KR950030332A - 캐패시터 제조방법 - Google Patents

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KR950030332A
KR950030332A KR1019940007166A KR19940007166A KR950030332A KR 950030332 A KR950030332 A KR 950030332A KR 1019940007166 A KR1019940007166 A KR 1019940007166A KR 19940007166 A KR19940007166 A KR 19940007166A KR 950030332 A KR950030332 A KR 950030332A
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KR
South Korea
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polysilicon layer
nitride film
etching
depositing
capacitor
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Application number
KR1019940007166A
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English (en)
Inventor
김현곤
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한것으로, 캐패시터 저장전극의 표면적을 증대시키기위하여 다수의 기둥을 갖는 저장전극을 반구형 폴리실리콘층을 이용하면서 용이하게 형성할 수 있는 기술이다.

Description

캐패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 반도체소자에 적용되는 캐패시터 제조방법에 있어서, 실리콘기판상에 절연막을 증착하고, 전체구조 상부에 폴리실리콘층을 중착하고, 폴리실리콘층의 표면에 반구형 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 반구형 실리콘층 상부에 질화막을 일정두께 중착하는 단계와, 질화막의 일정 두께를 마스크 없이 건식식각하여 반구형 폴리실리콘층 사이의 요홈에만 질화막을 남기는 단계와, 남아 있는 질화막을 식각하되, 노출된 지역의 반구형 폴리실리콘층과 그하부의 폴리실리콘층을 이방성 식각하괴, 폴리실리콘층의 바닥에 폴리실리콘층이 일정 두께 남도록 식각하는 단계를 포함하여 다수의 기둥을 갖는 저장전극으로 이루어진 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019940007166A 1994-04-06 1994-04-06 캐패시터 제조방법 KR950030332A (ko)

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