JPS6146051A - 配線方法 - Google Patents
配線方法Info
- Publication number
- JPS6146051A JPS6146051A JP16765784A JP16765784A JPS6146051A JP S6146051 A JPS6146051 A JP S6146051A JP 16765784 A JP16765784 A JP 16765784A JP 16765784 A JP16765784 A JP 16765784A JP S6146051 A JPS6146051 A JP S6146051A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- aluminum
- opening
- wiring
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な配線方法、特に開口部を有する絶縁層上
に例えばアルミニウム等からなる配線層を形成する配線
方法に関するものであり、開口部における段切れ、接触
不良の生じにくい新規な配線方法を提供しようと、する
ものである。
に例えばアルミニウム等からなる配線層を形成する配線
方法に関するものであり、開口部における段切れ、接触
不良の生じにくい新規な配線方法を提供しようと、する
ものである。
従来技術
ＶＬＳ Ｉにおいて配線はアルミニウムのスパッタ蒸着
法により形成される傾向にある。ところで、ＬＳＩの高
集積化、素子の小型化に伴い居間絶縁層に形成される開
口部が微細化する傾向にある。そして、開口部が微細化
するにつれて第２図に示すようにアルミニウム配線層ａ
の開口部すに ′おけるステップカバレージが悪くな
り、配線層に段切れ等が発生し易くなり、信頼度が低下
し、歩留りも悪くなるという問題が起きる。尚、同図に
おいて、Ｃは絶縁層、ｄは基板である。
法により形成される傾向にある。ところで、ＬＳＩの高
集積化、素子の小型化に伴い居間絶縁層に形成される開
口部が微細化する傾向にある。そして、開口部が微細化
するにつれて第２図に示すようにアルミニウム配線層ａ
の開口部すに ′おけるステップカバレージが悪くな
り、配線層に段切れ等が発生し易くなり、信頼度が低下
し、歩留りも悪くなるという問題が起きる。尚、同図に
おいて、Ｃは絶縁層、ｄは基板である。
そこで、ステップカバレージが悪くならないようにする
ために対策が講じられている。第３図はその試みの１つ
を示すものであり、その試みとは絶縁層Ｃの開口部すの
側壁を傾斜させる（テーパーをつける）テーパーエツチ
ングをすることにより段部におけるアルミニウム配線層
Ｃの段切れを防止しようとするものである。このような
方法によれば段切れを防止し易くなるが、開口部すの
′開口面積が自ずと大きくなり、集積度向上の要請に背
くことになる。第４図は集積度向上の要請に背くことな
く段切れを防止しようとする試みを示すものである。こ
れは開口部す側壁の側面に例えば、ＰＳＧ等からなる絶
縁層ｅを形成することにより実質的に開口部す側壁にテ
ーパーをっけ、それによってアルミニウム配線層ａの段
切れを防止しようとするものである。このような方法は
特開昭５１−６２６７３号公報においても提案されてい
る。このような方法によれば、開口部すをテーパーエツ
チングにより大きくするというようなことはしないので
、開口部すの開口面積が大きくなり集積度向上が妨げら
れるという惧れはないといえる。しかしながら、このよ
うな方法によれば、開口部すの一部が絶縁層ｅにより占
有されるので、アルミニウムからなる配線層ａとその下
地となる配線層あるいは半導体表面とのコンタクト面積
が狭くなり、その結果、配線抵抗が大きくなるという問
題に直面するので好ましいとはいえない。
ために対策が講じられている。第３図はその試みの１つ
を示すものであり、その試みとは絶縁層Ｃの開口部すの
側壁を傾斜させる（テーパーをつける）テーパーエツチ
ングをすることにより段部におけるアルミニウム配線層
Ｃの段切れを防止しようとするものである。このような
方法によれば段切れを防止し易くなるが、開口部すの
′開口面積が自ずと大きくなり、集積度向上の要請に背
くことになる。第４図は集積度向上の要請に背くことな
く段切れを防止しようとする試みを示すものである。こ
れは開口部す側壁の側面に例えば、ＰＳＧ等からなる絶
縁層ｅを形成することにより実質的に開口部す側壁にテ
ーパーをっけ、それによってアルミニウム配線層ａの段
切れを防止しようとするものである。このような方法は
特開昭５１−６２６７３号公報においても提案されてい
