JPH02231735A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02231735A JPH02231735A JP5233389A JP5233389A JPH02231735A JP H02231735 A JPH02231735 A JP H02231735A JP 5233389 A JP5233389 A JP 5233389A JP 5233389 A JP5233389 A JP 5233389A JP H02231735 A JPH02231735 A JP H02231735A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置特に二層配線構造を有する半導体装
置に関する． 〔従来の技術〕 従来の二層配線構造を有する半導体集積回路装置は、第
２図に示すようにボンディングパッド開孔部の電極金属
として、第二層目の配線金属５を使用していた。
置に関する． 〔従来の技術〕 従来の二層配線構造を有する半導体集積回路装置は、第
２図に示すようにボンディングパッド開孔部の電極金属
として、第二層目の配線金属５を使用していた。
上述した従来の二層配線構造を有する半導体集積回路装
置においては、ボンディングパッド［Ｌ部の配線金属と
しては、最上層即ち第二層目の配線金属５を使用してい
るため、ボンディングパッド開孔部よりの水分等の侵入
に対して十分な配線金属の厚さを有しないため、水分侵
入による配線金属溶解により耐湿性が不十分であるとい
う欠点があった。
置においては、ボンディングパッド［Ｌ部の配線金属と
しては、最上層即ち第二層目の配線金属５を使用してい
るため、ボンディングパッド開孔部よりの水分等の侵入
に対して十分な配線金属の厚さを有しないため、水分侵
入による配線金属溶解により耐湿性が不十分であるとい
う欠点があった。
本発明の半導体は、第一層配線金属及び第二層配線金属
から成る二層配線構造を有した半導体装置において、前
記第一層配線金属上に前記第二層配線金属を介在物を有
さずに設けた部分をボンディングパッドとすることを特
徴とする。
から成る二層配線構造を有した半導体装置において、前
記第一層配線金属上に前記第二層配線金属を介在物を有
さずに設けた部分をボンディングパッドとすることを特
徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図である。同図に示すように任意の導電型半導
体基板１上に設けられた絶縁膜２上に第一層目の配線金
属３が設けられ、眉間絶縁膜４を介してその上に第二層
配線金属５が設けられその上にカバ膜７を全面に設け半
導体装置とする。しかし本発明の特徴であるボンディン
グパッド部７は第一層目配線金属３上に何も介さず直接
第二層目配線金属４を設けることにより、十分な金属厚
を確保することができる。
プの断面図である。同図に示すように任意の導電型半導
体基板１上に設けられた絶縁膜２上に第一層目の配線金
属３が設けられ、眉間絶縁膜４を介してその上に第二層
配線金属５が設けられその上にカバ膜７を全面に設け半
導体装置とする。しかし本発明の特徴であるボンディン
グパッド部７は第一層目配線金属３上に何も介さず直接
第二層目配線金属４を設けることにより、十分な金属厚
を確保することができる。
次により詳細な説明を製造工程順に説明する．第２図（
ａ）乃至（ｃ）は本発明の一実施例を説明するための工
程順に示した半導体チップの平面図である．第２図（ａ
）に示すように、任意の導電型半導体基板１上に絶縁膜
２を設ける。次にその上に蒸着法又はスパッタ法等によ
りアルミニウム等の配線用金属を設けた後、パターンニ
ングすることにより、第一層目の配線金属３を形成する
と同時にボンディングパッドとなる部分にも第一層目の
，配線金属３を設ける．次に第２図（ｂ）に示すように
、基板全面に層間絶縁膜を形成した後、配線のコンタク
ト孔を形成すると同時に、ボンディングパッド形成部分
も第一層目の配線金属３が露出するよう開孔する． 次に第２図（ｃ）に示すように、基板上に蒸着法又はス
パッタ法等によりアルミニウム等の配線用金属を設けた
後、パターンニングすることにより、第二層目の配線５
を形成すると同時に前工程で形成したボンディングパッ
ド形成の開孔部にも第二層目の配線金属５を形成するこ
とによりボンディングパッド７とする。これによりボン
ディングパッドは第一層目の配線金属３と第二層目の配
線金属５との二層構造となり十分な金属厚を確保し、耐
湿性劣化を防止することができる。
ａ）乃至（ｃ）は本発明の一実施例を説明するための工
程順に示した半導体チップの平面図である．第２図（ａ
）に示すように、任意の導電型半導体基板１上に絶縁膜
２を設ける。次にその上に蒸着法又はスパッタ法等によ
りアルミニウム等の配線用金属を設けた後、パターンニ
ングすることにより、第一層目の配線金属３を形成する
と同時にボンディングパッドとなる部分にも第一層目の
，配線金属３を設ける．次に第２図（ｂ）に示すように
、基板全面に層間絶縁膜を形成した後、配線のコンタク
ト孔を形成すると同時に、ボンディングパッド形成部分
も第一層目の配線金属３が露出するよう開孔する． 次に第２図（ｃ）に示すように、基板上に蒸着法又はス
パッタ法等によりアルミニウム等の配線用金属を設けた
後、パターンニングすることにより、第二層目の配線５
を形成すると同時に前工程で形成したボンディングパッ
ド形成の開孔部にも第二層目の配線金属５を形成するこ
