JPS5963450U - 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents

埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Publication number
JPS5963450U
JPS5963450U JP15923482U JP15923482U JPS5963450U JP S5963450 U JPS5963450 U JP S5963450U JP 15923482 U JP15923482 U JP 15923482U JP 15923482 U JP15923482 U JP 15923482U JP S5963450 U JPS5963450 U JP S5963450U
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JP
Japan
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gate
thyristor
turn
layer
embedded
Prior art date
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Pending
Application number
JP15923482U
Other languages
English (en)
Inventor
末岡 徹郎
Original Assignee
株式会社明電舎
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社明電舎 filed Critical 株式会社明電舎
Priority to JP15923482U priority Critical patent/JPS5963450U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の埋込ゲート型GTOサイリスタの断面図
、第2図は本考案の一実施例を示す断面図、第3図は本
考案の他の実施例を示す要部断面図、第4図は本考案に
おける電極間接続構造の一実施例を示す図である。 G1・・・オンゲート電極、G3.G4.G5・・・ゲ
ート電極、K□、に2・・・カソード電極、A・・・ア
ノード電  極、AG・・・増幅ゲート部、P21+、
P22+・・・埋込ゲート層、L・・・リード線、S・
・・パイプ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. P、、 N1. P2. N2の4層を有しP2ベース
    層中に形成した高濃度不純物層P2+を埋込ゲート層と
    した埋込ゲート型ゲートターンオフサイリスタにおいて
    、カソードN2層を素子半径方向に複数段に分割形成し
    、該カソードN2層の素子半径方向の両側にターンオフ
    ゲート電流を掃引するためのゲート層を形成したことを
    特徴とする埋込ゲート型ゲートターンオフサイリスタ。
JP15923482U 1982-10-21 1982-10-21 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ Pending JPS5963450U (ja)

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JP15923482U JPS5963450U (ja) 1982-10-21 1982-10-21 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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JP15923482U JPS5963450U (ja) 1982-10-21 1982-10-21 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5963450U true JPS5963450U (ja) 1984-04-26

Family

ID=30350581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15923482U Pending JPS5963450U (ja) 1982-10-21 1982-10-21 埋込ゲ−ト型ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4383343A1 (en) * 2022-12-02 2024-06-12 Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. Scr structure with high noise immunity and low shunt current

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS556304A (en) * 1978-06-28 1980-01-17 Fuji Xerox Co Ltd Thin sheet material stripper
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JPS5797670A (en) * 1980-12-10 1982-06-17 Mitsubishi Electric Corp Gate turn-off thyristor
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