JPH0383957U - - Google Patents
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- JPH0383957U JPH0383957U JP14573389U JP14573389U JPH0383957U JP H0383957 U JPH0383957 U JP H0383957U JP 14573389 U JP14573389 U JP 14573389U JP 14573389 U JP14573389 U JP 14573389U JP H0383957 U JPH0383957 U JP H0383957U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- semiconductor substrate
- thyristor
- vertical groove
- groove
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例を示すサイリスタの断
面図、第２図は従来のサイリスタの断面図、第３
図は従来のサイリスタの制御回路例を示す図、第
４図ａ〜ｄは第１図の製造工程例を示す図、第５
図ａ〜ｄは第１図の他の製造工程例を示す図であ
る。 １１……半導体基板、１２……アノード層、１
３……Ｐゲート層、１４……カソード層、１５…
…Ｐ＋コンタクト層、１５ａ……縦溝、１６……
アノード電極、１７……カソード電極、１８……
ゲート電極。
面図、第２図は従来のサイリスタの断面図、第３
図は従来のサイリスタの制御回路例を示す図、第
４図ａ〜ｄは第１図の製造工程例を示す図、第５
図ａ〜ｄは第１図の他の製造工程例を示す図であ
る。 １１……半導体基板、１２……アノード層、１
３……Ｐゲート層、１４……カソード層、１５…
…Ｐ＋コンタクト層、１５ａ……縦溝、１６……
アノード電極、１７……カソード電極、１８……
ゲート電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ＰＮＰＮ構造をもちゲートが半導体基板に
選択的に形成されるサイリスタにおいて、 前記ゲートのコンタクト構造を、 前記半導体基板のゲートコンタクト部に設けら
れた縦溝と、 前記縦溝を覆うように前記半導体基板内に形成
されたコンタクト層と、 前記コンタクト層の少なくとも一部と接続する
ように形成されたゲート電極とで、 構成したことを特徴とするサイリスタ。 (2) 請求項１記載のサイリスタにおいて、 前記縦溝は、異方性エツチングによるトレンチ
溝、または等方性エツチングによるＶ溝で形成し
たサイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14573389U JPH0383957U (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14573389U JPH0383957U (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383957U true JPH0383957U (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=31692356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14573389U Pending JPH0383957U (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0383957U (ja) |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP14573389U patent/JPH0383957U/ja active Pending
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