JPS6037747A - 多層配線 - Google Patents

多層配線

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Publication number
JPS6037747A
JPS6037747A JP14702583A JP14702583A JPS6037747A JP S6037747 A JPS6037747 A JP S6037747A JP 14702583 A JP14702583 A JP 14702583A JP 14702583 A JP14702583 A JP 14702583A JP S6037747 A JPS6037747 A JP S6037747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal wiring
wiring
contact
hole
contact hole
Prior art date
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Pending
Application number
JP14702583A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP14702583A priority Critical patent/JPS6037747A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多層配線の構造に係り、とりわけ接続部の構造
に関する。
従来、多層配線構造は、第１図に示す如き構造となって
いた。すなわち、絶縁基板１の表面には第１の金属配線
２が形成され、絶縁膜３を介して第２の金属配線４が形
成される場合に、第１の金属配線２と第２の金属配置１
ｌｉＪ！４とを絶縁膜３に開けたコンタクト部５により
接続され、該コンタクト部５の第２の金九配約４の表面
には四部が形成されるのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、例えば第６の金属配線
を絶縁膜を介してコンタクト穴部表面に交差して形成す
る場合に、第３の金属配線がコンタクト部の凹部で断線
するという欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくシ、金属配線のコ
ンタクト部表面を平担にすると共に、小さなコンタクト
でも接触抵抗の小さなフンタクト構造を提供することを
目的とする。
成は、多層配線において、基板上の第１の金属配線と、
絶縁膜を介し、該絶縁膜に開けられた小さなコンタクト
穴を通して第２の金属配線が接続して形成され、前記第
２の金属配線の材料が前記コンタクト穴を埋め、かつ、
前記コンタクト穴部の金属配線表面か平担に形成されて
成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す多層配線の断面図であ
る。すなわち、絶縁基板１１の表ｂｊにはＡＡの如き材
料による第１の金属配線１２が形成され、絶縁膜１６を
介して、該絶縁膜に開けられたコンタクト穴１５を通し
てＡｔの如き材料による第２の金Ａ・ｊ↓配配線４が形
成される。この場合、コンタクト穴の径又は巾の寸法の
半分の厚さ以上の第２の金属膜が形成されれば、第２図
の■１＜１コンタクト部での第２の金属配線の表面は平
押化されて成る。
本発明の如く、小さなコンタクト穴を埋め、かつ、その
上の配線表面が平担に形成されると、更に上層の配線が
コンタクト穴部で交差する場合に、コンタクト穴部の上
部で断勝を起す恐れがなくなると共に、Ａｌ−Ａｌ、あ
るいはＮｂ−Ｎｂの如く同一材料による多層配線ではコ
ンタクト穴径が小さくても接触抵抗が増大する恐れがな
い等の効果がある。
不発；ＪＤｓでは最小限接触部の材料が同一材料であれ
ば良く、第１の金属配線および第２の金属配線の各々が
多層金属膜構造であっても良い。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による多層配線構造を示す断Ｉｆｉｊ
図、酊２図は本発明による多層配線構造を示す断ｉ１１
図である。 １．１１・・・・・・基板 ２．１２・・・・・・第１の金Ａ何配線３．１６・・・
・・・絶縁ｊ夙 ４．１４・・・・・・第２の金属配線 ５．１５・・・・・・コンタクト穴

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　基板上の第１の金属配線と、絶縁膜を介し、該絶
    縁膜に開けられた小さなコンタクト穴を通して第２の金
    属配線が接続して形成され、前記第２の金属配線の材料
    が前記コンタクト穴を埋め、かつ、前記コンタクト穴部
    の金属配線表面が平担に形成されて成ることを特徴とす
    る多層配線。 ２、　第１及び第２の金属配線の材料をｈＬまたはＡｔ
    合金となすことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の多層配線。 ３　第１及び第２の金属配線の材料をＮ　ｂ　、　Ｎ　
    ｂ−Ｔｉ等の超電導材料となすことを特徴とする特許請
    求の範囲第１項記載の多層配線。
JP14702583A 1983-08-10 1983-08-10 多層配線 Pending JPS6037747A (ja)

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JP14702583A JPS6037747A (ja) 1983-08-10 1983-08-10 多層配線

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JP14702583A JPS6037747A (ja) 1983-08-10 1983-08-10 多層配線

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63300537A (ja) * 1987-05-29 1988-12-07 Nec Corp 半導体装置
JPS6467944A (en) * 1987-09-08 1989-03-14 Mitsubishi Electric Corp Superconducting wiring integrated circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58162051A (ja) * 1982-03-23 1983-09-26 Fujitsu Ltd 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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