JPS59166453U - 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents

増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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JPS59166453U
JPS59166453U JP5960683U JP5960683U JPS59166453U JP S59166453 U JPS59166453 U JP S59166453U JP 5960683 U JP5960683 U JP 5960683U JP 5960683 U JP5960683 U JP 5960683U JP S59166453 U JPS59166453 U JP S59166453U
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JP
Japan
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amplification
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main
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JP5960683U
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久保　武春
Original Assignee
株式会社明電舎
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は増幅ゲート構造のＧＴＯサイリスク断面図、第
２図Ａは従来の埋込ゲート層平面図、第２図Ｂは従来の
電極Ｇｌ、Ｇ２の平面図、第３図Ａは本考案の一実施例
を示す埋込ゲート層平面図、第３図Ｂは本考案の一実施
例を示す電極Ｇｌ。 Ｇ２の平面図である。 Ａ・・・・・・アノード、Ｋ・・・・・・カソード、Ｇ
１・・・・・・オン・オフ用ゲート電極、Ｇ３・・・・
・・オフ専用ゲート電極、Ｐ２＋・・・・・・埋込ゲー
ト層。 第２図− 第３図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. Ｐ、Ｎ、Ｐ２Ｎ２層からなる主ＧＴＯ部と同一ウェハ上
    にＰ、Ｎ、Ｐ２Ｎ３層からなる増幅ゲート部を設け、上
    記２２層にはＮ２．Ｎ３層に夫々対向して所定のパター
    ンの低抵抗の埋込ゲート層Ｐ２＋を設け、上記増幅ゲー
    ト部の主電流を主ＧＴＯ部のオンゲート電流とする増幅
    ゲート構造のゲートターン１フサイリスタにおいて、上
    記主ＧＴＯ部の埋込ゲート層Ｐ２＋と増幅ゲート部の埋
    込ゲート層Ｐ２＋との間を一部結合するｐ２＋層の結合
    領域Ｐ２１＋を設け、上記増幅ゲート部の主電流を主Ｇ
    ＴＯ部のオンゲート電流として導く電極Ｇ２は投影的に
    上記結合領域Ｐ２１＋から外れた位置にする電極領域Ｇ
    　２　ｔにした構造を特徴とする増幅ゲート構造のゲー
    トターンオフサイリスク。
JP5960683U 1983-04-21 1983-04-21 増幅ゲ−ト構造のゲ−トタ−ンオフサイリスタ Granted JPS59166453U (ja)

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JPS59166453U true JPS59166453U (ja) 1984-11-08
JPH025544Y2 JPH025544Y2 (ja) 1990-02-09

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5650568A (en) * 1979-10-02 1981-05-07 Mitsubishi Electric Corp Thyristor
JPS5758789A (en) * 1980-09-27 1982-04-08 Howa Machinery Ltd Bottom airtight construction of airtight door

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5650568A (en) * 1979-10-02 1981-05-07 Mitsubishi Electric Corp Thyristor
JPS5758789A (en) * 1980-09-27 1982-04-08 Howa Machinery Ltd Bottom airtight construction of airtight door

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