JPH0611080B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0611080B2 JPH0611080B2 JP62038173A JP3817387A JPH0611080B2 JP H0611080 B2 JPH0611080 B2 JP H0611080B2 JP 62038173 A JP62038173 A JP 62038173A JP 3817387 A JP3817387 A JP 3817387A JP H0611080 B2 JPH0611080 B2 JP H0611080B2
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- Japan
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- insulating film
- wiring
- film
- layer
- forming
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線を
有する半導体装置の製造方法に関する。
有する半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の高集積化技術の一つとして多層配線技術が
広く採用されている。
広く採用されている。
従来の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に設けた
下層絶縁膜の上に全面に導電層を設け、該誘電層をパタ
ーニングして下層配線を形成する。次に、前記下層配線
を被覆する上層絶縁膜を設け、該上層絶縁膜に配線接続
用開孔部を設ける。次に、前記開孔部の下層配線と接続
する上層配線を前記上層絶縁膜上に設ける。
下層絶縁膜の上に全面に導電層を設け、該誘電層をパタ
ーニングして下層配線を形成する。次に、前記下層配線
を被覆する上層絶縁膜を設け、該上層絶縁膜に配線接続
用開孔部を設ける。次に、前記開孔部の下層配線と接続
する上層配線を前記上層絶縁膜上に設ける。
上述した従来の半導体装置の製造方法は、導電層をパタ
ーニングして形成する下層配線と上層絶縁膜に形成する
配線接続用の開孔部がそれぞれ違った工程で形成される
ため、下層配線と開孔部との位置ずれが発生し下層配線
と上層配線との接続が不確実になる問題点があった。
ーニングして形成する下層配線と上層絶縁膜に形成する
配線接続用の開孔部がそれぞれ違った工程で形成される
ため、下層配線と開孔部との位置ずれが発生し下層配線
と上層配線との接続が不確実になる問題点があった。
本発明の目的は、配線と配線接続用開孔部との位置ずれ
を無くし、上層配線と下層配線の接続を確実にする半導
体装置の製造方法を提供することにある。
を無くし、上層配線と下層配線の接続を確実にする半導
体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子領域を有
する半導体基板上に前記半導体素子領域の配線接続用窓
を有する下層絶縁膜を設ける工程と、前記窓を含む前記
下層絶縁膜上に導電性を持たせた多結晶シリコン層を形
成し前記多結晶シリコン層の上に配線接続用開孔部と下
層配線パターンとを有する上層絶縁膜を選択的に形成す
る工程と、前記開孔部およびその周辺を被覆する耐酸化
性膜を形成し前記上層絶縁膜および耐酸化性膜をマスク
として前記多結晶シリコン層を熱酸化して酸化シリコン
膜を形成する工程と、前記上層絶縁膜の側面段差部に傾
斜表面をなす絶縁膜を形成する工程と、前記耐酸化性膜
を除去して前記開孔部の前記下層配線と接続する上層配
線を設ける工程とを含んで構成される。
する半導体基板上に前記半導体素子領域の配線接続用窓
を有する下層絶縁膜を設ける工程と、前記窓を含む前記
下層絶縁膜上に導電性を持たせた多結晶シリコン層を形
成し前記多結晶シリコン層の上に配線接続用開孔部と下
層配線パターンとを有する上層絶縁膜を選択的に形成す
る工程と、前記開孔部およびその周辺を被覆する耐酸化
性膜を形成し前記上層絶縁膜および耐酸化性膜をマスク
として前記多結晶シリコン層を熱酸化して酸化シリコン
膜を形成する工程と、前記上層絶縁膜の側面段差部に傾
斜表面をなす絶縁膜を形成する工程と、前記耐酸化性膜
を除去して前記開孔部の前記下層配線と接続する上層配
線を設ける工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に関連する技術の半導体
装置の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図である。
装置の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１の表面
に素子領域２を設け、全面に下層絶縁膜３を設ける。次
に、素子領域２の上の下層絶縁膜３に配線接続用窓を設
けた後、前記窓を含む下層絶縁膜３の上に導電層４を設
ける。
に素子領域２を設け、全面に下層絶縁膜３を設ける。次
に、素子領域２の上の下層絶縁膜３に配線接続用窓を設
けた後、前記窓を含む下層絶縁膜３の上に導電層４を設
ける。
次に、第１図（ｂ）に示すように、、導電層４の上に配
線接続用開孔部６と下層配線パターンとを有する上層絶
縁膜５を選択的に設ける。
線接続用開孔部６と下層配線パターンとを有する上層絶
縁膜５を選択的に設ける。
次に、第１図（ｃ）に示すように、開孔部６およびその
周辺にホトレジスト膜７を設け、ホトレジスト膜７と上
層絶縁膜５とを用いて導電層４をエッチングし下層膜８
を形成する。
周辺にホトレジスト膜７を設け、ホトレジスト膜７と上
層絶縁膜５とを用いて導電層４をエッチングし下層膜８
を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、回転塗布法によりシ
リコン化合物を主成分とする溶液またはポリイミド系樹
脂を塗布し熱処理して硅酸ガラス膜またはポリイミド系
樹脂膜からなる絶縁膜９を上層絶縁膜５および下層配線
８の側面段差部に傾斜表面をなすよう形成する。次に、
ホトレジスト膜７を除去し、開孔部６の下層配線８と接
続し、上層絶縁膜５および絶縁膜９の上に延在する上層
配線１０を形成する。
リコン化合物を主成分とする溶液またはポリイミド系樹
脂を塗布し熱処理して硅酸ガラス膜またはポリイミド系
樹脂膜からなる絶縁膜９を上層絶縁膜５および下層配線
８の側面段差部に傾斜表面をなすよう形成する。次に、
ホトレジスト膜７を除去し、開孔部６の下層配線８と接
続し、上層絶縁膜５および絶縁膜９の上に延在する上層
配線１０を形成する。
第２図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
