JPS62204353U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62204353U JPS62204353U JP9297486U JP9297486U JPS62204353U JP S62204353 U JPS62204353 U JP S62204353U JP 9297486 U JP9297486 U JP 9297486U JP 9297486 U JP9297486 U JP 9297486U JP S62204353 U JPS62204353 U JP S62204353U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thyristor
- gate turn
- gate
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
第１図及び第２図は各々本考案の実施例の構造
を示す断面図、第３図ａ，ｂは夫々第１図、第２
図の実施例の一部の等価回路を示す回路図、第４
図は本考案の更に他の実施例の構造を示す断面図
、第５図は増幅ゲート形ゲートターンオフサイリ
スタを示す回路図、第６図は従来例の構造を示す
断面図である。 ２…補助ゲートターンオフサイリスタ部、３…
主ゲートターンオフサイリスタ部、４，６…ゲー
ト電極、５，７…カソード電極、８…ツエナーダ
イオード、９…ダイオード。
を示す断面図、第３図ａ，ｂは夫々第１図、第２
図の実施例の一部の等価回路を示す回路図、第４
図は本考案の更に他の実施例の構造を示す断面図
、第５図は増幅ゲート形ゲートターンオフサイリ
スタを示す回路図、第６図は従来例の構造を示す
断面図である。 ２…補助ゲートターンオフサイリスタ部、３…
主ゲートターンオフサイリスタ部、４，６…ゲー
ト電極、５，７…カソード電極、８…ツエナーダ
イオード、９…ダイオード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 エミツタ層であるｐ形半導体のＰ１層とベース
層であるｎ形半導体のＮ１層及びｐ形半導体のＰ
２層とを共有する補助ゲートターンオフサイリス
タ部及び主ゲートターンオフサイリスタ部を備え
、補助ゲートターンサフサイリスタ部の埋込みゲ
ート層及び主ゲートターンオフサイリスタ部の埋
込みゲート層間に分離用抵抗層を形成して、これ
により各ゲートターンオフサイリスタ部を分離す
るゲートターンオフサイリスタにおいて、 前記補助ゲートターンオフサイリスタ部の埋込
みゲート層及び主ゲートターンオフサイリスタ部
の埋込みゲート層間にｎ形半導体の分離層を設け
、この分離層の直下のＰ２層を分離用抵抗層とし
たことを特徴とするゲートターンオフサイリスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986092974U JPH0528781Y2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986092974U JPH0528781Y2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204353U true JPS62204353U (ja) | 1987-12-26 |
| JPH0528781Y2 JPH0528781Y2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=30955151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986092974U Expired - Lifetime JPH0528781Y2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528781Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757561U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | ||
| JPS58147066A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−ト・タ−ンオフサイリスタ |
| JPS6074677A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 複合型サイリスタ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5269429A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-09 | Nippon Steel Corp | Paving materials of type mixed under normal temperature |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP1986092974U patent/JPH0528781Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757561U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | ||
| JPS58147066A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−ト・タ−ンオフサイリスタ |
| JPS6074677A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Toshiba Corp | 複合型サイリスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528781Y2 (ja) | 1993-07-23 |