JPH0279064U - - Google Patents
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- JPH0279064U JPH0279064U JP15920988U JP15920988U JPH0279064U JP H0279064 U JPH0279064 U JP H0279064U JP 15920988 U JP15920988 U JP 15920988U JP 15920988 U JP15920988 U JP 15920988U JP H0279064 U JPH0279064 U JP H0279064U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- conductivity type
- junction
- pellet
- impurity concentration
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図は本考案のツエナーダイオードの一実施
例の縦断面図、第2図は他の実施例の縦断面図、
第3図、第4図はそれぞれ従来のツエナーダイオ
ードの一例の縦断面図である。 1……不純物濃度の高いN+層、2……不純物
濃度の低いN−層、3……P層、4……N+層、
5……電極、6……電極、7……加工層、8……
メイン接合、第2のPN接合、9……N+層、1
0……絶縁膜、11……シヨート電極。
例の縦断面図、第2図は他の実施例の縦断面図、
第3図、第4図はそれぞれ従来のツエナーダイオ
ードの一例の縦断面図である。 1……不純物濃度の高いN+層、2……不純物
濃度の低いN−層、3……P層、4……N+層、
5……電極、6……電極、7……加工層、8……
メイン接合、第2のPN接合、9……N+層、1
0……絶縁膜、11……シヨート電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 高不純物濃度で第1導電型の第1の半導体層お
よび該第1の半導体層に接して設けられた、低不
純物濃度で第1導電型の第2の半導体層とからな
る半導体基板と、 前記第2の半導体層と接して設けられ、該第2
の半導体層と第1のPN接合を構成する、第1導
電型とは逆導電型である第2導電型の第3の半導
体層と、 該第3の半導体層中に設けられ、該第3の半導
体層と第2のPN接合を構成する、第1導電型の
第4の半導体層とを有し、 前記第1のPN接合の端部は、ペレツトの側面
において終端しており、かつ、ペレツト形成時に
該ペレツトの側面部に形成された加工層により、
該第1のPN接合がシヨートされているツエナー
ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15920988U JPH0279064U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15920988U JPH0279064U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0279064U true JPH0279064U (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=31440216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15920988U Pending JPH0279064U (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0279064U (ja) |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP15920988U patent/JPH0279064U/ja active Pending
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