第２図（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に素子
領域２を設け、素子領域２を含む表面に下層絶縁膜３を
設ける。次に、素子領域２の上の下層絶縁膜３に配線接
続用窓を設け、この配線接続用窓を含む下層絶縁膜３の
上にリンまたはホウ素等の不純物を導入して導電性を持
たせた多結晶シリコン膜１１を形成し、多結晶シリコン
膜１１の上に配線接続用開孔部６と下層配線パターンを
有する上層絶縁膜５を選択的に設ける。次に、開孔部６
およびその周辺に窒化シリコン膜等の耐酸化性膜１２を
設ける。
領域２を設け、素子領域２を含む表面に下層絶縁膜３を
設ける。次に、素子領域２の上の下層絶縁膜３に配線接
続用窓を設け、この配線接続用窓を含む下層絶縁膜３の
上にリンまたはホウ素等の不純物を導入して導電性を持
たせた多結晶シリコン膜１１を形成し、多結晶シリコン
膜１１の上に配線接続用開孔部６と下層配線パターンを
有する上層絶縁膜５を選択的に設ける。次に、開孔部６
およびその周辺に窒化シリコン膜等の耐酸化性膜１２を
設ける。
次に、第２図（ｂ）に示すように、酸化性雰囲気中で熱
処理を行い、シリコン酸化膜１３と下層配線８を形成す
る。次に、上層絶縁膜５の側面段差部に流動性絶縁物質
を塗布し焼成して傾斜表面のなす絶縁膜９を設けた後、
耐酸化性膜１２を除去し開孔部６の下層配線と接続する
上層配線１０を形成する。
処理を行い、シリコン酸化膜１３と下層配線８を形成す
る。次に、上層絶縁膜５の側面段差部に流動性絶縁物質
を塗布し焼成して傾斜表面のなす絶縁膜９を設けた後、
耐酸化性膜１２を除去し開孔部６の下層配線と接続する
上層配線１０を形成する。
以上説明したように本発明は、配線接続用開孔部と下層
配線パターンとを有する上層絶縁膜およびその開孔部を
被覆する耐酸化性膜をマスクとして下層の多結晶シリコ
ン膜を選択酸化して下層配線を形成した後、上層絶縁膜
の側面段差部に傾斜表面を有する絶縁膜を形成すること
により、下層配線と配線接続用開孔部との位置ずれを全
くなくすると同時に下層配線による段差を低減させ上層
配線との接続を確実にして信頼性を向上させるという効
果を有する。
配線パターンとを有する上層絶縁膜およびその開孔部を
被覆する耐酸化性膜をマスクとして下層の多結晶シリコ
ン膜を選択酸化して下層配線を形成した後、上層絶縁膜
の側面段差部に傾斜表面を有する絶縁膜を形成すること
により、下層配線と配線接続用開孔部との位置ずれを全
くなくすると同時に下層配線による段差を低減させ上層
配線との接続を確実にして信頼性を向上させるという効
果を有する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に関連する技術の半導体
装置の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明の一実
施例を説明するための工程順に示した半導体チップの断
面図である。 １……半導体基板、２……素子領域、３……下層絶縁
膜、４……導電層、５……上層絶縁膜、６……開孔部、
７……ホトレジスト膜、８……下層配線、９……絶縁
膜、１０……上層配線、１１……多結晶シリコン膜、１
２……耐酸化性膜、１３……シリコン酸化膜。
装置の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明の一実
施例を説明するための工程順に示した半導体チップの断
面図である。 １……半導体基板、２……素子領域、３……下層絶縁
膜、４……導電層、５……上層絶縁膜、６……開孔部、
７……ホトレジスト膜、８……下層配線、９……絶縁
膜、１０……上層配線、１１……多結晶シリコン膜、１
２……耐酸化性膜、１３……シリコン酸化膜。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子領域を有する半導体基板上に前
記半導体素子領域の配線接続用窓を有する下層絶縁膜を
設ける工程と、前記窓を含む前記下層絶縁膜上に導電性
を持たせた多結晶シリコン層を形成し前記多結晶シリコ
ン層の上に配線接続用開孔部と下層配線パターンとを有
する上層絶縁膜を選択的に形成する工程と、前記開孔部
およびその周辺を被覆する耐酸化性膜を形成し前記上層
絶縁膜および耐酸化性膜をマスクとして前記多結晶シリ
コン層を熱酸化して酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記上層絶縁膜の側面段差部に傾斜表面をなす絶縁膜を
形成する工程と、前記耐酸化性膜を除去して前記開孔部
の前記下層配線と接続する上層配線を設ける工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62038173A JPH0611080B2 (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62038173A JPH0611080B2 (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204745A JPS63204745A (ja) | 1988-08-24 |
| JPH0611080B2 true JPH0611080B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=12517995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62038173A Expired - Lifetime JPH0611080B2 (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611080B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0171069B1 (ko) * | 1994-10-27 | 1999-03-30 | 문정환 | 반도체 장치의 접촉부 형성방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166245A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62038173A patent/JPH0611080B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63204745A (ja) | 1988-08-24 |
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