KR970024218A - 백금을 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 - Google Patents
백금을 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970024218A KR970024218A KR1019950039020A KR19950039020A KR970024218A KR 970024218 A KR970024218 A KR 970024218A KR 1019950039020 A KR1019950039020 A KR 1019950039020A KR 19950039020 A KR19950039020 A KR 19950039020A KR 970024218 A KR970024218 A KR 970024218A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- platinum
- electrode
- platinum film
- capacitors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
백금막을 전극으로 이용하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 백금막 위에 실리콘 산화막 및 HSG 실리콘막을 순서대로 형성하고, 상기 HSG 실리콘막을 마스크로 이용하여 상기 백금막의 표면을 울퉁불퉁하게 식각하여, 본 발명에 의하여 형성된 반도체 장치의 커패시터는 울퉁불퉁한 스토리지 전극을 가지게 때문에 종래의 경우에 비하여 커패시터의 유효 면적이 증가하는 효과를 가져오고, 결국은 정전 용량을 증가시키게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제12도는 본 발명의 제1 실시예에 의하여 백금을 스토리지 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법을 보여주는 단면도들,
제13도 내지 제16도는 본 발명의 제2 실시예에 의하여 백금을 스토리지 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법을 보여주는 단면도들이다.
Claims (2)
- 백금막을 전극으로 이용하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 있어서, 상기 백금막 위에 실리콘 산화막 및 HSG 실리콘막을 순서대로 형성하고, 상기 HSG 실리콘막을 마스크로 이용하여 상기 백금막의 표면을 울퉁불퉁하게 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 백금막을 왕수로 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039020A KR970024218A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 백금을 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039020A KR970024218A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 백금을 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970024218A true KR970024218A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66586837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950039020A KR970024218A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 백금을 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970024218A (ko) |
-
1995
- 1995-10-31 KR KR1019950039020A patent/KR970024218A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900003896A (ko) | 반도체 메모리와 그 제조방법 | |
| KR890008987A (ko) | 다이나믹 랜덤 억세스 메모리 장치용 메모리 셀의 층구조 및 그의 제조방법 | |
| KR970024218A (ko) | 백금을 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 | |
| KR970024147A (ko) | 금속 전극을 가지는 반도체 장치의 커패시터 | |
| KR970024207A (ko) | 디램 반도체소자의 제조방법(method for fabricating DRAM semiconductor device) | |
| KR940016887A (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법 | |
| KR970054019A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법 | |
| KR920008862A (ko) | 고용량의 커패시터를 갖는 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR920001727A (ko) | 반도체 소자의 캐패시턴스 증가방법 | |
| KR960039373A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR920008936A (ko) | 병렬 커패시터의 dram셀 및 그 제조방법 | |
| KR950021555A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950030364A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR950028144A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 | |
| KR970024180A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR950007104A (ko) | 반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조 방법 | |
| KR970052485A (ko) | 커패시터의 스토리지 전극 제조 방법 | |
| KR970012988A (ko) | 원통형 커패시터 제조방법 | |
| KR950030332A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR960043176A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR970018542A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970054050A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR920015471A (ko) | 반도체장치의 메탈 콘택 형성방법 | |
| KR930005205A (ko) | 캐패시턴스 증가 디램(dram)의 제조방법 | |
| KR970030343A (ko) | 반도체 메모리소자의 전극 및 이를 형성하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |