KR19980035060A - 캐패시터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 캐패시턴스 향상을 위한 캐패시터에 관한 것이다. 기판 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 산화필드층, 산화 필드층 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 제1 캐패시터 전극, 제1 캐패시터 전극 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 유전층, 유전층 위에는 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 제2 캐패시터 전극으로 이루어져 있다.
Description
본 발명은 캐패시터에 관한 것이다. 특히, 캐패시턴스의 용량을 증가시키는 구조를 갖는 캐패시터에 관한 것이다.
도1은 종래의 캐패시터를 나타낸 단면도이다.
도1에 도시한 바와 같이, 종래의 캐패시터는 기판((10) 위에 산화필드층(20)이 형성되어 있으며, 산화 필드층(20) 위에는 제1 캐패시터 전극(30)이 형성되어 있으며, 제1 캐패시터 전극(30) 위에는 유전층(40)이 형성되어 있고, 유전층(40) 위에는 제2 캐패시터 전극(50)이 형성되어 있다.
여기서 사용되는 유전층(40)은 산화막이다. 이 산화막은 유전율이 낮으므로 캐패시터 용량을 크게 하기 위해서는 두께를 크게 해야하는 단점이 있다.
도2는 종래의 다른 캐패시터를 나타낸 단면도이다.
도2에 도시한 바와 같이, 종래의 다른 캐패시터는 기판((10) 위에 산화필드층(20)이 형성되어 있으며, 산화 필드층(20) 위에는 제1 캐패시터 전극(30)이 형성되어 있으며, 제1 캐패시터 전극(30) 위에는 유전층(40)이 형성되어 있고, 유전층(40) 위에는 제2 캐패시터 전극(50)이 형성되어 있다.
여기서 사용되는 유전층(40)은 Si3N4인데 이것은 유전율이 커서 작은 두께로도 캐패시터 용량을 크게할 수 있다. 그러나 두께를 줄이는데에는 한계가 있어, 더 큰 용량의 캐패시터를 형성할 수 없다.
그러므로 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 캐패시터의 용량을 크게할 수 있는 캐패시터를 제공하기 위한 것이다.
도1은 종래의 캐패시터를 나타낸 단면도이고,
도2는 종래의 다른 캐패시터를 나타낸 단면도이고,
도3은 본 발명의 실시예에 따른 캐패시터를 나타낸 단면도이다.
이러한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 캐패시터는,
기판 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 산화필드층,
상기 산화 필드층 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 제1 캐패시터 전극,
상기 제1 캐패시터 전극 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 유전층,
상기 유전층 위에는 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 제2 캐패시터 전극을 포함한다.
여기서 산화필드층은 굴곡진 모양으로 형성되어 있어 유전층의 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서 유전율이 큰 유전체를 사용하면 큰 용량을 갖는 캐패시터를 형성할 수 있다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 캐패시터의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 캐패시터를 나타낸 단면도이다.
도3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 캐패시터는 기판((10) 위에 산화필드층(20)이 굴곡진 모양으로 패턴되어 있으며, 산화 필드층(20) 위에는 제1 캐패시터 전극(30)이 굴곡진 모양으로 형성되어 있다. 또한 제1 캐패시터 전극(30) 위에는 유전층(40)이 굴곡지게 형성되어 있으며, 유전층(40) 위에는 제2 캐패시터 전극(50)이 굴곡지게 형성되어 있다.
여기서 사용되는 유전층(40)은 Si3N4인데 이것은 유전율이 커서 작은 두께로도 캐패시터 용량을 크게할 수 있으며, 굴곡진 모양으로 패턴되어 있는 유전층(40)은 면적이 증가되어 더 큰 용량의 캐패시터를 형성할 수 있는 장점이 있다.
따라서 본 발명에 따른 캐패시터는 캐패시터의 크기를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 기판 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 산화필드층,상기 산화 필드층 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 제1 캐패시터 전극,상기 제1 캐패시터 전극 위에 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 유전층,상기 유전층 위에는 굴곡진 모양으로 형성되어 있는 제2 캐패시터 전극을 포함하는 캐패시터.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960053288A KR19980035060A (ko) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 캐패시터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960053288A KR19980035060A (ko) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 캐패시터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980035060A true KR19980035060A (ko) | 1998-08-05 |
Family
ID=66520092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960053288A KR19980035060A (ko) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 캐패시터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980035060A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180133975A (ko) * | 2017-06-07 | 2018-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐패시터 구조체, 캐패시터 구조체를 구비한 표시 장치 및 캐패시터 구조체 제조 방법 |
-
1996
- 1996-11-11 KR KR1019960053288A patent/KR19980035060A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180133975A (ko) * | 2017-06-07 | 2018-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐패시터 구조체, 캐패시터 구조체를 구비한 표시 장치 및 캐패시터 구조체 제조 방법 |
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