とによりボンディングパッド７とする。これによりボン
ディングパッドは第一層目の配線金属３と第二層目の配
線金属５との二層構造となり十分な金属厚を確保し、耐
湿性劣化を防止することができる。
以上説明したように本発明は、ボンディングパ，ド部の
配線金属を第１層目の配線金属３と第２層目の配線金属
５を重ねて使用することにより十分な配線金属厚を確保
し、水分侵入による配線金属溶解による耐湿性劣化を防
止し、半導体集積回路の信頼性を大幅に高める効果があ
る。
配線金属を第１層目の配線金属３と第２層目の配線金属
５を重ねて使用することにより十分な配線金属厚を確保
し、水分侵入による配線金属溶解による耐湿性劣化を防
止し、半導体集積回路の信頼性を大幅に高める効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの縦断面図、第２図（ａ）乃至（ｃ）は本発明の一実
施例を説明するための工程順に示した平面図、第３図は
従来の半導体集積回路装置を説明するための断面図であ
る。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・第１層配線金属、４・・・・・・層間絶縁
膜、５・・・・・ｔ第２層配線金属、６・・・・・・カ
バー膜、７・・・・・・ボンディングパッド。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図 ￥Ｊ３図
プの縦断面図、第２図（ａ）乃至（ｃ）は本発明の一実
施例を説明するための工程順に示した平面図、第３図は
従来の半導体集積回路装置を説明するための断面図であ
る。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・第１層配線金属、４・・・・・・層間絶縁
膜、５・・・・・ｔ第２層配線金属、６・・・・・・カ
バー膜、７・・・・・・ボンディングパッド。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図 ￥Ｊ３図
Claims (1)
- 第一層配線金属及び第二層配線金属から成る二層配線構
造を有した半導体装置において前記第一層配線金属上に
前記第二層配線金属を介在物を有さずに設けた部分をボ
ンディングパッドとすることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233389A JPH02231735A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233389A JPH02231735A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02231735A true JPH02231735A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12911871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233389A Pending JPH02231735A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02231735A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310559A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Nippon Precision Circuits Kk | 半導体装置 |
| US6163075A (en) * | 1998-05-26 | 2000-12-19 | Nec Corporation | Multilayer wiring structure and semiconductor device having the same, and manufacturing method therefor |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP5233389A patent/JPH02231735A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310559A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Nippon Precision Circuits Kk | 半導体装置 |
| US6163075A (en) * | 1998-05-26 | 2000-12-19 | Nec Corporation | Multilayer wiring structure and semiconductor device having the same, and manufacturing method therefor |
| US6346471B1 (en) | 1998-05-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Multilayer wiring structure and semiconductor device having the same, and manufacturing method therefor |
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