JPS6055662A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6055662A JPS6055662A JP16454483A JP16454483A JPS6055662A JP S6055662 A JPS6055662 A JP S6055662A JP 16454483 A JP16454483 A JP 16454483A JP 16454483 A JP16454483 A JP 16454483A JP S6055662 A JPS6055662 A JP S6055662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field
- film
- field plate
- diffusion layer
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ＸＩ発明の利用分野
本発明は高耐圧ＩＣにおいて、拡散層の耐圧を向上させ
るために用いられる。通常フィールドプレートと呼ばれ
る構造に関するものである。
るために用いられる。通常フィールドプレートと呼ばれ
る構造に関するものである。
（２）従来技術
１−
従来のフィールドプレートには第１図に示すようなもの
がある。第１図においてＩｌｌは半導体基板（２）は（
１１と反対導電形の拡散層、＋３１は通常フィールド膜
と呼ばれる酸化膜、Ｃ４１は（３１の拡散層からの電極
であり、１５１の部分がフィールドプレートとなってい
る。
がある。第１図においてＩｌｌは半導体基板（２）は（
１１と反対導電形の拡散層、＋３１は通常フィールド膜
と呼ばれる酸化膜、Ｃ４１は（３１の拡散層からの電極
であり、１５１の部分がフィールドプレートとなってい
る。
動作を簡単に説明するとＩｌｌと１４１の間に接合の逆
方向電圧が印加されると、Ｃ５１の部分があることによ
り、空乏層（６１が第１図のように拡がるため、電界が
弱まｐ耐圧が向上する。しかし従来の例においては、１
３１のフィールド膜はｌＪ１ｍ前後あるためＩｌｌの基
板に与える効果はあまシ大きくなり、仮にフィールド膜
を薄くしてフィールドプレート効果を大きくすると、寄
生ＭＯＢ ＴＨのし′＃ｉい値電圧が低下するとｈう問
題点がある。
方向電圧が印加されると、Ｃ５１の部分があることによ
り、空乏層（６１が第１図のように拡がるため、電界が
弱まｐ耐圧が向上する。しかし従来の例においては、１
３１のフィールド膜はｌＪ１ｍ前後あるためＩｌｌの基
板に与える効果はあまシ大きくなり、仮にフィールド膜
を薄くしてフィールドプレート効果を大きくすると、寄
生ＭＯＢ ＴＨのし′＃ｉい値電圧が低下するとｈう問
題点がある。
１３１本発明の目的
本発明は前述したような問題点を解決するために、フィ
ールドプレートのある部分だけフィールド膜（３１ｔ−
薄くした構造とすることにより、よｐ耐圧が向上したフ
ィールドプレート構造を提供する２− ものである。
ールドプレートのある部分だけフィールド膜（３１ｔ−
薄くした構造とすることにより、よｐ耐圧が向上したフ
ィールドプレート構造を提供する２− ものである。
以下、図面に基づいて詳述する。
（４１本発明の実施例
第２図は本発明の第１実施例である。 １７１は従来例
と同じフィールド膜、Ｃ８）は本発明の主旨によシ薄く
した、フィールド膜である。第２図のような構造とする
ことによ、９、（１１に対する（４）の電界が強まりフ
ィールドプレート効果が従来例に比べて強くな）、より
耐圧が向上する。＋９１は本発明による空乏層の拡が）
である、また、フィールドプレート構造をとっていない
部分のフィールド膜は従来と同じ膜厚であるため、寄生
ＴＨのしきい値電圧が低下することはない。
と同じフィールド膜、Ｃ８）は本発明の主旨によシ薄く
した、フィールド膜である。第２図のような構造とする
ことによ、９、（１１に対する（４）の電界が強まりフ
ィールドプレート効果が従来例に比べて強くな）、より
耐圧が向上する。＋９１は本発明による空乏層の拡が）
である、また、フィールドプレート構造をとっていない
部分のフィールド膜は従来と同じ膜厚であるため、寄生
ＴＨのしきい値電圧が低下することはない。
第３図には本発明の第２実施例を示す、Ｑ（ｊは、テー
パー状にしたフィールド膜であり（２）の拡散層から離
れるに従かいフィールドプレート効果が弱まる構造とし
ている。
パー状にしたフィールド膜であり（２）の拡散層から離
れるに従かいフィールドプレート効果が弱まる構造とし
ている。
以上説明してきたように、フィールドプレートが作られ
る部分のフィールド膜厚と他の部分のフィールド膜厚よ
）薄くすることにより、より耐圧３− を向上させたフィールドプレートを得るこトカできる。
る部分のフィールド膜厚と他の部分のフィールド膜厚よ
）薄くすることにより、より耐圧３− を向上させたフィールドプレートを得るこトカできる。
第１図は従来のフィールドプレートの断面図、第２図は
本発明の第１実施例の断面図、第３図は本発明の麺２実
施例の断面図である。 （１１・・半導体基板 １２１・・拡散層（３１・・フ
ィールド膜 （４）・・電極１５１・・フィールドプレ
ート部分 １６１・・空乏層 １７１・・フィールド膜１８１・・
部分的に薄くしたフィールド膜（９１・拳本発明の空乏
層 ［１１１・・テーパ状にしたフィールド膜以 上 出願人 株式会社！１１１１１ＰＪｉ精工舎代理人 弁
理士最 上 務 ＝４−
本発明の第１実施例の断面図、第３図は本発明の麺２実
施例の断面図である。 （１１・・半導体基板 １２１・・拡散層（３１・・フ
ィールド膜 （４）・・電極１５１・・フィールドプレ
ート部分 １６１・・空乏層 １７１・・フィールド膜１８１・・
部分的に薄くしたフィールド膜（９１・拳本発明の空乏
層 ［１１１・・テーパ状にしたフィールド膜以 上 出願人 株式会社！１１１１１ＰＪｉ精工舎代理人 弁
理士最 上 務 ＝４−
Claims (1)
- １、第１導電型の半導体基板と、該半導体基板の主表面
領域に設けた第２導電形の拡散層と、該拡散層からの電
極が前記拡散層と、前記半導体基板の少なくとも１部分
をおおうように設けられた、いわゆるフィールドプレー
ト構造において、フィールドプレートが設けられる部分
の絶縁膜の少なくとも一部分が、他の部分の絶ｌ＃膜よ
）も薄いことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16454483A JPS6055662A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16454483A JPS6055662A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055662A true JPS6055662A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15795171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16454483A Pending JPS6055662A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055662A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565763A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Kyokuto Sanki Kk | 畳の表替え方法 |
| JPH0828007A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-01-30 | Fukuyama Shokki Seisakusho:Kk | 畳製造機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56131953A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16454483A patent/JPS6055662A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56131953A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565763A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Kyokuto Sanki Kk | 畳の表替え方法 |
| JPH0828007A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-01-30 | Fukuyama Shokki Seisakusho:Kk | 畳製造機 |
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