問題点があった。
造方法では、アルミ配線の表面は絶縁物になっていない
ため、半導体装置使用時において温度変化に伴う樹脂膨
張のストレスにより、隣のアルミ配線及び異層のアルミ
配線アルミ配線と接触した場合、電気的ショートとなり
半導体装置が故障するという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、アルミ配線同士の接触が
電気的ショートとなることを防止した半導体装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
電気的ショートとなることを防止した半導体装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【０００６】
【課題を解決するための手段】 前記目的を達成するた
め、 本発明に係る半導体装置の製造方法は、相互に積層
されたアルミ配線或いは隣接して設けられたアルミ配線
を有する半導体装置の製造方法であって、アルミ配線の
パターニング後に、該パターニングに用いたエッチング
マスクを前記アルミ配線のパターン上に残した状態で、
前記アルミ配線の表面に熱酸化処理を選択的に行い、そ
の後にアルミ配線の上面及び側面に接してアルミ配線の
全体を覆うように層間膜またはパッシベーション膜を形
成するものである。
め、 本発明に係る半導体装置の製造方法は、相互に積層
されたアルミ配線或いは隣接して設けられたアルミ配線
を有する半導体装置の製造方法であって、アルミ配線の
パターニング後に、該パターニングに用いたエッチング
マスクを前記アルミ配線のパターン上に残した状態で、
前記アルミ配線の表面に熱酸化処理を選択的に行い、そ
の後にアルミ配線の上面及び側面に接してアルミ配線の
全体を覆うように層間膜またはパッシベーション膜を形
成するものである。
【０００７】
【作用】半導体装置使用時において温度変化に伴う樹脂
膨張のストレスにより、アルミ配線が隣のアルミ配線或
いは異層のアルミ配線と接触しても、アルミ配線表面が
絶縁物となっているため、電気的ショートとならず、半
導体装置は故障しなくなる。
膨張のストレスにより、アルミ配線が隣のアルミ配線或
いは異層のアルミ配線と接触しても、アルミ配線表面が
絶縁物となっているため、電気的ショートとならず、半
導体装置は故障しなくなる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】（実施例１）図１（ａ）〜（ｆ）は、本発
明の実施例１に係る半導体チップを工程順に示す断面図
である。
明の実施例１に係る半導体チップを工程順に示す断面図
である。
【００１０】図１（ａ）に示すように、まずＰ型シリコ
ン基板１上に層間膜２を形成し、さらに層間膜２上に下
層アルミ配線３を形成する。
ン基板１上に層間膜２を形成し、さらに層間膜２上に下
層アルミ配線３を形成する。
【００１１】図１（ｂ）に示すように、下層アルミ配線
３の表面を熱酸化により酸化し、酸化アルミ４を形成す
る。
３の表面を熱酸化により酸化し、酸化アルミ４を形成す
る。
【００１２】次に図１（ｃ）に示すように層間膜５を成
長させ、スルーホール６を開口する。この時、スルーホ
ール６に対向した酸化アルミ４はドライエッチングによ
って除去しておく。
長させ、スルーホール６を開口する。この時、スルーホ
ール６に対向した酸化アルミ４はドライエッチングによ
って除去しておく。
【００１３】その後図１（ｄ）に示すように、アルミを
蒸着させ、これをパターンニング，エッチングし上層ア
ルミ配線７を形成する。
蒸着させ、これをパターンニング，エッチングし上層ア
ルミ配線７を形成する。
【００１４】図１（ｅ）に示すようにホトレジスト除去
後、上層アルミ配線７を熱酸化により酸化し、酸化アル
ミ８を形成する。最後にパッシベーション９を成長させ
る。
後、上層アルミ配線７を熱酸化により酸化し、酸化アル
ミ８を形成する。最後にパッシベーション９を成長させ
る。
【００１５】この状態ではボンディングパッド部分には
酸化アルミ８が存在しているので、最後に図１（ｆ）に
示すようにパッドスルーホール１０を形成するために、
パッドスルーホール１０部分の酸化アルミ８はドライエ
ッチングで除去しなければならない。
酸化アルミ８が存在しているので、最後に図１（ｆ）に
示すようにパッドスルーホール１０を形成するために、
パッドスルーホール１０部分の酸化アルミ８はドライエ
ッチングで除去しなければならない。
【００１６】以上のようにアルミ配線３，７の表面は酸
化アルミ４，８で覆われているため、たとえ隣のアルミ
配線，異層のアルミ配線と接触しても電気的にショート
することはなく、半導体装置の故障を防止することがで
きる。
化アルミ４，８で覆われているため、たとえ隣のアルミ
配線，異層のアルミ配線と接触しても電気的にショート
することはなく、半導体装置の故障を防止することがで
きる。
【００１７】（実施例２）図２（ａ）〜（ｆ）は、本発
明の実施例２に係る半導体チップを工程順に示す断面図
である。
明の実施例２に係る半導体チップを工程順に示す断面図
である。
【００１８】図２（ａ）に示すように、まずＰ型シリコ
ン基板１上に層間膜２を形成し、さらに層間膜２上に下
層アルミ配線３を形成する。
ン基板１上に層間膜２を形成し、さらに層間膜２上に下
層アルミ配線３を形成する。
【００１９】図２（ｂ）に示すように、下層アルミ配線
３の表面を熱酸化により酸化し、酸化アルミ４を形成す
る。
３の表面を熱酸化により酸化し、酸化アルミ４を形成す
る。
【００２０】次に図２（ｃ）に示すように層間膜５を成
長させ、スルーホール６を開口する。このとき、スルー
ホール部分の酸化アルミ４はドライエッチングで除去し
ておく。