る。このような方法によれば、開口部すをテーパーエツ
チングにより大きくするというようなことはしないので
、開口部すの開口面積が大きくなり集積度向上が妨げら
れるという惧れはないといえる。しかしながら、このよ
うな方法によれば、開口部すの一部が絶縁層ｅにより占
有されるので、アルミニウムからなる配線層ａとその下
地となる配線層あるいは半導体表面とのコンタクト面積
が狭くなり、その結果、配線抵抗が大きくなるという問
題に直面するので好ましいとはいえない。
又、特開昭５８−３２５０号公報においては開口部を広
くしたり、あるいは配線層と半導体領域との接触面積を
狭くしたりすることなく配線層を形成するこ゛とのでき
る配線方法が紹介されている。この技術の概略を説明す
ると、半導体基板上に所望の開孔部（即ち、開口部）を
有する絶縁層を形成し、該開孔部周辺の絶縁層、側面を
覆うように半導体被膜を形成し、その後、これらの全面
に金属を蒸着し、その金属と上記半導体被膜とを反応さ
せて化合物を前記開孔部内に形成し、その後、絶縁層上
の上記金属を除去することによりその金属を開孔部内の
みに残存させるというものである。このようにすれば、
半導体基板表面と絶縁層上に形成される配線層とを開孔
部内の半導体と金属とからなる化合物によって電気的に
接続することができ、しかも絶縁層に一旦形成した開孔
部がその後に大きくなったり、あるいは上記化合物と半
導体表面との接触面積が開孔部の面積よりも狭くなるこ
ともない。
くしたり、あるいは配線層と半導体領域との接触面積を
狭くしたりすることなく配線層を形成するこ゛とのでき
る配線方法が紹介されている。この技術の概略を説明す
ると、半導体基板上に所望の開孔部（即ち、開口部）を
有する絶縁層を形成し、該開孔部周辺の絶縁層、側面を
覆うように半導体被膜を形成し、その後、これらの全面
に金属を蒸着し、その金属と上記半導体被膜とを反応さ
せて化合物を前記開孔部内に形成し、その後、絶縁層上
の上記金属を除去することによりその金属を開孔部内の
みに残存させるというものである。このようにすれば、
半導体基板表面と絶縁層上に形成される配線層とを開孔
部内の半導体と金属とからなる化合物によって電気的に
接続することができ、しかも絶縁層に一旦形成した開孔
部がその後に大きくなったり、あるいは上記化合物と半
導体表面との接触面積が開孔部の面積よりも狭くなるこ
ともない。
しかしながら、このような技術によれば、多層配線を形
成するに必要な工程数が多くなる。又、絶縁層の開口部
内の化合物を形成するのに金属として白金等の貴金属を
必要とし、充分な導電性を得るのに材料費が高くなると
いう問題があり、好ましいとはいえない。
成するに必要な工程数が多くなる。又、絶縁層の開口部
内の化合物を形成するのに金属として白金等の貴金属を
必要とし、充分な導電性を得るのに材料費が高くなると
いう問題があり、好ましいとはいえない。
そこで考えられるのが、開口部を有する絶縁層上のアル
ミニウム配線層をＣＶＤ法により形成する方法である。
ミニウム配線層をＣＶＤ法により形成する方法である。
というのは、ＣＶＤ法により形成されたアルミニウム膜
はステップカバレージが非常に良いから、段切れ等の問
題が生じにくいからである。しかしながら、ＣＶＤ法に
より形成したアルミニウム配線層は膜質が粗く、そのた
めスパッタリングにより形成したアルミニウム配線層よ
りも比抵抗が大きくなり、配線層として好ましくないと
いう欠点を有している。
はステップカバレージが非常に良いから、段切れ等の問
題が生じにくいからである。しかしながら、ＣＶＤ法に
より形成したアルミニウム配線層は膜質が粗く、そのた
めスパッタリングにより形成したアルミニウム配線層よ
りも比抵抗が大きくなり、配線層として好ましくないと
いう欠点を有している。
発明が解決しようとする問題点
しかして、本発明は開口部を有する絶縁層上に例えばア
ルミニウム等からなる配線層を形成する配線方法におい
ての開口部における段切れ、接触不良が生じ易いという
従来の問題点を製造工程を徒らに増したり、材料費を増
したり、配線層の抵抗を大きくしたりすることなく解決
しようとするものである。
ルミニウム等からなる配線層を形成する配線方法におい
ての開口部における段切れ、接触不良が生じ易いという
従来の問題点を製造工程を徒らに増したり、材料費を増
したり、配線層の抵抗を大きくしたりすることなく解決
しようとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、開口部を有する
絶縁層上に金属層を気相成長法により形成し、その気相
