JPS6397247U - - Google Patents
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- JPS6397247U JPS6397247U JP19164486U JP19164486U JPS6397247U JP S6397247 U JPS6397247 U JP S6397247U JP 19164486 U JP19164486 U JP 19164486U JP 19164486 U JP19164486 U JP 19164486U JP S6397247 U JPS6397247 U JP S6397247U
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- JP
- Japan
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- polycrystalline silicon
- semiconductor substrate
- capacitor
- conductivity type
- diode
- Prior art date
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- Pending
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第1図はこの考案に係る昇圧回路の実施例を示
す平面図、第2図は同上実施例の要部縦断面図、
第3図は従来の昇圧回路の等価回路図、第4図は
従来の昇圧回路の断面図、第5図は他の従来例を
示す断面図、第6図は同上他の従来例を示す平面
図である。 1:P形基板(半導体基板)、2:N形拡散層
、3:シリコン酸化膜(絶縁膜)、4:P形多結
晶シリコン膜、5:N形多結晶シリコン膜、6:
PN接合、8:アルミ膜、C1,C2,C3:コ
ンデンサ、D1,D2,D3:ダイオード。
す平面図、第2図は同上実施例の要部縦断面図、
第3図は従来の昇圧回路の等価回路図、第4図は
従来の昇圧回路の断面図、第5図は他の従来例を
示す断面図、第6図は同上他の従来例を示す平面
図である。 1:P形基板(半導体基板)、2:N形拡散層
、3:シリコン酸化膜(絶縁膜)、4:P形多結
晶シリコン膜、5:N形多結晶シリコン膜、6:
PN接合、8:アルミ膜、C1,C2,C3:コ
ンデンサ、D1,D2,D3:ダイオード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 複数個並設された各コンデンサの一端間にそれ
ぞれダイオードを接続し、初段のコンデンサに充
電された電圧を外部駆動信号の制御により順次に
次段のコンデンサに充電して昇圧する回路におい
て、 前記ダイオードを半導体基板の主面に絶縁膜を
介して堆積した異種導電形の多結晶シリコン膜の
PN接合により形成し、前記異種導電形の多結晶
シリコン膜のうち一方の導電形の多結晶シリコン
膜の下方における前記半導体基板には該半導体基
板と反対導電形の拡散層を形成し、該拡散層、前
記絶縁膜および前記一方の導電形の多結晶シリコ
ン膜により前記コンデンサを形成したことを特徴
とする昇圧回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19164486U JPS6397247U (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19164486U JPS6397247U (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6397247U true JPS6397247U (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=31145974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19164486U Pending JPS6397247U (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6397247U (ja) |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP19164486U patent/JPS6397247U/ja active Pending
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