長させ、スルーホール６を開口する。このとき、スルー
ホール部分の酸化アルミ４はドライエッチングで除去し
ておく。
【００２１】その後図２（ｄ）に示すようにアルミを蒸
着させ、この上にホトレジスト１１を形成し、アルミを
エッチングし、上層アルミ配線７を形成する。このホト
レジスト１１が存在する状態で上層アルミ配線７の表面
に熱酸化により酸化アルミ８を形成する。
着させ、この上にホトレジスト１１を形成し、アルミを
エッチングし、上層アルミ配線７を形成する。このホト
レジスト１１が存在する状態で上層アルミ配線７の表面
に熱酸化により酸化アルミ８を形成する。
【００２２】図２（ｅ）に示すようにホトレジスト１１
を除去後、パッシベーション９を成長させる。
を除去後、パッシベーション９を成長させる。
【００２３】図２に（ｆ）に示すようにボンディングパ
ッド部分では、パッド上表面に酸化アルミ８がないた
め、実施例２によれば、パッドスルーホール１０の開口
は通常のエッチングでよい。
ッド部分では、パッド上表面に酸化アルミ８がないた
め、実施例２によれば、パッドスルーホール１０の開口
は通常のエッチングでよい。
【００２４】以上のようにアルミ配線３，７の表面に酸
化アルミ４，８を形成しているため、たとえ隣のアルミ
配線，異層のアルミ配線と接触しても、電気的にショー
トすることはなく、半導体装置の故障を防止することが
できる。
化アルミ４，８を形成しているため、たとえ隣のアルミ
配線，異層のアルミ配線と接触しても、電気的にショー
トすることはなく、半導体装置の故障を防止することが
できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アルミ配
線表面に絶縁物を形成したため、半導体装置使用時の温
度変化に伴う樹脂膨張ストレスにより、隣のアルミ配
線，異層のアルミ配線と接触しても、電気的ショートに
ならず、半導体装置の故障を防止できるという効果を有
する。
線表面に絶縁物を形成したため、半導体装置使用時の温
度変化に伴う樹脂膨張ストレスにより、隣のアルミ配
線，異層のアルミ配線と接触しても、電気的ショートに
ならず、半導体装置の故障を防止できるという効果を有
する。
【図１】本発明の実施例１に係る半導体チップを工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図２】本発明の実施例２に係る半導体チップを工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ 層間膜 ３ 下層アルミ配線 ４ 酸化アルミ ５ 層間膜 ６ スルーホール ７ 上層アルミ配線 ８ 酸化アルミ ９ パッシベーション １０ パッドスルーホール １１ ホトレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/768
Claims (1)
- 【請求項１】 相互に積層されたアルミ配線或いは隣接
して設けられたアルミ配線を有する半導体装置の製造方
法であって、 アルミ配線のパターニング後に、該パターニングに用い
たエッチングマスクを前記アルミ配線のパターン上に残
した状態で、前記アルミ配線の表面に熱酸化処理を選択
的に行い、その後にアルミ配線の上面及び側面に接して
アルミ配線の全体を覆うように層間膜またはパッシベー
ション膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4278056A JP3039163B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4278056A JP3039163B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104344A JPH06104344A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3039163B2 true JP3039163B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=17592044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4278056A Expired - Lifetime JP3039163B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3039163B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014514524A (ja) * | 2011-03-21 | 2014-06-19 | ネイキッド エナジー リミテッド | 太陽エネルギー変換器 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP4278056A patent/JP3039163B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014514524A (ja) * | 2011-03-21 | 2014-06-19 | ネイキッド エナジー リミテッド | 太陽エネルギー変換器 |
| US9869491B2 (en) | 2011-03-21 | 2018-01-16 | Naked Energy Ltd | Heat transfer device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104344A (ja) | 1994-04-15 |
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