成長法により形成した金属層を異方性エツチングするこ
とにより開口部内壁面のみにその金属層が残存するよう
にし、その後、導体層を形成するのである。
絶縁層上に金属層を気相成長法により形成し、その気相
成長法により形成した金属層を異方性エツチングするこ
とにより開口部内壁面のみにその金属層が残存するよう
にし、その後、導体層を形成するのである。
作用
しかして、本発明によれば、内壁面に金属層が形成され
た状態の開口部に導体層を構成する半導体が充填される
ので、開口部内の金属層及び半導体によって上下間を電
気的にｔａ続することができる。
た状態の開口部に導体層を構成する半導体が充填される
ので、開口部内の金属層及び半導体によって上下間を電
気的にｔａ続することができる。
実施例
以下に、本発明配線方法を添付図面に示した実施例に従
って詳細に説明する。
って詳細に説明する。
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明配線方法の実施の一例
を工程順に示す断面図である。
を工程順に示す断面図である。
（Ａ）半導体基板１上にシリコン酸化物（ＳｉＯ２）か
らなる絶縁層２を形成し、その後、アルミニウムからな
る第１層の配線層３を形成し、その後、シリコン酸化物
・からなる層間絶縁層４を形成し、しかる後、該居間絶
縁層４にフォトエツチングにより開口部５を形成する。
らなる絶縁層２を形成し、その後、アルミニウムからな
る第１層の配線層３を形成し、その後、シリコン酸化物
・からなる層間絶縁層４を形成し、しかる後、該居間絶
縁層４にフォトエツチングにより開口部５を形成する。
ＣＢ）開口部５を含め居間絶縁層４上に気相成長法によ
りアルミニウム層６を形成する。アルミニウム層６を気
相成長法により形成するのは気相成長法によるアルミニ
ウムＲ６が段差部を段切れ等を生じることなく被覆でき
るという性質を有している（即ち、ステップカバレージ
が良い）からであり、そして、ステップカバレージが良
いからアルミニウム６を開口部５の側壁面（内側面）に
確実に存在させるという必要性に応えることができるか
らである。
りアルミニウム層６を形成する。アルミニウム層６を気
相成長法により形成するのは気相成長法によるアルミニ
ウムＲ６が段差部を段切れ等を生じることなく被覆でき
るという性質を有している（即ち、ステップカバレージ
が良い）からであり、そして、ステップカバレージが良
いからアルミニウム６を開口部５の側壁面（内側面）に
確実に存在させるという必要性に応えることができるか
らである。
（Ｃ）次に、上記アルミニウム層６に対して反応性イオ
ンエツチングをすることにより開口部５の側壁面に存在
する部分を除きアルミニウム層６を除去する。
ンエツチングをすることにより開口部５の側壁面に存在
する部分を除きアルミニウム層６を除去する。
即ち、この反応性イオンエツチングによってアルミニウ
ム層６を開口部５の側壁面にのみ残存させる。
ム層６を開口部５の側壁面にのみ残存させる。
ＣＤ）その後、開口部５を含め層間絶縁層４上にスパッ
タリング蒸着によりアルミニウム層７を形成する。該ア
ルミニウム層７は第２暦の配線層を得るためのものであ
る。
タリング蒸着によりアルミニウム層７を形成する。該ア
ルミニウム層７は第２暦の配線層を得るためのものであ
る。
アルミニウム層７をスパッタリング蒸着により形成する
のはスパッタリング蒸着によればアルミニウム層７の膜
質が緻密になり、比抵抗を小さくすることができるから
である。８は開口部５内の気相成長法によるアルミニウ
ム６と開口部５内のスパッタリングによるアルミニウム
７とからなるコンタクト部を示す。
のはスパッタリング蒸着によればアルミニウム層７の膜
質が緻密になり、比抵抗を小さくすることができるから
である。８は開口部５内の気相成長法によるアルミニウ
ム６と開口部５内のスパッタリングによるアルミニウム
７とからなるコンタクト部を示す。
（Ｅ）その後、アルミニウム層７をフォトエッチソゲす
ることにより第２層の配線層とする。
ることにより第２層の配線層とする。
このような配線方法によれば、気相成長法によりアルミ
ニウム層６を形成し、該アルミニウム層６に対して反応
性イオンエツチング処理を施すので、居間絶縁層４の開
口部５内壁面に確実にアルミニウム６を存在させること
ができる。そして、開口部５内壁面にアルミニウム６が
形成された状態で第２層の配線層を構成するアルミニウ
ム層７をスパッタリング蒸着により形成するので段切れ
がなくしかも比抵抗の小さなコンタクト部８（開口部５
内の気相成長法により形成されたアルミニウム５とスパ
