JPH028152U - - Google Patents

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JPH028152U
JPH028152U JP8596488U JP8596488U JPH028152U JP H028152 U JPH028152 U JP H028152U JP 8596488 U JP8596488 U JP 8596488U JP 8596488 U JP8596488 U JP 8596488U JP H028152 U JPH028152 U JP H028152U
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semiconductor
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junction
region made
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【図面の簡単な説明】
第1図乃至第6図は本考案に係る半導体装置の
一実施例を説明するためのもので、第1図はプレ
ーナ型ダイアツクの断面図、第2図乃至第6図は
第1図のプレーナ型ダイアツクの製造工程を示す
半導体ウエーハの各断面図である。第7図はプレ
ーナ型ダイアツクの従来例を示す断面図、第8図
はプレーナ型ダイアツクの電圧と電流の関係を示
す負性抵抗特性図である。 1……半導体基板、2……第1半導体領域、3
……第2半導体領域、4……PN接合部、7……
第3半導体領域。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 低濃度で一導電型の半導体基板の両面中央部に
    、高濃度で一導電型の不純物からなる第1半導体
    領域と、高濃度で上記第1半導体領域と異なる導
    電型の不純物からなる第2半導体領域とでPN接
    合部を形成したものにおいて、 上記PN接合部の外周面全域に亘つて、半導体
    基板よりも高濃度で、且つ、第1半導体領域より
    も低濃度の、第1半導体領域と同一導電型の不純
    物からなる第3半導体領域を設けたことを特徴と
    する半導体装置。
JP8596488U 1988-06-28 1988-06-28 Pending JPH028152U (ja)

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JPH028152U true JPH028152U (ja) 1990-01-19

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