JPS6327063U - - Google Patents

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JPS6327063U
JPS6327063U JP11980286U JP11980286U JPS6327063U JP S6327063 U JPS6327063 U JP S6327063U JP 11980286 U JP11980286 U JP 11980286U JP 11980286 U JP11980286 U JP 11980286U JP S6327063 U JPS6327063 U JP S6327063U
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JP
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polycrystalline silicon
diode
generation circuit
semiconductor substrate
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JP11980286U
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案に係る基準電位発生回路の第
1実施例を示す縦断面図、第2図は同上実施例に
おけるダイオードの順方向特性を示す特性図、第
3図はこの考案の第2実施例を示す縦断面図、第
4図はこの考案の第3実施例を示す縦断面図、第
5図は従来の基準電位発生回路の回路図、第6図
は同上従来例の縦断面図、第7図は他の従来例を
示す回路図、第8図は同上従来例の縦断面図、第
9図は第7図の従来例の変形例を示す回路図であ
る。 1:半導体基板、2:絶縁膜、3:ダイオード
形成用の多結晶シリコン、3a:p形多結晶シリ
コン、3b:n形多結晶シリコン、5:ツエナー
ダイオード形成用の多結晶シリコン、5a:P
形多結晶シリコン、5b:n形多結晶シリコン
、12,14:基準電位端子。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板上に形成したダイオードに所定の電
    流を流して基準電位を発生させる基準電位発生回
    路において、 半導体基板の主面に絶縁膜を介して多結晶シリ
    コンを堆積し、前記ダイオードは当該多結晶シリ
    コンのpn接合により形成したことを特徴とする
    基準電位発生回路。
JP11980286U 1986-08-06 1986-08-06 Pending JPS6327063U (ja)

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JP11980286U JPS6327063U (ja) 1986-08-06 1986-08-06

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JPS6327063U true JPS6327063U (ja) 1988-02-22

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ID=31007518

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JP11980286U Pending JPS6327063U (ja) 1986-08-06 1986-08-06

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JP (1) JPS6327063U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0532279U (ja) * 1991-10-11 1993-04-27 愛知機械工業株式会社 排気系マフラーの取付構造

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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