JPS60136159U - タ−ンオフサイリスタ - Google Patents
タ−ンオフサイリスタInfo
- Publication number
- JPS60136159U JPS60136159U JP19867284U JP19867284U JPS60136159U JP S60136159 U JPS60136159 U JP S60136159U JP 19867284 U JP19867284 U JP 19867284U JP 19867284 U JP19867284 U JP 19867284U JP S60136159 U JPS60136159 U JP S60136159U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- turn
- layer
- thyristor
- base layer
- buried gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来構造のGTOの動作を説明するための概念
図、第2図、第3図は従来のGTO構造を示す断面図、
第4図は埋込形ゲートP+を有する従来構造図、第5図
は第4図におけるA−A′線に沿った断面図、第6図は
本考案によるターンオフサイリスタを説明するための構
造図、第7図は第6図におけるB−B’線に沿った断面
図である。 11・・・アノード電極、12・・・カソード電極、1
3・・・ゲート電極、14・・・接合、P工“、P2+
・・・低抵抗、埋込み層。
図、第2図、第3図は従来のGTO構造を示す断面図、
第4図は埋込形ゲートP+を有する従来構造図、第5図
は第4図におけるA−A′線に沿った断面図、第6図は
本考案によるターンオフサイリスタを説明するための構
造図、第7図は第6図におけるB−B’線に沿った断面
図である。 11・・・アノード電極、12・・・カソード電極、1
3・・・ゲート電極、14・・・接合、P工“、P2+
・・・低抵抗、埋込み層。
Claims (1)
- Pl、 N、、 P2. N2の4層3接合を備え、P
2ベース層に該ベース層と同一極性を有する高不純物層
の埋込ゲート層P1+とこの埋込ゲート層に接続を得る
ゲート電極とを設け、ゲート電極から上記埋込ゲート層
を通したゲート電流によりターンオフ又はターンオフを
助勢するターンオフサイリスタにおいて、上記ベース層
内に該ベース層と同一極性で上記埋込ゲート層とは間隙
を持って挾まれた領域に分散して埋込み配置した高不純
物層を備えたことを特徴とするターンオアサイリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19867284U JPS60136159U (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | タ−ンオフサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19867284U JPS60136159U (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | タ−ンオフサイリスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60136159U true JPS60136159U (ja) | 1985-09-10 |
JPS6348134Y2 JPS6348134Y2 (ja) | 1988-12-12 |
Family
ID=30757879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19867284U Granted JPS60136159U (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | タ−ンオフサイリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60136159U (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5111578A (ja) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Handotaisochi |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP19867284U patent/JPS60136159U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5111578A (ja) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Handotaisochi |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6348134Y2 (ja) | 1988-12-12 |
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