ッタリングにより形成されたアルミニウム７とからなる
）を得ることができる。
ニウム層６を形成し、該アルミニウム層６に対して反応
性イオンエツチング処理を施すので、居間絶縁層４の開
口部５内壁面に確実にアルミニウム６を存在させること
ができる。そして、開口部５内壁面にアルミニウム６が
形成された状態で第２層の配線層を構成するアルミニウ
ム層７をスパッタリング蒸着により形成するので段切れ
がなくしかも比抵抗の小さなコンタクト部８（開口部５
内の気相成長法により形成されたアルミニウム５とスパ
ッタリングにより形成されたアルミニウム７とからなる
）を得ることができる。
即ち、本配線方法はステップカバレージの良いアルミニ
ウム層が得られる気相成長法と異方性を有する反応性イ
オンエツチングとを駆使して開口部５内壁面にアルミニ
ウム７３７を形成することにより開口部５内側面に実質
的にテーパーを付けた状態にし、そのうえで緻密なアル
ミニウム層を得ることができるスパッタリング蒸着によ
りｆ５２ 層の配線層を成すアルミニウム層７を得るも
のである。従って、第２層の配線層７に開口部５付近に
おける段切れが生じる惧れかない、しかも、第２層の配
線層７はスパッタリング蒸着により形成するので緻密と
なり、比抵抗を小さくすることができる。そして、実質
的に開口部５内側面にテーパーが付くようにする役割を
担うアルミニウム層６は導電性材料からなり絶縁性を有
していないので、テーパーを付けたためにコンタクト部
８とその下地となる第１Ｆ！＆の配線層３との接触面積
が狭くなるとうことはなく、コンタクト８の抵抗増大を
回避することができる。しかも、アルミニウム層のスパ
ッタリング蒸着及び反応性イオンエツチングという工程
を付加するだけで良好なコンタクトが得られ、良好なコ
ンタクトを得るために従らに工程数が増えることがない
。
ウム層が得られる気相成長法と異方性を有する反応性イ
オンエツチングとを駆使して開口部５内壁面にアルミニ
ウム７３７を形成することにより開口部５内側面に実質
的にテーパーを付けた状態にし、そのうえで緻密なアル
ミニウム層を得ることができるスパッタリング蒸着によ
りｆ５２ 層の配線層を成すアルミニウム層７を得るも
のである。従って、第２層の配線層７に開口部５付近に
おける段切れが生じる惧れかない、しかも、第２層の配
線層７はスパッタリング蒸着により形成するので緻密と
なり、比抵抗を小さくすることができる。そして、実質
的に開口部５内側面にテーパーが付くようにする役割を
担うアルミニウム層６は導電性材料からなり絶縁性を有
していないので、テーパーを付けたためにコンタクト部
８とその下地となる第１Ｆ！＆の配線層３との接触面積
が狭くなるとうことはなく、コンタクト８の抵抗増大を
回避することができる。しかも、アルミニウム層のスパ
ッタリング蒸着及び反応性イオンエツチングという工程
を付加するだけで良好なコンタクトが得られ、良好なコ
ンタクトを得るために従らに工程数が増えることがない
。
尚、図示した実施例は本発明配線方法を第１層の配線層
と第２層の配線層とを電気的に接続する配線方法に適用
したものであるが、本発明は、例えば半導体基板の表面
部に形成された半導体装置と第１層の配線層とを接続す
る配線方法等各種配線方法に適用することができ、上記
実施例には限定されるものではない。
と第２層の配線層とを電気的に接続する配線方法に適用
したものであるが、本発明は、例えば半導体基板の表面
部に形成された半導体装置と第１層の配線層とを接続す
る配線方法等各種配線方法に適用することができ、上記
実施例には限定されるものではない。
発明の効果
以上に述べたように、本発明配線方法は開口部を有する
絶縁層上に金属層を気相成長法により形成し、該気相成
長法を異方性エツチングにより開口部内壁面のみに残存
するようにし、その後、導体層を形成するものである。
絶縁層上に金属層を気相成長法により形成し、該気相成
長法を異方性エツチングにより開口部内壁面のみに残存
するようにし、その後、導体層を形成するものである。
従って、本発明によれば内壁面に金属層が形成された状
態の開口部に導体層を構成する導体材料が充填されるの
で、開口部内の金属層及び導体材料によって上下間を電
気的に良好に接続することができる。
態の開口部に導体層を構成する導体材料が充填されるの
で、開口部内の金属層及び導体材料によって上下間を電
気的に良好に接続することができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明配線方法の実施の一例
を工程順に示す断面図、第２図乃至第４図は各別の従来
