JPS60136159U - タ−ンオフサイリスタ - Google Patents

タ−ンオフサイリスタ

Info

Publication number
JPS60136159U
JPS60136159U JP19867284U JP19867284U JPS60136159U JP S60136159 U JPS60136159 U JP S60136159U JP 19867284 U JP19867284 U JP 19867284U JP 19867284 U JP19867284 U JP 19867284U JP S60136159 U JPS60136159 U JP S60136159U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
turn
layer
thyristor
base layer
buried gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19867284U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6348134Y2 (ja
Inventor
末岡　徹郎
Original Assignee
株式会社明電舎
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社明電舎 filed Critical 株式会社明電舎
Priority to JP19867284U priority Critical patent/JPS60136159U/ja
Publication of JPS60136159U publication Critical patent/JPS60136159U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6348134Y2 publication Critical patent/JPS6348134Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来構造のＧＴＯの動作を説明するための概念
図、第２図、第３図は従来のＧＴＯ構造を示す断面図、
第４図は埋込形ゲートＰ＋を有する従来構造図、第５図
は第４図におけるＡ−Ａ′線に沿った断面図、第６図は
本考案によるターンオフサイリスタを説明するための構
造図、第７図は第６図におけるＢ−Ｂ’線に沿った断面
図である。 １１・・・アノード電極、１２・・・カソード電極、１
３・・・ゲート電極、１４・・・接合、Ｐ工“、Ｐ２＋
・・・低抵抗、埋込み層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. Ｐｌ、　Ｎ、、　Ｐ２．　Ｎ２の４層３接合を備え、Ｐ
    ２ベース層に該ベース層と同一極性を有する高不純物層
    の埋込ゲート層Ｐ１＋とこの埋込ゲート層に接続を得る
    ゲート電極とを設け、ゲート電極から上記埋込ゲート層
    を通したゲート電流によりターンオフ又はターンオフを
    助勢するターンオフサイリスタにおいて、上記ベース層
    内に該ベース層と同一極性で上記埋込ゲート層とは間隙
    を持って挾まれた領域に分散して埋込み配置した高不純
    物層を備えたことを特徴とするターンオアサイリスタ。
JP19867284U 1984-12-26 1984-12-26 タ−ンオフサイリスタ Granted JPS60136159U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19867284U JPS60136159U (ja) 1984-12-26 1984-12-26 タ−ンオフサイリスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19867284U JPS60136159U (ja) 1984-12-26 1984-12-26 タ−ンオフサイリスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60136159U true JPS60136159U (ja) 1985-09-10
JPS6348134Y2 JPS6348134Y2 (ja) 1988-12-12

Family

ID=30757879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19867284U Granted JPS60136159U (ja) 1984-12-26 1984-12-26 タ−ンオフサイリスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60136159U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5111578A (ja) * 1974-07-19 1976-01-29 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Handotaisochi

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5111578A (ja) * 1974-07-19 1976-01-29 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Handotaisochi

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6348134Y2 (ja) 1988-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60136159U (ja) タ−ンオフサイリスタ
JPS58118754U (ja) 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5866656U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5825052U (ja) 増幅ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS61255U (ja) タ−ンオフサイリスタ
JPS5963450U (ja) 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS59166452U (ja) 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5842953U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPH0215748U (ja)
JPS59185856U (ja) 逆導通ｇｔｏ
JPS60109339U (ja) 増幅ゲ−ト構造ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS5950451U (ja) 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS60163759U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS62118458U (ja)
JPS59161656U (ja) 埋込みゲ−ト形ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS6138956U (ja) サイリスタ
JPS599560U (ja) 増幅ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS60137453U (ja) 半導体装置
JPS5927477U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタの遮断能力選別回路
JPS60166161U (ja) Ｇｔｏサイリスタ
JPS5939953U (ja) サイリスタ
JPS6287457U (ja)
JPS6158883U (ja)
JPS6033460U (ja) 静電誘導型半導体装置
JPS60179055U (ja) ゲ−トタ−ンオフサイリスタ