JPH0479333A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0479333A JPH0479333A JP19452590A JP19452590A JPH0479333A JP H0479333 A JPH0479333 A JP H0479333A JP 19452590 A JP19452590 A JP 19452590A JP 19452590 A JP19452590 A JP 19452590A JP H0479333 A JPH0479333 A JP H0479333A
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- organic insulating
- insulating film
- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特にＴＡＢ接続用バン
ブ電極を有する半導体集積回路に関する。
ブ電極を有する半導体集積回路に関する。
近年、半導体集積回路の微細化が進むにつれて眉間絶縁
膜の平坦化を目的としてポリイミド系樹脂膜などの有機
樹脂膜を層間絶縁膜として形成する技術が用いられてい
る。
膜の平坦化を目的としてポリイミド系樹脂膜などの有機
樹脂膜を層間絶縁膜として形成する技術が用いられてい
る。
第３図は従来の半導体集積回路の一例を示す断面図であ
る。
る。
第３図に示すように、シリコン基板１の上に設けた窒化
シリコン膜５と、窒化シリコン膜５の上に設けてバンブ
電極形成領域に開孔部を有する有機絶縁ＷＡ２と、開孔
部の窒化シリコン膜５及び開孔部周囲の段差部を含んで
形成した金層３と、開孔部内の金層３の上に設けた突起
電極４とを有してバンブ電極を有する半導体集積回路が
構成される。
シリコン膜５と、窒化シリコン膜５の上に設けてバンブ
電極形成領域に開孔部を有する有機絶縁ＷＡ２と、開孔
部の窒化シリコン膜５及び開孔部周囲の段差部を含んで
形成した金層３と、開孔部内の金層３の上に設けた突起
電極４とを有してバンブ電極を有する半導体集積回路が
構成される。
ここで、突起電極４にＴＡＢリードをボンディングする
ときの応力による有機絶縁膜の破壊を防ぐため、突起電
極４の直下には有機絶縁膜を設けていない。
ときの応力による有機絶縁膜の破壊を防ぐため、突起電
極４の直下には有機絶縁膜を設けていない。
上述した従来の半導体集積回路ではバンプ電極形成領域
の有機絶縁膜を開孔して無機絶縁膜上にバンブ電極を形
成した構造となっているが、バンブ電極にＴＡＢリード
をボンティングの際のバンブ電極に熱と圧力を加えた場
合の熱応力解析を有限要素法を用いて行ったところ、バ
ンブ電極と有機絶縁膜の膨張係数が異るために両者の間
に大きな引張り応力が発生して金層と有機絶縁膜の境界
付近で歪を生じることがわかった。この引張り応力が破
断限界に達すると破壊が生じ、バンブ電極と半導体基板
との接着強度が弱くなり、バンブ電極の剥れが生じやす
いという欠点があった。
の有機絶縁膜を開孔して無機絶縁膜上にバンブ電極を形
成した構造となっているが、バンブ電極にＴＡＢリード
をボンティングの際のバンブ電極に熱と圧力を加えた場
合の熱応力解析を有限要素法を用いて行ったところ、バ
ンブ電極と有機絶縁膜の膨張係数が異るために両者の間
に大きな引張り応力が発生して金層と有機絶縁膜の境界
付近で歪を生じることがわかった。この引張り応力が破
断限界に達すると破壊が生じ、バンブ電極と半導体基板
との接着強度が弱くなり、バンブ電極の剥れが生じやす
いという欠点があった。
本発明の半導体集積回路は、半導体基板上に設けた無機
絶縁膜の上に設けた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜に設
けた開孔部と、前記開孔部の前記無機絶縁膜上に設けて
前記有機絶縁膜との間に間隙を有する金属層と、前記金
属層の上に前記金属層の周縁より内側に設けた突起電極
とを有する。
絶縁膜の上に設けた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜に設
けた開孔部と、前記開孔部の前記無機絶縁膜上に設けて
前記有機絶縁膜との間に間隙を有する金属層と、前記金
属層の上に前記金属層の周縁より内側に設けた突起電極
とを有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。
第１図に示すように、シリコン基板１の上に窒化シリコ
ン膜５を設け、窒化シリコン膜５の上にポリイミド系樹
脂膜等の有機絶縁膜２を１μｍの厚さに設ける。次に、
バンブ電極形成領域の有機絶縁膜２を選択的にエツチン
グして開孔部を設け、開孔部を含む表面に金をスパッタ
して金スパツタ層を形成し、金スパツタ層の上にパター
ニングされた第１のフォトレジスト膜を形成し、第１の
フォトレジスト膜をマスクとして開孔部内の有機絶縁膜
２との間に１〜１０μｍの間隙６を有する領域の金スパ
ツタ層上に金めつきにより内部回路と接続する金層３を
２μｍの厚さに形成する。
ン膜５を設け、窒化シリコン膜５の上にポリイミド系樹
脂膜等の有機絶縁膜２を１μｍの厚さに設ける。次に、
バンブ電極形成領域の有機絶縁膜２を選択的にエツチン
グして開孔部を設け、開孔部を含む表面に金をスパッタ
して金スパツタ層を形成し、金スパツタ層の上にパター
ニングされた第１のフォトレジスト膜を形成し、第１の
フォトレジスト膜をマスクとして開孔部内の有機絶縁膜
２との間に１〜１０μｍの間隙６を有する領域の金スパ
ツタ層上に金めつきにより内部回路と接続する金層３を
２μｍの厚さに形成する。
次に、第１のフォトレジスト膜を除去した後、金層３の
周縁より内側の開孔を有する第２のフォトレジスト膜を
マスクとして金めつきし、１５μｍの厚さの突起電極４
を形成する。次に、第２のフォトレジスト膜を除去し、
金スパツタ層をイオンミリングによりエツチングして除
去し、バンブ電極を構成する。
周縁より内側の開孔を有する第２のフォトレジスト膜を
