JPS6192061U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6192061U JPS6192061U JP17801884U JP17801884U JPS6192061U JP S6192061 U JPS6192061 U JP S6192061U JP 17801884 U JP17801884 U JP 17801884U JP 17801884 U JP17801884 U JP 17801884U JP S6192061 U JPS6192061 U JP S6192061U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- impurity diffusion
- contact hole
- diffusion layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
第１図は、本考案の第１の実施例で説明した配
線層の形状に特徴を有することを示す図、第２図
と第３図は、第１図のＣ−Ｃ′線断面図、第４図
は、本考案の第２の実施例で説明したコンタクト
孔の形状に特徴を有することを示す図、第５図は
、従来の技術によるシエアードコンタクトの例を
示す図、第６図は、第５図のＡ−Ａ′線断面図、
第７図と第８図は、第５図のＢ−Ｂ′線断面図を
それぞれ示す。 ２…Ｎ＋層、３…素子分離ＳｉＯ２層、５…第
１多結晶シリコン層、４…酸化シリコン膜、６…
第２多結晶シリコン層、１…Ｐウエル領域。
線層の形状に特徴を有することを示す図、第２図
と第３図は、第１図のＣ−Ｃ′線断面図、第４図
は、本考案の第２の実施例で説明したコンタクト
孔の形状に特徴を有することを示す図、第５図は
、従来の技術によるシエアードコンタクトの例を
示す図、第６図は、第５図のＡ−Ａ′線断面図、
第７図と第８図は、第５図のＢ−Ｂ′線断面図を
それぞれ示す。 ２…Ｎ＋層、３…素子分離ＳｉＯ２層、５…第
１多結晶シリコン層、４…酸化シリコン膜、６…
第２多結晶シリコン層、１…Ｐウエル領域。
補正 昭６０．６．１４
考案の名称を次のように補正する。
考案の名称 半導体装置
実用新案登録請求の範囲、図面の簡単な説明を
次のように補正する。
次のように補正する。
【実用新案登録請求の範囲】
不純物拡散層と素子分離領域と多層配線層とを
有する多層構造からなり、上記不純物拡散層と上
記多層配線層の複数の配線層を同一のコンタクト
孔で接続する半導体装置において、上記配線層と
上記不純物拡散層の上部領域にのみ上記コンタク
ト孔を設けてなることを特徴とする半導体装置。
有する多層構造からなり、上記不純物拡散層と上
記多層配線層の複数の配線層を同一のコンタクト
孔で接続する半導体装置において、上記配線層と
上記不純物拡散層の上部領域にのみ上記コンタク
ト孔を設けてなることを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本考案の第１の実施例で説明した配
線層の形状に特徴を有することを示す図、第２図
と第３図は、第１図のＣ−Ｃ′線断面図、第４図
は、本考案の第２の実施例で説明したコンタクト
孔の形状に特徴を有することを示す図、第５図は
、従来の技術によるシエアードコンタクトの例を
示す図、第６図は、第５図のＡ−Ａ′線断面図、
第７図と第８図は、第５図のＢ−Ｂ′線断面図を
それぞれ示す。 １…Ｐウエル領域、２…Ｎ＋層、３…素子分離
ＳｉＯ２層、３…酸化シリコン膜、４…酸化シリ
コン膜、５…第１多結晶シリコン層、６…第２多
結晶シリコン層。
線層の形状に特徴を有することを示す図、第２図
と第３図は、第１図のＣ−Ｃ′線断面図、第４図
は、本考案の第２の実施例で説明したコンタクト
孔の形状に特徴を有することを示す図、第５図は
、従来の技術によるシエアードコンタクトの例を
示す図、第６図は、第５図のＡ−Ａ′線断面図、
第７図と第８図は、第５図のＢ−Ｂ′線断面図を
それぞれ示す。 １…Ｐウエル領域、２…Ｎ＋層、３…素子分離
ＳｉＯ２層、３…酸化シリコン膜、４…酸化シリ
コン膜、５…第１多結晶シリコン層、６…第２多
結晶シリコン層。
Claims (1)
- 不純物拡散層と素子分離領域と多層配線層とを
有する多層構造からなり、上記不純物拡散層と上
記多層配線層の複数の配線層を同一のコンタクト
孔で接続する半導体装置において、上記配線層と
上記不純物拡散層の上部領域にのみ上記コンタク
ト孔を設けてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17801884U JPS6192061U (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17801884U JPS6192061U (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192061U true JPS6192061U (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=30735587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17801884U Pending JPS6192061U (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192061U (ja) |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP17801884U patent/JPS6192061U/ja active Pending