JPS6287458U - - Google Patents

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JPS6287458U
JPS6287458U JP17964485U JP17964485U JPS6287458U JP S6287458 U JPS6287458 U JP S6287458U JP 17964485 U JP17964485 U JP 17964485U JP 17964485 U JP17964485 U JP 17964485U JP S6287458 U JPS6287458 U JP S6287458U
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JP
Japan
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layer
thyristor
gate turn
type semiconductor
epitaxial
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JP17964485U
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  • Thyristors (AREA)

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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す断面図、第2図
は製造段階を示す工程図、第3図は逆導通形ゲー
トターンオフサイリスタを示す回路図、第4図は
従来の逆導通形ゲートターンオフサイリスタを示
す断面図である。 12……ゲートターンオフサイリスタ部、13
……カソード電極、14……ダイオード部、16
……分離用領域、17……ゲート電極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ベース層であるn形半導体のN層及びp形半
    導体のP層とこのP層の表面に形成されたp
    形半導体のエピタキシヤル層とを含むゲートター
    ンオフサイリスタ部と、前記N層及びP層を
    共有すると共に前記P層の表面にp形半導体の
    エピタキシヤル層が形成され、前記ゲートターン
    オフサイリスタ部と逆並列接続されたダイオード
    部とを備えた逆導通形ゲートターンオフサイリス
    タにおいて、 前記ゲートターンオフサイリスタ部とダイオー
    ド部との間には、前記P層上にエピタキシヤル
    層を形成しない分離用領域を設け、この分離用領
    域にP層の表面側からn形半導体層を、その直
    下のP層が高抵抗層となるように深さを制御し
    て形成し、前記高抵抗層によりゲートターンオフ
    サイリスタ部とダイオード部とを分離することを
    特徴とする逆導通形ゲートターンオフサイリスタ
JP17964485U 1985-11-21 1985-11-21 Pending JPS6287458U (ja)

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JP17964485U JPS6287458U (ja) 1985-11-21 1985-11-21

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JP17964485U JPS6287458U (ja) 1985-11-21 1985-11-21

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JPS6287458U true JPS6287458U (ja) 1987-06-04

Family

ID=31122880

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JP17964485U Pending JPS6287458U (ja) 1985-11-21 1985-11-21

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