JPS62174352U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62174352U JPS62174352U JP6283386U JP6283386U JPS62174352U JP S62174352 U JPS62174352 U JP S62174352U JP 6283386 U JP6283386 U JP 6283386U JP 6283386 U JP6283386 U JP 6283386U JP S62174352 U JPS62174352 U JP S62174352U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type impurity
- insulating
- semiconductor device
- trench
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
第1図は本考案に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図、第2図は表面ゲート構造の半導体装
置の構造例を示す断面図、第3図は埋込みゲート
構造の半導体装置の構造例を示す断面図である。 14……N+拡散層、15……ゲート電極、1
6……絶縁層、17……カソード電極。
示す断面図、第2図は表面ゲート構造の半導体装
置の構造例を示す断面図、第3図は埋込みゲート
構造の半導体装置の構造例を示す断面図である。 14……N+拡散層、15……ゲート電極、1
6……絶縁層、17……カソード電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 カソード領域を多数のエレメントに分割してな
るマルチエミツタ構造の自己消弧型の半導体装置
において、 カソード領域をなすN形不純物層からベース層
であるP形半導体層に亘つて堀込まれた堀込み部
を多数形成し、この堀込み部の底面に金属よりな
るゲート電極を設け、前記堀込み部には、絶縁材
をその表面レベルが前記N形不純物層の表面レベ
ルに一致するように充填して絶縁層を形成し、こ
の絶縁層及び前記N形不純物層の各表面に共通の
カソード電極を形成したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6283386U JPS62174352U (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6283386U JPS62174352U (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62174352U true JPS62174352U (ja) | 1987-11-05 |
Family
ID=30897489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6283386U Pending JPS62174352U (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62174352U (ja) |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP6283386U patent/JPS62174352U/ja active Pending
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