技術を示す断面図である。 符号の説明 ４・・・絶縁層、 ５・・・開口部、６・・・金属層
、 ７・・・導体層 重 願 人 ソ ニ − 株 式 会 社代理
人弁理士 小 松 祐 治回
尾 川 秀 間第１図 業１図 （Ｄ）
を工程順に示す断面図、第２図乃至第４図は各別の従来
技術を示す断面図である。 符号の説明 ４・・・絶縁層、 ５・・・開口部、６・・・金属層
、 ７・・・導体層 重 願 人 ソ ニ − 株 式 会 社代理
人弁理士 小 松 祐 治回
尾 川 秀 間第１図 業１図 （Ｄ）
Claims (1)
- （１）絶縁層に形成された開口部を通して上下間を電気
的に接続する配線方法において、上記開口部を有する絶
縁層の形成後気相成長法により金属層を形成し、次いで
該金属層に対して異方性エッチングをすることにより上
記開口部の内壁面に存在する部分を除き上記金属層を除
去し、その後開口部を含む絶縁層上に導体層を形成する
ことを特徴とする配線方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16765784A JPS6146051A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16765784A JPS6146051A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 配線方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146051A true JPS6146051A (ja) | 1986-03-06 |
Family
ID=15853816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16765784A Pending JPS6146051A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 配線方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6146051A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03151638A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
| JP2009105225A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Yamaha Corp | 磁気センサ及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923544A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5999718A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6024050A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Fujitsu Ltd | 薄膜素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16765784A patent/JPS6146051A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923544A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5999718A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6024050A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Fujitsu Ltd | 薄膜素子の製造方法 |
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| JPH03151638A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
| JP2009105225A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Yamaha Corp | 磁気センサ及びその製造方法 |
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