マスクとして金めつきし、１５μｍの厚さの突起電極４
を形成する。次に、第２のフォトレジスト膜を除去し、
金スパツタ層をイオンミリングによりエツチングして除
去し、バンブ電極を構成する。
第２図は本発明の第２の実施例を示す平面図である。
第２図に示すように有機絶縁膜２に設けた開孔部内に互
に絶縁された金層３及び突起電極４を２つ設けた以外は
第１の実施例と同様の構成を有しており、バンブ電極を
ひとつ設ける場合にくらべて限られたバンブ電極形成領
域内に多くのバンブ電極を形成できるため、より多ピン
のＬＳＩを提供することができる。
に絶縁された金層３及び突起電極４を２つ設けた以外は
第１の実施例と同様の構成を有しており、バンブ電極を
ひとつ設ける場合にくらべて限られたバンブ電極形成領
域内に多くのバンブ電極を形成できるため、より多ピン
のＬＳＩを提供することができる。
以上説明したように本発明はバンブ電極形成領域に設け
た開孔部の周囲の有機絶縁膜とバンブ電極のパッドとの
間に間隙を設けることにより、ＴＡＢリードボンディン
グで生ずるバンブ電極と有機絶縁膜との間の熱的機械的
応力が有機絶縁膜に加わらない様にできるため、ＴＡＢ
リードボンディング時の熱的機械的応力によって有機絶
縁膜が破壊されるのを防ぎ、バンブ電極が半導体基板か
ら剥れにくくできるという効果を有する。
た開孔部の周囲の有機絶縁膜とバンブ電極のパッドとの
間に間隙を設けることにより、ＴＡＢリードボンディン
グで生ずるバンブ電極と有機絶縁膜との間の熱的機械的
応力が有機絶縁膜に加わらない様にできるため、ＴＡＢ
リードボンディング時の熱的機械的応力によって有機絶
縁膜が破壊されるのを防ぎ、バンブ電極が半導体基板か
ら剥れにくくできるという効果を有する。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例を示
す断面図、第３図は従来の半導体集積回路の一例を示す
断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・有機絶縁膜、３・・・
金層、４・・・突起電極、５・・・窒化シリコン膜、６
・・・間隙。
す断面図、第３図は従来の半導体集積回路の一例を示す
断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・有機絶縁膜、３・・・
金層、４・・・突起電極、５・・・窒化シリコン膜、６
・・・間隙。
Claims (1)
- 半導体基板上に設けた無機絶縁膜の上に設けた有機絶
縁膜と、前記有機絶縁膜に設けた開孔部と、前記開孔部
の前記無機絶縁膜上に設けて前記有機絶縁膜との間に間
隙を有する金属層と、前記金属層の上に前記金属層の周
縁より内側に設けた突起電極とを有することを特徴とす
る半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19452590A JPH0479333A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19452590A JPH0479333A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479333A true JPH0479333A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16325984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19452590A Pending JPH0479333A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479333A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5917231A (en) * | 1997-02-17 | 1999-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including an insulative layer having a gap |
| US6407795B1 (en) | 1998-03-08 | 2002-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display and its inspecting method |
| KR20030003027A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치와 그 제조 방법 |
| JP2009252997A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19452590A patent/JPH0479333A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5917231A (en) * | 1997-02-17 | 1999-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including an insulative layer having a gap |
| US6407795B1 (en) | 1998-03-08 | 2002-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display and its inspecting method |
| KR20030003027A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치와 그 제조 방법 |
| JP2009252997A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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