KR950030332A - 캐패시터 제조방법 - Google Patents
캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950030332A KR950030332A KR1019940007166A KR19940007166A KR950030332A KR 950030332 A KR950030332 A KR 950030332A KR 1019940007166 A KR1019940007166 A KR 1019940007166A KR 19940007166 A KR19940007166 A KR 19940007166A KR 950030332 A KR950030332 A KR 950030332A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polysilicon layer
- nitride film
- etching
- depositing
- capacitor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한것으로, 캐패시터 저장전극의 표면적을 증대시키기위하여 다수의 기둥을 갖는 저장전극을 반구형 폴리실리콘층을 이용하면서 용이하게 형성할 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 반도체소자에 적용되는 캐패시터 제조방법에 있어서, 실리콘기판상에 절연막을 증착하고, 전체구조 상부에 폴리실리콘층을 중착하고, 폴리실리콘층의 표면에 반구형 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 반구형 실리콘층 상부에 질화막을 일정두께 중착하는 단계와, 질화막의 일정 두께를 마스크 없이 건식식각하여 반구형 폴리실리콘층 사이의 요홈에만 질화막을 남기는 단계와, 남아 있는 질화막을 식각하되, 노출된 지역의 반구형 폴리실리콘층과 그하부의 폴리실리콘층을 이방성 식각하괴, 폴리실리콘층의 바닥에 폴리실리콘층이 일정 두께 남도록 식각하는 단계를 포함하여 다수의 기둥을 갖는 저장전극으로 이루어진 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940007166A KR950030332A (ko) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940007166A KR950030332A (ko) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950030332A true KR950030332A (ko) | 1995-11-24 |
Family
ID=66677712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940007166A KR950030332A (ko) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950030332A (ko) |
-
1994
- 1994-04-06 KR KR1019940007166A patent/KR950030332A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910013507A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR930003368A (ko) | 반도체 집적 회로의 제조방법 | |
KR950030332A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
KR980005912A (ko) | 반도체 장치의 금속콘택구조 및 그 제조방법 | |
KR910020903A (ko) | 적층형캐패시터셀의 구조 및 제조방법 | |
KR940016828A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR950028144A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 | |
KR950021618A (ko) | 실린더형 캐패시터의 제조방법 | |
KR930011235A (ko) | 표면적이 증대된 전하저장전극 제조방법 | |
KR970003479A (ko) | 반도체 장치의 매복접촉 형성방법 | |
KR960026659A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR940016801A (ko) | 디램셀의 저장전극 제조방법 | |
KR950001898A (ko) | 더블 스페이서를 이용한 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법 | |
KR960026847A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970054151A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960043152A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조방법 | |
KR970053941A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 | |
KR960026860A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970052785A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR960026649A (ko) | 커플링 노이즈 감소를 위한 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR970030326A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR930001424A (ko) | 반도체 dram 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR930006926A (ko) | 반도체 메모리 소자의 캐피시터 제조방법 | |
KR960036065A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
KR970053985A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |